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公开(公告)号：CN112225247A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011124118.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G23/047 , B82Y40/00 , C01G23/053
Abstract: 本发明涉及一种纳米二氧化钛开口空心球，其制备方法主要是以乳液聚合法制备聚苯乙烯‑丙烯酸P（St‑AA）乳液为模板，再以钛酸四丁酯（TBOT）为钛源，在分散剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和无水乙醇的混合液中冷凝回流，滴加氨水使TBOT水解，即可得到聚苯乙烯‑丙烯酸二氧化钛复合球，再在350‑600℃条件下煅烧即可得到纳米二氧化钛开口空心球。本发明使用P（St‑AA）乳液作为模板，简化了常规PSt模板粉末制备的离心洗涤干燥环节，节约能源，装置简单，制备得到的纳米二氧化钛开口空心球在光催化领域及药物缓释领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN110373641A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910620889.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池CIGS靶材的快速制备方法，其包括制备铜铟镓硒四元粉，硒化亚铜粉，以及硒化铜粉，然后烧结成CIGS四元靶。首先将称量好的三种原料粉研磨，然后分别放入行星球磨机内混合12-48h(公转300-500转/分，公转和自转比为1：2，球磨罐材料为氧化锆内衬，球磨介质为酒精，磨球材料为ZrO2，抽真空后向腔体内充入氩气)使之合金化，随后将粉体置于放电等离子体烧结炉中(冲入氩气等惰性气体，抑制Se的挥发)烧结制备得到铜铟镓硒四元靶。本发明工艺采用SPS烧结，简单有效，相较于传统的热压及其他烧结来说，效率更高，能够做到在较低温度、短时间内快速烧结，烧结制备的的晶粒尺寸较小，在同等条件下制备得到的靶材相对密度更高，达98％以上。
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公开(公告)号：CN109252063A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811158383.X
申请日：2018-09-30
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C22C1/1036 , C22C1/101 , C22C26/00 , C22C2001/1047 , C22C2026/003
Abstract: 本发明提供了一种金属铝包覆立方氮化硼的制备方法，属于超硬材料技术领域。本发明首先对立方氮化硼表面形成硅氧，再采用表面修饰有纳米硅氧层的立方氮化硼粉和铝粉作为原料，在氯化盐中，通过熔融-冷却方式处理实现铝粉对立方氮化硼粉的熔融包覆。实施例结果表明，本发明成功实现了金属铝在立方氮化硼粉体的包覆。
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公开(公告)号：CN109202063A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811159989.5
申请日：2018-09-30
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B22F1/02
CPC classification number: B22F1/025
Abstract: 本发明提供了一种金属铝包覆立方氮化硼的制备方法，属于超硬材料技术领域。本发明首先对立方氮化硼进行表面羟基化改性，该立方氮化硼表面接枝羟基便于在立方氮化硼表面形成硅氧，再采用表面修饰有纳米硅氧层的立方氮化硼粉和铝粉作为原料，在氯化盐中，通过熔融-冷却方式处理实现铝粉对立方氮化硼粉的熔融包覆。实施例结果表明，本发明成功实现了金属铝在立方氮化硼粉体的包覆。
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公开(公告)号：CN107352517A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710602618.9
申请日：2017-07-21
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明涉及一种具有非晶态表面的石墨相氮化碳纳米花束的制备方法，主要是以聚合碳源，氯化铵(NH4Cl)为原料，首先将称量好的原料研磨、放入星型球磨机内混合1-3h(公转50-100转/分，公转和自转比为1：2，球磨罐材料为玛瑙内衬，磨球材料为ZrO2)，之后放入反应釜中密封，升温至350-450℃保温一段时间，最后获得粗产物经过提纯，即可得到非晶态表面的石墨相氮化碳纳米花束粉体。本发明以简单易得、无毒性的高聚物作为碳源，不需要液相有机试剂作为反应溶剂，在较低的温度下即可催化制备得到非晶态表面的石墨相氮化碳纳米花束粉体。本发明工艺简单有效，能耗低，所用原料价格低廉无毒，制备得到氮化碳纳米花束粉体在光催化以及储氢领域具有重要的应用前景。
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