-
-
公开(公告)号：KR100517547B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020010036931
申请日：2001-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , H01L21/312 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 등의 막 두께가 불균일하게 나타나는 단점을 개선할 수 있는 도포 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 포토 레지스트 도포 방법은 다음과 같은 순서로 진행된다. 솔벤트를 웨이퍼 상에 분사하는 단계, 그리고 상기 웨이퍼 상에 포로 레지스트를 분사하는 단계, 그리고 일정한 속도로 웨이퍼를 회전시키는 단계를 구비한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 포토 레지스트를 분사하기 전에 웨이퍼 표면상에 솔벤트를 분사하였으므로, 표면 장력 및 레지스트의 점성을 낮추어서 웨이퍼상에 유기 용제인 포토 레지스트가 상기 웨이퍼 표면상에 골고루 도포된다.
-
公开(公告)号：KR1020010016817A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990031955
申请日：1999-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A mask used for manufacturing a semiconductor is provided to improve critical dimension(CD) difference in a chip located in an edge of a wafer wherein the CD difference is caused by flare in performing an exposure process regarding the wafer. CONSTITUTION: The first region(12) has a circuit pattern and a non-circuit pattern, and light transmits one of the patterns. The second region(14) is located in an outer portion of the first region, and has a light blocking layer for exposure blocking. The third region(16) is located between the first region and the second region. The third region includes an exposure control layer for controlling a quantity of exposure passing through the third region.
Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体的掩模，以改善位于晶片边缘的芯片的临界尺寸（CD）差异，其中在执行关于晶片的曝光过程中，CD差异是由闪光引起的。 构成：第一区域（12）具有电路图案和非电路图案，并且光透射其中一个图案。 第二区域（14）位于第一区域的外部，并且具有用于曝光阻挡的遮光层。 第三区域（16）位于第一区域和第二区域之间。 第三区域包括用于控制通过第三区域的曝光量的曝光控制层。
-
公开(公告)号：KR100213226B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960080080
申请日：1996-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크 및 이의 제조 방법을 개시한다. 마스크는 노광시 빛이 투과되지 않는 부분 사이에서 빛의 위상이 반전되는 부분과 반전되지 않는 부분이 교번된 제 1 영역; 및 노광시 빛의 일정량이 투과되는 부분과 빛이 투과되지 않는 부분을 포함한 제 2 영역을 구비한다. 상기 마스크를 제조하는 방법은, 마스크 기판 상에 제 1 차광층 및 제 1 감광막을 차례로 형성하는 단계; 상기 마스크 기판 상에 선택적으로 노광하고 상기 제 1 감광막을 패터닝하는 단계; 상기 제 1 감광막을 식각 마스크로하여 상기 제 1 차광층을 식각하는 단계; 상기 제 1 감광막을 제거하는 단계; 상기 마스크 기판 상에 제 2 감광막을 형성하는 단계; 상기 마스크 기판에 위상 반전부를 형성하기 위해 선택적으로 노광하고 상기 제 2 감광막을 패터닝하는 단계; 상기 제 2 감광막을 식각 마스크로하여 노출된 마스크 기판을 식각하는 단계; 상기 제 2 감광막을 제거하는 단계; 상기 마스크 기판 상에 제 3 감광막을 형성하는 단계; 상기 제 1 차광층 사이의 마스크 기판을 선택적으로 노출시키기 위해 노광하고 상기 제 3 감광막을 패터닝하는 단계; 및 상기 노출된 마스크 기판 상에 제 2 차광층을 형성하고 상기 제 3 감광막을 제거하는 단계로 이루어진다.
상기와 같은 마스크 즉, 위상 반전 방법과 투과율 조절 방법을 혼합한 마스크를 이용하여 셀 어레이부와 주변회로부를 구비한 반도체 기판 상에 감광막을 증착한 후 노광 공정을 진행하면, 주변회로부의 이웃하는 감광막 사이에서 감광막이 블리징(bridging)되는 현상이 나타나지 않으므로 반도체 기판 전면에서 원하는 감광막 패턴을 얻을 수 있다는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100190115B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019970000531
申请日：1997-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 위상 시프트 마스크는 표면에 홈이 형성된 제1 영역과 홈이 형성되지 않은 제2 영역으로 구분되는 투명 기판; 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 교번하여 각각 동일한 면적으로 노출시키는 복수개의 개구부들을 갖으면서 상기 투명 기판 상에 형성된 하프 톤 물질층 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 홈이 형성된 위상 시프트 영역과 홈이 형성되지 않은 비(非) 위상 시프트 영역의 면적을 서로 달리 하지 않고도 상기 위상 시프트 영역과 상기 비 위상 시프트 영역을 투과한 광의 강도를 동일하게 할 수 있다. 따라서, 동일한 폭을 갖는 라인 패턴(line pattern)/스페이서의 연속 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980068786A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005568
申请日：1997-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/26
Abstract: 레벤슨형 위상 반전 마스크에 관하여 개시한다. 본 발명은 석영 기판상에 형성된 차광막 패턴과, 상기 각 차광막 패턴 사이에서 상기 차광막 패턴과 동일한 면적으로 형성되어 있는 위상 반전 영역과, 상기 차광막 패턴 영역과 상기 위상 반전 영역과의 사이에서 상기 차광막 패턴의 주변에 형성된 보조 위상 반전 영역을 포함한다.
-
-
-
公开(公告)号：KR1019970023741A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950039033
申请日：1995-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 단차를 갖는 구조물상에 균일한 콘택을 형성하는 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 균일한 콘택형성방법은 마스크를 이용하여 단차를 갖는 구조물에 균일한 콘택을 형성하는 방법에 있어서, 상기 마스크는 동일한 노광량에 서로 다른 CD를 형성하는 두 부분이 선택적으로 반복된 마스크로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 콘택을 형성하는데 있어서, 동일 노광량에 대해 부분적으로 각기 다른 CD를 형성하는 마스크를 사용함으로써, 단차를 갖는 물질층의 전영역에 걸쳐서 균일한 CD값을 갖는 완전한 콘택을 형성할 수 있다. -
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.021 seconds)
