公开(公告)号：KR3006083930000S

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：KR3020100004396

申请日：2010-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주형 ,  이대균

公开(公告)号：KR3005938640000S

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：KR3020100004397

申请日：2010-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주형 ,  김강두 ,  이현일 ,  임은선 ,  이대균

公开(公告)号：KR3005715380000S

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR3020090023100

申请日：2009-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주생 ,  전종수 ,  김장원 ,  김주형

公开(公告)号：KR100973281B1

公开(公告)日：2010-07-30

申请号：KR1020030063362

申请日：2003-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상훈 ,  채수두 ,  김주형 ,  김정우

IPC: H01L27/115

Abstract: 소노스 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 반도체 기판과 상기 반도체 기판에 형성되어 스위칭 기능과 데이터 저장기능 모두를 갖는 다기능 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 소노스 메모리 소자를 제공한다. 여기서, 상기 다기능 소자는 상기 반도체 기판에 소정의 도전성 불순물이 주입되어 형성된 것으로, 소정 간격으로 이격되어 있고, 사이에 채널이 형성되어 있는 제1 및 제2 불순물 영역과 상기 제1 및 제2 불순물 영역사이의 반도체 기판 상에 형성된 데이터 저장형 적층물을 포함한다. 그리고 상기 데이터 저장형 적층물은 터널링 산화막, 데이터가 저장되는 메모리 노드층, 차단막 및 전극층이 순차적으로 적층된 것이다.

公开(公告)号：KR3005314800000S

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：KR3020080036948

申请日：2008-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주형 ,  김주생 ,  양윤호 ,  최윤정

公开(公告)号：KR3005314790000S

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：KR3020080036655

申请日：2008-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 최윤정 ,  김주생 ,  양윤호 ,  김주형

公开(公告)号：KR3005302700000S

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：KR3020080037594

申请日：2008-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김유선 ,  김주생 ,  양윤호 ,  김주형 ,  최윤정

公开(公告)号：KR3005283200000S

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR3020080037266

申请日：2008-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주형 ,  김주생 ,  양윤호 ,  최윤정

公开(公告)号：KR3005283170000S

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR3020080037140

申请日：2008-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주형 ,  김주생 ,  양윤호 ,  최윤정

公开(公告)号：KR3005256950000S

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR3020080036656

申请日：2008-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김주형 ,  김주생 ,  양윤호 ,  최윤정