公开(公告)号：CN101866952A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010165708.4

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的课题之一在于：提供使用不包含In、Ga等的稀有金属而包含Zn的氧化物层的晶体管；在使用包含Zn的氧化物层的晶体管中，减少截止电流并使电特性稳定。在使用包含Zn的氧化物层的晶体管中，在氧化物层上层叠包含绝缘氧化物的氧化物半导体层并以氧化物层和源电极层或漏电极层隔着包含绝缘氧化物的氧化物半导体层重叠的方式形成晶体管，从而可以减少晶体管的阈值电压的不均匀并使电特性稳定。

公开(公告)号：CN101859710A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010161138.1

申请日：2010-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  井上卓之

IPC: H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的目的在于一种提供一种使用氧化物半导体的优选结构的n沟道型晶体管及p沟道型晶体管。本发明的半导体装置包括：与第一氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第一导电层和包含第二材料的第二导电层的叠层结构形成的第一源电极或漏电极；以及与第二氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第三导电层和包含第二材料的第四导电层的叠层结构形成的第二源电极或漏电极，其中，第一氧化物半导体层与第一源电极或漏电极的第一导电层接触，并且，第二氧化物半导体层与第二源电极或漏电极的第三导电层及第四导电层接触。

公开(公告)号：CN101840937A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010130038.2

申请日：2010-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  乡户宏充 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的名称为晶体管、具有该晶体管的半导体装置及它们的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置硅层，而且在该硅层上形成杂质半导体层，并且设置电连接于该杂质半导体层的源电极层及漏电极层。

公开(公告)号：CN101840936A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010118843.3

申请日：2010-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  乡户宏充 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明涉及包括晶体管的半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于在具有氧化物半导体层的晶体管或具有该晶体管的半导体装置中抑制电特性的退化。在将氧化物半导体用作沟道层的晶体管中，接触于氧化物半导体层的表面地设置有p型硅层。另外，至少接触于氧化物半导体层中的形成沟道的区域地设置有p型硅层，而且接触于氧化物半导体层中的不设置有p型硅层的区域地设置有源电极层及漏电极层。

公开(公告)号：CN101752427A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910254152.3

申请日：2009-12-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  小林聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上且与其接触的其载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率的第二半导体层；设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间且与其接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层地设置的第一杂质半导体层；其一部分接触于所述第一杂质半导体层和所述第一及第二半导体层地设置的第二杂质半导体层；以及接触于所述第二杂质半导体层的整个面地设置的源电极及漏电极层，其中，第一半导体层的栅电极层一侧的整个面重叠于所述栅电极层。

公开(公告)号：CN101615628A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910160481.1

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种显示器件。一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN101540342A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128138.9

申请日：2009-03-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  乡户宏充 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明要求保护一种薄膜晶体管及显示装置，其课题之一在于解决涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。另一课题在于提供一种能够高速工作的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；设置于栅极绝缘层上的微晶半导体层；重叠于微晶半导体层及栅极绝缘层的非晶半导体层；以及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层设置于非晶半导体层上，并且形成源区或漏区，其中，栅极绝缘层在与微晶半导体层的端部接触的附近具有高低差，并且所述微晶半导体层外侧的栅极绝缘层的第二厚度比接触所述微晶半导体层的栅极绝缘层的第一厚度要薄。

公开(公告)号：CN101521231A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910008341.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  小林聪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层被设置为其至少一部分隔着栅极绝缘层重叠于栅电极，并且形成源区及漏区；一对导电层，该一对导电层被配置为其至少一部分在栅极绝缘层上重叠于栅电极及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，并且在沟道长度方向上相离；以及接触栅极绝缘层和一对导电层并且延伸在该一对导电层之间的非晶半导体层。

公开(公告)号：CN1578546A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069424.X

申请日：2004-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  乡户宏充 ,  土屋薰

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L23/564 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/44 ,  H01L51/5237 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。

公开(公告)号：CN117546201A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280045099.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  黑川义元 ,  井上圣子 ,  大嶋和晃 ,  山崎舜平

IPC: G06T1/40

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够顺畅地进行交流的电子设备。电子设备包括包括第一相机的显示部、第二相机及图像处理部。第二相机配置在不与显示部重叠的区域中。第一相机具有生成拍摄被摄体的第一图像的功能，第二相机具有生成拍摄被摄体的第二图像的功能。图像处理部包括利用监督数据进行学习的生成器。监督数据包括包括人脸的图像。图像处理部具有通过将第一图像输入到生成器使第一图像清晰的功能以及根据第二图像追踪被摄体的视线的功能。