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公开(公告)号：KR101379616B1
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020070076921
申请日：2007-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0012 , H01L51/0037 , H01L51/0529
Abstract: 본 발명은 유기절연층의 표면과 소스/드레인 전극의 표면 또는 소스/드레인 전극의 표면 위에 형성된 결정성 유기바인더층을 포함하는 것을 특징으로 하는 계면특성이 향상된 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기 박막 트랜지스터는 유기반도체층과 절연체층 사이의 계면 또는 유기반도체층과 전극 사이의 계면에서의 2차원적 기하학적 조화와 계면안정성이 향상되어 소자의 전기적 특성이 향상된 이점을 가진다.
유기박막 트랜지스터, 유기절연층, 소스/드레인 전극, 결정성 유기 바인더층-
公开(公告)号：KR101353824B1
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020070057235
申请日：2007-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/30
CPC classification number: C09D4/06 , C08G77/58 , C08K5/5425 , C08L21/00 , C08L83/04 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31663 , C08L2666/02 , C08L2666/52
Abstract: 본 발명은 (i) 다중결합 함유 실란계 유무기 하이브리드 물질 및 (ii) 1종 이상의 유기금속 화합물 및/또는 1종 이상의 유기 고분자를 포함하는 유기 절연체 형성용 조성물 및 그를 포함하는 유기 절연체에 관한 것으로, 본 발명의 유기 절연체 형성용 조성물을 포함하는 유기 절연체는 전하 이동도 및 전류점멸비가 높아서 우수한 특성을 나타내며, 또한 유기 박막 트랜지스터에 있어서 히스테리시스를 제거하여 균일한 특성을 시현하게 한다.
유기반도체, 다중결합 함유 실란계 유무기 하이브리드 물질, 유기금속화합물, 유기고분자, 알케닐기, 알키닐기-
公开(公告)号：KR101221761B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020060120779
申请日：2006-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0021 , H01L51/105
Abstract: 유기 반도체 물질의 산화 및 선택적 환원을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 따르면, 반도체층과 소스/드레인 전극 간의 계면안정성이 확보되어 접촉 저항 및 전하이동도가 개선된 우수한 성능의 유기 박막 트랜지스터를 수득할 수 있다.
산화, 선택적 환원, 금속계통 산화제, 금속입자, 계면안정성, 접촉저항, 전하이동도, 유기 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR101186740B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020060015715
申请日：2006-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L27/283 , H01L51/0005 , H01L51/0558
Abstract: 본 발명은 프린팅 방법을 이용하여 유기 전자소자를 제조함에 있어서, 자외선 경화제를 첨가한 수용성 고분자에 수용성 불소 화합물을 혼합하여 표면처리하는 공정을 동시에 수행하는 단계를 포함하는 뱅크형성 방법 및 이에 의해 형성된 뱅크를 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법에 의하여 형성된 뱅크를 포함하는 유기박막 트랜지스터는 열화 등에 의한 소자의 특성변화를 방지하면서, 뱅크형성시 표면처리 공정을 동시에 수행함으로써 공정을 단축시키고, 채널부분과 뱅크부분과의 친수도를 다르게 함으로써 접촉각을 조절할 수 있는 잇점을 갖는다.
뱅크, 수용성 고분자, 자외선 경화제, 수용성 불소 화합물, 유기박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020090017301A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081939
申请日：2007-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G65/323 , C09D171/00 , C08L71/00 , H01J11/40
CPC classification number: G03F7/092 , G03F7/0046 , G03F7/038
Abstract: A composition for forming a passivation layer is provided to prevent the degradation of performance of an organic thin film transistor by blocking moisture and oxygen, and the deterioration of the organic layer. A composition for forming a passivation layer comprises a perfluoro polyether derivative of the chemical formula 1: [A-CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A] or the chemical formula 2: [CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A], a photosensitive polymer or their copolymers, and a photocurable agent. In the chemical formula 1 and the chemical formula 2, A is A 'or RA', wherein A' is COF, SiX1X2X3 (X1, X2 and X3 are independently C1-10 alkyl group, and at least one of them is C1-10 alkoxy group), silanol, chlorosilane, carboxylic acid, alcohol, amine, phosphoric acid and their derivatives; R is C1-C30 substituted or non-substituted alkylene group, wherein the substitution radical is at least one selected from the group consisting of -OH, C1-10 alkyl group, hydroxy alkyl group, amide group, nitro group, C2-30 alkenyl group, C1-30 alkoxy group, and C2-30 alkoxy alkyl group; and m is 1-50 and n is 1-50.
Abstract translation: 提供了一种用于形成钝化层的组合物，以通过阻止水分和氧气以及有机层的劣化来防止有机薄膜晶体管的性能下降。 用于形成钝化层的组合物包括化学式1的全氟聚醚衍生物：[A-CF2O（CF2CF2O）m（CF2O）nCF2-A]或化学式2：[CF3O（CF2CF2O）m（CF2O）nCF2- A]，感光性聚合物或它们的共聚物，以及光固化剂。 在化学式1和化学式2中，A是A'或RA'，其中A'是COF，SiX1X2X3（X1，X2和X3独立地是C1-10烷基，并且它们中的至少一个是C1-10 烷氧基），硅烷醇，氯硅烷，羧酸，醇，胺，磷酸及其衍生物; R是C1-C30取代或未取代的亚烷基，其中取代基是选自-OH，C 1-10烷基，羟基烷基，酰胺基，硝基，C 2-30烯基 基团，C 1-3烷氧基和C 2-30烷氧基烷基; m为1-50，n为1-50。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080087246A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020070029179
申请日：2007-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05K3/02 , C08J7/047 , C08J7/18 , C08J2367/02 , C08J2400/14 , H05K2201/0329 , H05K2203/0796 , H05K2203/1142 , Y10T428/31504
Abstract: A method for producing a conductive polymer film capable of UV patterning is provided to obtain a conductive polymer film maintaining high conductivity, high transparency and flexibility while being patterned by a simple process. A method for producing a conductive polymer film capable of UV patterning comprises the steps of: (a) coating a mixed solution containing a UV curable binder and an oxidant onto a transparent substrate; (b) forming a conductive film on the coating layer of the binder and the oxidant by using a vapor phase polymerization process; and (c) carrying out UV patterning of the conductive polymer film. The binder includes a photosensitive polymer resin.
Abstract translation: 提供了一种能够进行UV图案化的导电聚合物膜的制造方法，以便通过简单的工艺来形成图案，从而获得保持高导电性，高透明度和柔性的导电聚合物膜。 一种能够进行UV图案化的导电聚合物膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）将含有紫外线固化性粘合剂和氧化剂的混合溶液涂布在透明基板上; （b）通过使用气相聚合法在粘合剂和氧化剂的涂层上形成导电膜; 和（c）进行导电聚合物膜的UV图案化。 粘合剂包括光敏聚合物树脂。
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公开(公告)号：KR1020080058897A
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020060133094
申请日：2006-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: A method for manufacturing a unit pixel driving device of an organic light emitting display is provided to improve a manufacturing process by forming simultaneously channels of a switching transistor and a driving transistor. An amorphous silicon layer including a first and second amorphous regions is formed on a substrate(10). The first and second amorphous regions are formed on the same plane. A hydrophobic self-assembled monolayer is formed on the first amorphous region. A solution including nickel particles is coated on the second amorphous region and the hydrophobic self-assembled monolayer by using a hydrophilicity difference so that the amount of nickel particles of the second amorphous region is larger than the amount of nickel particles of the hydrophobic self-assembled monolayer. The hydrophobic self-assembled monolayer is evaporated by an annealing process. A first and second crystalline regions are formed by crystallizing the first and second amorphous regions. A first and second channel regions are formed by patterning the first and second crystalline regions. A first and second electrodes(50,60) are formed on the first and second channel regions.
Abstract translation: 提供一种用于制造有机发光显示器的单位像素驱动装置的方法，以通过同时形成开关晶体管和驱动晶体管的沟道来改善制造工艺。 在基板（10）上形成包括第一和第二非晶区域的非晶硅层。 第一和第二非晶区域形成在同一平面上。 在第一非晶区上形成疏水性自组装单层。 通过使用亲水性差异将包含镍颗粒的溶液涂覆在第二非晶区域和疏水性自组装单层上，使得第二非晶区域的镍颗粒的量大于疏水性自组装的镍颗粒的量 单层。 疏水性自组装单层通过退火工艺蒸发。 第一和第二结晶区域通过使第一和第二非晶区域结晶而形成。 通过图案化第一和第二晶体区域形成第一和第二沟道区域。 第一和第二电极（50,60）形成在第一和第二沟道区上。
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公开(公告)号：KR1020080043602A
公开(公告)日：2008-05-19
申请号：KR1020060112347
申请日：2006-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: An organic insulator composition is provided to improve a hysteresis phenomenon and transparency while maintaining charge mobility characteristics of an organic thin film transistor. An organic insulator composition includes: an organic polymer material containing carboxyl groups; an organosilane-based material containing electron-donating groups; an organometallic compound; and an organic solvent. The organosilane-based material comprises at least one selected from amine group, imine group, carboxyl group, phosphoric acid group, and sulfonic acid group as an electron donating group. A method for preparing an organic insulator includes a step of coating a substrate with the composition, followed by performing hardening.
Abstract translation: 提供有机绝缘体组合物以在保持有机薄膜晶体管的电荷迁移率特性的同时改善滞后现象和透明度。 有机绝缘体组合物包括：含有羧基的有机聚合物材料; 含有供电子基团的有机硅烷系材料; 有机金属化合物; 和有机溶剂。 有机硅烷系材料包含选自胺基，亚胺基，羧基，磷酸基和磺酸基中的至少一种作为给电子基团。 制备有机绝缘体的方法包括用该组合物涂布基材，然后进行硬化的步骤。
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公开(公告)号：KR1019980026848A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045414
申请日：1996-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한정석
IPC: H01L27/04
Abstract: 게이트 전극 형성에 있어서, 단위 공정간 시간을 일정하게 관리하여 실리사이드 전극의 측면에 작은 크기를 갖는 결함의 발생을 방지할 수 있는 반도체 장치의 게이트 전극 형성 방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여, 금속 실리사이드막를 포함하는 게이트 전극을 건식 식각하여 게이트 전극 패턴을 완성하고 상기 표면에 린스, 암모니아 세정, 저온 암모니아 세정 및 열산화막을 형성하는 게이트 전극 형성 방법에 있어서, 상기 건식 식각의 종료 시간부터 열산화막 형성 공정까지의 정체시간 18시간 이내인 것을 특징으로 하는 게이트 전극 형성 방법을 제공한다. 따라서, 금속 실리사이드막의 측벽에 미세한 파티클이 성장함으로써 발생하는, 작은 크기의 갖는 결함을 방지할 수 있는 게이트 전극을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101345507B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020070051514
申请日：2007-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/00 , H01L29/786 , B82Y40/00
CPC classification number: C07D271/113 , B82Y20/00 , C07B2200/11 , C07F7/1836 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L2251/5369
Abstract: 본발명은신규한화합물로서관능화된금속나노입자(functionalized metal nano particle), 이를포함하는버퍼층및 상기버퍼층을포함하는전자소자에관한것으로, 본발명의관능화된금속나노입자를포함하는버퍼층은전자소자에서전하나정공의주입(carrier injection) 및각 층간의전하이동성(transport)을향상시킬뿐 아니라오믹컨택(Ohmic contact)을형성하여전자소자의효율을향상시키고, 전극상에버퍼층형성시전극과버퍼층사이의선택도(selectivity)를향상시켜전자소자의효율을향상시킬수 있다.
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