公开(公告)号：KR1019970077203A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960016253

申请日：1996-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강호영 ,  김용범 ,  차동호

IPC: H01L21/28

Abstract: 신규한 반도체장치의 미세패턴 형성방법 및 마스크 제작방법이 개시되어 있다. 피노광물의 노광영역을 한정하기 위한 주패턴이 반복되어 형성되어 있는 마스크의 엣지부에, 포토레지스트의 열적흐름을 제어할 수 있는 더미패턴을 삽입한다. 더미패턴과 주패턴과의 거리, 더미패턴의 투과율, 및 더미패턴의 폭을 조절하여 포토레지스트의 열적흐름에 의한 경계효과를 보정함으로써, 패턴의 비대칭성 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970076071A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960018209

申请日：1996-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호 ,  이정현

IPC: G03F1/32

Abstract: 미세 패턴을 형성할 수 있으며, 동시에 그 패턴 크기가 감소되지 않는 마스크에 대하여 설명한다. 본 발명은 투명한 기판과, 상기 투명한 기판 위에 형성된 차광막 패턴과, 상기 차광막 패턴 사이에 하프톤으로 형성된 더미 패턴을 가지는 마스크이다. 따라서, 동일한 디자인 롤에서 본 발명의 마스크를 사용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 경우 근접 효과에 의해서 포토레지스트 패턴의 크기가 감소되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970052358A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950057021

申请日：1995-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차동호 ,  이중현

IPC: H01L21/28

Abstract: 콘택패턴을 웨이퍼 상에 보다 충실히 구현할 수 있는 미세 콘택패턴 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반복적으로 배열된 콘택패턴에 있어서, 상기 콘택패턴의 외부에 제한된 범위내에서 크기가 최적화된 더미패턴을 삽입하고, 상기 이웃하는 콘택패턴 사이에, 투과하는 빛의 위상을 이동시키는 위상이동 패턴을 삽입하여 주는 것을 특징으로 한다. 따라서, 패턴의 치밀함에 따른 근접효과를 방지하여 패턴의 왜곡현상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970049065A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950067016

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중현 ,  차동호

IPC: G03F7/20

Abstract: 반도체 소자 제조에 이용되는 마스크 및 이를 이용한 노광방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 제1두께의 구조물이 형성되어 있는 제1영역과 제1두께보다 두꺼운 제2두께의 구조물이 형성되어 있는 제2영역에 각각 대응하도록 하프톤 위상반전 마스크와 크롬 마스크가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 제1두께의 구조물이 형성되어 있는 제1영역과 제1두께보다 두꺼운 제2두께의 구조물이 형성되어 있는 제2영역에 각각 대응하도록 하프톤 위상반전 마스크와 크롬 마스크를 이용하여 노광 공정을 행하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 단차가 심하게 발생되어 있는 구조물에서도 프로파일이 좋은 패턴을 형성할 수 있다.