公开(公告)号：CN106352866A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610559524.3

申请日：2016-07-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·哈塔斯 ,  D·奇毛 ,  T·巴尔斯林科

IPC: G01C19/5747

Abstract: 本发明涉及转速传感器，包括基底、第一驱动结构、第二驱动结构、第一探测结构、第二探测结构、第三探测结构和第四探测结构。该转速传感器包括驱动装置，用于使第一和第二驱动结构从静止位置偏出从而使得它们能被激励成具有基本反相的运动分量的振动。第一和第二探测结构借助耦合结构耦合，使得在第一转速和/或在第二转速的情况下能够探测基本垂直于驱动方向作用到第一探测结构上的第一力作用和作用到第二探测结构上的第二力作用，第一和第二力作用基本反相，第三和第四探测结构借助于耦合结构耦合，使得在第二转速和/或在第三转速的情况下能探测基本垂直于主延伸平面作用到第三探测结构上的第三力作用和作用到第四探测结构上的第四力作用。

公开(公告)号：CN105209857A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480028191.0

申请日：2014-05-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R·舍本 ,  R·毛尔 ,  B·库尔曼 ,  M·哈塔斯 ,  T·巴尔斯林科 ,  B·施密特 ,  R·阿梅林

IPC: G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5712

Abstract: 本发明提出一种转速传感器，其用于探测转速传感器围绕旋转轴线的旋转运动，其中旋转轴线在转速传感器的驱动平面内延伸，其中转速传感器具有第一旋转元件、第二旋转元件和能够平行于驱动平面运动的驱动结构，其中第一旋转元件可以围绕第一旋转中心被驱动成平行于驱动平面的第一旋转振动，其中第二旋转元件可以围绕第二旋转中心被驱动成平行于驱动平面的第二旋转振动，其特征在于，驱动结构与第一旋转元件并且与第二旋转元件耦合，其中驱动结构配置用于产生第一旋转振动与第二旋转振动的相反相位的驱动模式。

公开(公告)号：CN104412386A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380025592.6

申请日：2013-04-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： I·赫尔曼 ,  E·佐默 ,  C·舍林 ,  C·雷蒂希 ,  M·哈塔斯

IPC: H01L27/146 ,  G01J5/20

CPC classification number: H01L27/14649 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/067 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1467 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明提出一种红外线传感器装置(100；200；300)，其具有半导体衬底(1)、至少一个在半导体衬底(1)中微机械构造的传感器元件(2)、和至少一个在半导体衬底(1)中微机械构造的用于传感器元件(2)的校准元件(3)，其中在半导体衬底(1)上在传感器元件(2)和校准元件(3)的区域内布置吸收材料(6)，其中在半导体衬底(1)中基本上在传感器元件(2)之下并且基本上在校准元件(3)之下分别构造洞穴(8)，其中传感器元件(2)和校准元件(3)借助洞穴(8)来与其余的半导体衬底(1)进行热分离和电分离。因此对于红外线传感器装置实现高灵敏度，实现用于传感器元件的校准功能，并且实现高信噪比。

公开(公告)号：CN103776464A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310756892.3

申请日：2013-10-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  M·哈塔斯

IPC: G01C25/00 ,  G01C19/5726

CPC classification number: G01C19/5755 ,  G01C25/005

Abstract: 本发明提出一种用于调整转速传感器的方法，其中，转速传感器包括具有主延伸平面的衬底、能够相对于所述衬底运动的振动质量、用于使所述振动质量在驱动方向上偏转的驱动装置、用于探测所述振动质量在与所述驱动方向垂直的探测方向上的力作用的探测装置和用于使所述振动质量与所述探测方向平行地偏转的测试装置，其中，在所述驱动装置上测量驱动频率并且在所述探测装置上测量探测频率，其中，为了测量转速灵敏度，以围绕所述旋转轴线的转速加载所述转速传感器，并且随后在所述探测装置上测量取决于所述转速的输出电压，其中，为了确定测试信号灵敏度，以测试信号加载所述测试装置，并且随后测量所述探测装置上的取决于所述测试信号的探测电压，其特征在于，在第一方法步骤中，确定为了实施测试而选择的并且被称为第一样本转速传感器的转速传感器的转速灵敏度和测试信号灵敏度之间的缩放函数，其中，从所述样本转速传感器的所测量的第一样本转速灵敏度和所测量的第一样本测试信号灵敏度确定所述缩放函数，并在第二方法步骤中，对于被称为生产转速传感器的转速传感器，从所述生产转速传感器的所测量的生产测试信号灵敏度和所述缩放函数计算生产转速灵敏度，并且随后借助于所述生产转速灵敏度调整所述生产转速传感器。

公开(公告)号：CN103771334A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310756912.7

申请日：2013-10-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  A·弗兰克 ,  J·弗莱 ,  H·韦伯 ,  F·菲舍尔 ,  P·韦尔纳 ,  M·哈塔斯 ,  D·C·迈泽尔

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/075 ,  B81C2203/0771 ,  H01L2224/48463

Abstract: 提出用于具有至少一个MEMS构件(10)并且具有至少一个由半导体材料制成的罩(20)的部件(100)的措施，通过所述措施能够使得所述罩(20)除其作为空腔的封闭和微机械结构的保护的机械功能之外，配备有电功能。这种部件(100)的MEMS构件(10)的微机械结构设置在载体(1)与所述罩(20)之间的空腔中，并且包括至少一个结构元件(11)，所述至少一个结构元件能够在空腔内从构件层面向外偏转。根据本发明，所述罩(20)应包括至少一个在所述罩(20)的整个厚度上延伸的区段(21，22)，所述至少一个区段与相邻的半导体材料电绝缘，使得其能够与所述罩(20)的其余区段无关地电接通。

公开(公告)号：CN103449351A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310176764.1

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·韦伯 ,  F·菲舍尔 ,  M·哈塔斯 ,  Y·贝格曼

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及混合集成部件及其制造方法，所述部件具有MEMS构件（10）、构件（10）的微机械结构（131）的罩（11）及ASIC衬底（20）。微机械结构（131）在SOI晶片（10）的功能层（13）中实现。构件（10）面朝下以功能层（13）装配在ASIC衬底（20）上并且罩在SOI晶片（10）的衬底中实现。衬底（20）包括两侧设有层结构的初始衬底（21）。在MEMS侧的层结构中及衬底（20）的背侧的层结构中实现电路层面（1，2，3，4）。在衬底（20）中构造有ASIC覆镀通孔（29），其从部件（100）背侧出发电接触背侧的层结构的电路层面（3）和/或MEMS侧的层结构的电路层面（1）。