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公开(公告)号：KR1019980026839A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045405
申请日：1996-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한정석
IPC: H01L21/3205 , H01L21/8242
Abstract: HSG 실리콘막을 구비하는 스토리지 전극 형성방법이 개시되어 있다. 이 방법은 반도체기판의 소정영역과 연결된 비정질 실리콘막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘막 패턴 표면에 반구형의 그레인을 갖는 HSG 실리콘막을 선택적으로 형성함으로써, 상기 비정질 실리콘막 및 상기 HSG 실리콘막으로 구성된 스토리지 전극을 형성하는 단계와, 상기 결과물을 산화막 식각용액에 담구어 상기 스토리지 전극 가장자리 아래에 언더컷을 형성하는 단계와, 상기 언더컷이 형성된 결과물을 황산용액인 제1 세정액 및 수산화암모늄, 과산화수소 및 탈이온수가 혼합된 용액인 제2 세정액으로 세정하는 공정을 적어도 1회 이상 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 스토리지 전극 상에 형성되는 파티클을 제거할 수 있으므로 반도체소자의 수율을 개선시킬 수 있다.
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