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公开(公告)号：KR1019970009330A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950023350
申请日：1995-07-31
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: H04N5/74
Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 관한 것으로서, 광로 조절 장치의 제조공정시 액츄에이터들을 한정하도록패터닝하고 세척한 후 건조하는 광로 조절 장치의 에어갭 형성방법에 있어서, 상기 광로 조절 장치의 희생막을 불산기체로 제거하는 단계와, 상기 단계에서 희생막 제거시 사용되고 남은 불산기체를 탈이온수로 세척하는 단계와, 상기 단계에서 보호막을 산소 플라즈마로 제거하는 단계와, 상기 단계에서 탈이온수를 회전 건조한 후 보호막을 제거하고 남은 산소플라즈마를 탈이온수로 세척하는 단계와, 상기 단계에서 세척하고 남은 탈이온수를 회전 건조하는 단계와, 상기 단계에서회전 건조한 후 건조되지 않은 수분과 보호막의 잔유물을 급속 열처리하여 제거하는 단계를 구비한다. 따라서, 본 발명은광로 조절 장치의 에어갭을 형성할 때 발생하는 수분과 식각 잔유물을 제거하여 스티킹이 발생되는 것을 방지하므로서 식각율을 향상시켜 불량율을 최소화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100248992B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970021956
申请日：1997-05-30
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 구명권
IPC: G02F1/015
Abstract: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. M×N 개의 트랜지스터가 내장되고 그 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공한다. 상기 액티브 매트릭스 상의 액츄에이터가 형성될 영역의 외곽부에 연마 종료층을 형성한다. 상기 연마 종료층이 형성된 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고 이를 화학 기계적 연마(CMP) 방법으로 평탄화시킨다. 상기 희생층의 상부에 지지층을 형성하고, 상기 지지층의 상부에 하부 전극을 형성한다. 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하고, 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성한다. 상기 희생층 및 연마 종료층을 제거하여 에어 갭을 형성함으로써 액츄에이터를 형성한다. 상기 AMA 패널의 외곽부에 형성된 연마 종료층으로 인해 CMP 공정의 연마 종료점을 용이하게 찾을 수 있으며, 액티브 매트릭스의 전면에 걸쳐 글로벌 평탄화를 달성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100244518B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960077169
申请日：1996-12-30
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 구명권
IPC: G02F1/015
Abstract: 액츄에이터를 구성하는 각 충돌을 균일하게 형성할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은 MOS 트랜지스터가 내장된 기판의 상부에 사각형 형상의 드레인 패드를 형성하고, 드레인 패드와 나란하게 사각형의 돌출부를 갖는 게이트 라인을 형성한 후, 상기 게이트 라인의 돌출부에 제1 지지부가 형성되고, 상기 드레인 패드의 상부에 제2지지부가 형성되도록 멤브레인을 형성하고, 상기 멤브레인의 상부에 하부전극, 변형층 및 상부전극을 형성한다. 게이트 라인을 드레인 패드와 인접하는 부분이 돌출한 형성을 갖도록 그 구조를 변경함으로써, 멤브레인 내의 지지부들 사이에 불균형이 발생하는 것을 방지하여 액츄에이터를 구성하는 각 충돌을 균일하게 액티브 매트릭스 상에 형성하고, 액츄에이터 컨틸레버 특성을 향상시키며, 액츄에이터의 비틀림을 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990042754A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063673
申请日：1997-11-28
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 구명권
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 희생층을 제거하여 에어갭을 형성한 후 에어갭의 내부를 액상의 p-다이크로벤젠으로 채운다. 다음, 액상의 p-다이크로벤젠을 고체상태로 상변이한다. 이때, 에어갭의 내부에 남아있는 수분은 외부로 배출된다. 이어서, 고체 상태의 p-다이크로벤젠을 진공상태에서 승화시킨다.
따라서, 종래의 박막형 광로조절장치는 에어갭을 형성한 후 세척 및 회전 건조하는 공정에서 구동기판과 액츄에이터가 서로 부착되는 스티킹 현상이 발생하였으나, 본 발명에서는 에어갭을 p-다이크로벤젠으로 채운 후 진공상태에서 승화시킴으로써 구동기판과 액츄에이터가 서로 부착되는 스티킹 현상이 발생하지 않는다.-
公开(公告)号：KR1019990035329A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970057124
申请日：1997-10-31
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 구명권
IPC: G02F1/015
Abstract: 변형층의 강유전적 특성을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. M×N(M, N은 정수)개의 MOS 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 형성된 드레인 패드를 포함하는 액티브 매트릭스의 상부에 제1층, 하부 전극층, 제2층 및 상부 전극층을 순차적으로 형성한다. 상부 전극층 및 제2층을 패터닝하여 상부 전극 및 변형층을 형성한 후, 120∼140℃의 온도에서 10V의 전위차를 10분 동안 유지하여 변형층을 분극시킨다. 하부 전극층 및 제1층을 패터닝하여 하부 전극 및 지지층을 형성한 후, 지지층의 상부에 거울을 형성한다. 변형층을 분극시킴으로써 변형층의 강유전적 특성을 향상시키고, 구동시 야기되는 잔류 분극량의 변화를 감소시켜 액츄에이터의 초기 기울어짐을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100179619B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019940034975
申请日：1994-12-19
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: G02F1/015
Abstract: 본 발명은 짧은 시간내에 희생막의 리플로우 처리를 실시함으로써 제품의 수율을 현저히 향상시킬 수 있는 광로조절장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 제조방법은, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장된 구동기판을 준비하는 제1공정과, 상기 구동기판상에 희생막을 도포한 다음에 이 희생막을 소정의 형상으로 패터닝 형성하는 제2공정, 상기 패터닝된 희생막을 RTA(Rapid Thermal Annealing) 처리해서 상기 희생막의 모서리부분이 둥글게 되도록 하는 제3공정 및, 상기 모서리부분이 둥글게 형성된 희생막을 포함하는 전표면상에 소정 갯수의 박막층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100177252B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950052098
申请日：1995-12-19
Applicant: 대우전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 크랙 확산 방지 방법에 관한 것으로서, 구동기판의 표면에 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막의 소정 부분을 제거하여 구동기판이 노출되도록 제거하여 구동기판의 가장자리 부분과 액츄에이터들이 형성되는 미러 어레이영역을 한정하는 크랙확산방지영역을 형성하는 공정과, 상기 희생막의 상부에 멤브레인을 형성하고 상기 희생막과 멤브레인을 냉각시키는 공정을 구비한다. 따라서, 구동기판의 가장자리 부분에서 발생되는 크랙이 미러 어레이영역으로 확산되는 것이 방지한다.
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公开(公告)号：KR100170954B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950027517
申请日：1995-08-30
Applicant: 대우전자주식회사
Inventor： 구명권
IPC: H04N5/74
Abstract: 본 발명은 광로 조절 장치의 구동부를 지지하는 멤브레인을 구성하는 조성물에 관한 것으로 상기 멤브레인은 희생막상에 실리콘 질화물을 소정 두께로 적층시킴으로서 형성되고 SiCl
2 H
2 에 대한 NH
3 의 조성비를 6:1로 유지시킴으로서 상기 실리콘 질화물을 구성하는 성분중 실리콘(Si)에 대한 질소(N)의 조성비가 6:1로 유지시키며 이에 이해서 화학량론적 조성물로 이루어진 멤브레인상에서 압축 인장 응력에 의하여 크랙이 발생되는 것을 방지시킬 수 있다.
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