公开(公告)号：CN107720686A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710680047.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·布莱特林 ,  C·施文克 ,  H·屈佩尔斯 ,  N·席滕黑尔姆 ,  V·施米茨

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00285 ,  G01C19/5783 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00 ,  G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0315

Abstract: 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。

公开(公告)号：CN103765579B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201280032667.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 村田电子有限公司

Inventor： 海基·库斯玛 ,  萨米·努尔米

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/16 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0074 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/036 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00333 ,  G01C19/5783 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/148 ,  G01P1/023 ,  G01P1/026 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/568 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级封装器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。

公开(公告)号：CN104045050B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310359584.7

申请日：2013-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。

公开(公告)号：CN103373698A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210126539.2

申请日：2012-04-26

Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司

Inventor： 王志玮 ,  唐德明 ,  张镭 ,  毛剑宏 ,  韩凤芹

IPC: B81C1/00 ,  G01D5/241

CPC classification number: B81C1/00134 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  G01C19/5783 ,  G01P15/125

Abstract: 本发明提供了一种制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器，包括步骤：在半导体基底上淀积第一碳层作为牺牲层；图案化第一碳层，形成固定锚栓，惯性锚栓和底部密封环；形成固定锚栓中的接触插塞和惯性锚栓中的接触插塞；在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓上形成第一固定电极、惯性电极以及与惯性电极相连的连接电极，所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容；在所述第一固定电极和惯性电极上形成第二碳层作为覆盖层；在所述第二碳层和顶部密封环上形成顶盖层。本发明的惯性传感器在惯性力的作用下只有惯性电极移动，固定电极不会移动和震动，从而提高了惯性传感器的精确度。

公开(公告)号：CN102183677B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110061470.5

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: G01P15/125 ,  G01P3/44 ,  G01L1/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/02 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 一种集成惯性传感器与压力传感器及其形成方法，其中集成惯性传感器与压力传感器包括：第一衬底，第二衬底和第三衬底；位于第一衬底的第一表面的至少一层或者多层导电层；惯性传感器的可移动敏感元素，采用第一区域的第一衬底形成；所述第二衬底与第一衬底上的导电层的表面结合；所述第三衬底与第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧结合，且所述第三衬底和第二衬底位于所述可移动敏感元素的相对两侧；敏感薄膜至少包括第二区域的第一衬底、或者导电层中的一层。通过采用第一衬底形成惯性传感器的可动电极、采用第一衬底或者导电层形成压力传感器的敏感薄膜，形成的集成压力传感器和惯性传感器的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。

公开(公告)号：CN102556939A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110462085.1

申请日：2011-11-23

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： R·D·霍尔宁 ,  R·苏皮诺

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0074 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81C2201/019 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。在一实施例中，系统包括第一外部层和包括第一组MEMS器件的第一器件层，其中第一器件层接合到第一外部层。系统还包括第二外部层和包括第二组MEMS器件的第二器件层，其中第二器件层接合到第二外部层。此外，系统包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中央层，其中第一侧接合到第一器件层且第二侧接合到第二器件层。

公开(公告)号：CN101317263B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680044187.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 奥户崇史 ,  铃木裕二 ,  竹川宜志 ,  马场彻 ,  后藤浩嗣 ,  宫岛久和 ,  片冈万士 ,  西条隆司

IPC: H01L23/02 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/025 ,  B81C2203/038 ,  G01C19/5719 ,  G01P1/023 ,  G01P15/125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。

公开(公告)号：CN101796374A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105337.1

申请日：2008-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大越伟生 ,  三谷朋弘

IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P1/003 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/0023 ,  G01C19/5607 ,  G01P1/023 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种惯性力传感器，具备：振动型的角速度检测元件(32)、对自该角速度检测元件(32)输出的输出信号进行处理的IC(34)、信号处理用的电容器(36)、收纳这些角速度检测元件(32)、IC(34)及电容器(36)的封装体(38)，该角速度检测元件(32)及IC(34)经由防振部被收纳于封装体(38)内，并且，该防振部由TAB带(46)构成，该TAB带(46)具有载置层叠有角速度检测元件(32)的IC(34)的载置部(40)、与载置部(40)的外方分离而配置并且经由配线图案(42)与载置部(40)连接的外方部(44)。

公开(公告)号：CN103424107B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201310177524.3

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  M·哈塔斯 ,  D·C·迈泽尔

IPC: G01C19/56 ,  G01C25/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00134 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  G01P15/0802

Abstract: 建议了用于提高微机械惯性传感器的测量灵敏度的措施，所述惯性传感器包括至少一个具有已处理的正面的ASIC构件（10）、一个具有微机械的传感器结构的MEMS构件（20）以及一个罩形晶片（31）。所述MEMS构件（20）的传感器结构包括至少一个振动质量（25）并且延伸在所述MEMS构件（20）的整个厚度上。所述MEMS构件（20）通过支座结构（15）装配在所述ASIC构件（10）的已处理的正面上，并且通过在所述MEMS衬底（20）中以及在所述支座结构的相邻支架（15）中的穿通接触件（22）与所述ASIC构件（10）电连接。所述罩形晶片（31）装配在所述MEMS构件（20）的微机械传感器结构上方。根据本发明，至少在所述振动质量（25）的区域中构造至少一个在所述MEMS衬底（20）中的盲孔（23），所述盲孔用与所述穿通接触件（22）相同的导电材料填充。这种导电的材料具有比所述MEMS衬底材料更高的密度。

公开(公告)号：CN107036591A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610987197.1

申请日：2016-11-09

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 邵鹏

IPC: G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5712 ,  B81B3/0078 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/055 ,  B81B2207/03 ,  G01C19/5733

Abstract: 一种MEMS装置包括能够沿着驱动轴进行振荡驱动运动并沿着垂直于所述驱动轴的感测轴进行振荡感测运动的质量系统。正交校正单元包括固定电极和耦合到所述可移动质量系统的可移动电极，它们各自沿着所述驱动轴纵向朝向。所述可移动电极通过具有初始宽度的间隙与所述固定电极间隔开。所述固定和可移动电极中的至少一个电极包括向所述固定和可移动电极中的另一个电极延伸的挤压区。所述可移动电极与所述质量系统一起进行振荡运动，以使得所述挤压区通过展现小于第一宽度的第二宽度的间隙与所述固定和可移动电极中的另一个电极周期性地间隔开，由此实现所述电极之间的电容增强。