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公开(公告)号：CN116963567A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310758546.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在微纳尺度上使用光刻构建图案制备新型结构钙钛矿太阳电池的方法，在基底表面制备电子传输层，然后进行抛光处理后匀光刻胶，经过烤胶处理后配合光刻用掩膜板对光刻胶曝光显影，显影后的光刻胶在电子传输层表面形成周期性的图案；然后依次沉积绝缘层、金属电极层，然后剥离镀有绝缘层及金属电极层的光刻胶；再进行热氧化处理，使金属电极层的表面氧化成空穴传输层；最后制备钙钛矿吸收层，形成具有结构电极图案的钙钛矿太阳电池。本发明该背接触微米尺度叉指电极图案化的工艺避免了自组装光刻工艺或干法刻蚀工艺，有效的拓宽了光刻胶的选择和工艺窗口，工艺的实现对设备的需求简化。
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公开(公告)号：CN109585657B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201811334949.X
申请日：2018-11-10
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳电池组件。其结构为“导电玻璃/电子传输体//多功能镍网//电子传输体/导电玻璃”的三明治结构，具体包括上层导电玻璃、下层导电玻璃、多功能镍网、上层电子传输体、下层电子传输体、电极和玻璃粘接剂。该结构能让钙钛矿吸收层与电子传输体充分接触，使电子从两面导电玻璃迅速导出，极大提高了电子的传输效率；能让网状结构增大钙钛矿吸收层/空穴传输层的界面接触，促进了空穴的传输效率。此外，通过对电池组件的紧密封装，使整个钙钛矿吸收层完全处于封闭状态，提高了整个电池组件的环境稳定性。本发明具有结构简单、设计合理、实用价值高、成本低和电池组件组装便捷等优点，使其特别适用作为钙钛矿太阳电池组件。
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公开(公告)号：CN112174100A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011050831.1
申请日：2020-09-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/082 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管的制备方法，以镁、三氧化二铁和尿素为原料，在氨气气氛下球磨后，转移至反应釜于550‑650℃下保温4‑8h，得到多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管粉体。本发明使用设备简单，原料价格低廉无毒，制备得到多层鸡蛋卷状复合超硬相C3N4纳米管粉体在材料增强增韧，吸附催化等领域具有一定的应用潜力。
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公开(公告)号：CN107352517B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710602618.9
申请日：2017-07-21
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明涉及一种具有非晶态表面的石墨相氮化碳纳米花束的制备方法，主要是以聚合碳源，氯化铵(NH4Cl)为原料，首先将称量好的原料研磨之后放入星型球磨机内混合1‑3h(公转50‑100转/分，公转和自转比为1：2，球磨罐材料为玛瑙内衬，磨球材料为ZrO2)，之后放入反应釜中密封，升温至350‑450℃保温一段时间，最后获得粗产物经过提纯，即可得到非晶态表面的石墨相氮化碳纳米花束粉体。本发明以简单易得、无毒性的高聚物作为碳源，不需要液相有机试剂作为反应溶剂，在较低的温度下即可催化制备得到非晶态表面的石墨相氮化碳纳米花束粉体。本发明工艺简单有效，能耗低，所用原料价格低廉无毒，制备得到氮化碳纳米花束粉体在光催化以及储氢领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN110560045A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910898548.5
申请日：2019-09-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J23/31 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种Bi2WO6插层MgAl-LDH材料及其制备方法和应用，属于光催化材料技术领域。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：将镁源和铝源溶解于水中，得到溶液A；将碱溶于水中，得到溶液B；将钨源溶解于水中，得到溶液C；将所述溶液A和溶液B同时滴加到溶液C中后，进行第一水热反应，第一次固液分离后得到WO42-插层MgAl-LDH粉体；将所述WO42-插层MgAl-LDH粉体和铋源分散到水中，将所得悬浊液进行第二水热反应，第二次固液分离后得到Bi2WO6插层MgAl-LDH材料。本发明通过将Bi2WO6纳米颗粒负载于MgAl-LDH层间，大大提高了Bi2WO6的光催化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110048001A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910258561.4
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种通过卤素替换工程来调节铋基有机-无机杂化材料形貌、带隙和稳定性的方法。本发明的目的在于对铋基杂化材料(NH3CH2CH2NH3)aBibXc的X位进行卤素元素替换来调节材料的形貌、光学带隙以及稳定性的方法研究。最终获得不同形貌、带隙值及稳定性的低维度杂化材料，进而可应用在有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池以及半导体材料领域。本发明具有合成工艺简单、反应条件温和、成本低廉、重复性好、光学带隙比较宽的范围内连续可调、稳定性高等优点，具有较好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN109824519A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910157988.5
申请日：2019-03-02
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C07C211/10 , C07C209/74 , C07C209/00 , C30B29/12 , C30B7/10
Abstract: 本发明公开了一种通过掺杂工程来调节碘铋乙二胺杂化材料形貌、带隙和稳定性的方法。本发明的目的在于对杂化材料(NH3CH2CH2NH3)Bi2I10进行金属元素掺杂来调节其形貌、光学带隙以及稳定性的方法研究，最终获得不同带隙值的杂化材料，进而可应用在有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池以及半导体材料领域。本发明是针对之前制备的窄带隙有机-无机低维杂化材料(NH3CH2CH2NH3)Bi2I10的带隙进行一定范围的调节。本发明具有合成工艺简单、反应条件温和、成本低廉、重复性好、光学带隙比较宽的范围内连续可调、稳定性高等优点，具有较好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN109136613A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811158385.9
申请日：2018-09-30
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C22C1/051 , B22F1/025 , C22C26/00 , C22C2026/003
Abstract: 本发明提供了一种金属铝包覆立方氮化硼的制备方法，属于超硬材料技术领域。本发明首先在立方氮化硼表面形成硅氧，再采用经过表面预先修饰有纳米硅氧层的立方氮化硼粉和铝粉作为原料，在氯化盐中，通过熔融‑冷却方式处理实现铝粉对立方氮化硼粉的熔融包覆。实施例结果表明，本发明成功实现了金属铝在立方氮化硼粉体的包覆。
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公开(公告)号：CN119706758A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411888342.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08K7/00 , C08L63/00 , C09K5/14
Abstract: 本发明涉及一种一维氮化硼微米带，其制备方法主要过程如下：以硫酸锌、四硼酸钠和硼酸铵为原料制备出前驱体，然后在反应釜中反应，经过两次水热流程后，随后在管式炉中氮化得到一维氮化硼微米带。本发明提供的一维氮化硼微米带为微米级别的实心条带状，不仅产品纯度和原料转化率高，而且原料价格低廉，制备工艺简洁高效，成功解决了一维氮化硼材料在纯度、原料成本及生产效率等方面的关键问题，无需高端设备支持，即可大规模产业化生产高纯度的一维氮化硼微米带产品，显著降低了生产成本，提升了生产效率。本发明制备的氮化硼微米带不仅具有优异的增强和增韧效果，还能显著提升导热性能，将该氮化硼微米带填充至环氧树脂中后，复合材料的力学性能和导热性能得到了显著提升。
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公开(公告)号：CN118579737A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410742891.1
申请日：2024-06-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种三维空心网络结构氮化硼，其制备方法主要过程如下：以柠檬酸、硼酸钠和碳酸锶为原料，通过溶胶‑凝胶法获得含硼前驱体；然后，含硼前驱体在含氮气气氛下预氮化，得到预氮化产物；接着，将该预氮化产物与硼酸铵和氯化铵球磨混合均匀后，再放入高压反应釜中反应，得到三维空心网络结构的氮化硼。本发明制备的三维空心网络结构氮化硼，其呈多个腔体单元构成的连通网状结构，纯度高，为中空氮化硼结构制备提供新思路，同时在气体吸附、处理水污染、储氢和药物载体等领域具有良好的应用前景。
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