公开(公告)号：KR1020130085154A

公开(公告)日：2013-07-29

申请号：KR1020120006098

申请日：2012-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박일한 ,  조용성 ,  박상수

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3427

Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device, a non-volatile memory system including thereof, a program method thereof, and a controller operation method controlling thereof are provided to perform the program operation by reducing the program disturbance. CONSTITUTION: A flash memory device (1100) comprises a coupling program controlling unit (1165). A first memory cell programs a first data pattern. A second memory cell programs by using the program voltage. By using the verification voltage which corresponds to the first data pattern, the programming of the first data pattern of the first memory cell is verified. If the verification result of the first memory cell is 'pass', the program of the second memory cell is completed.

Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件，包括其的非易失性存储器系统，其程序方法及其控制器操作方法，以通过减少程序干扰来执行程序操作。 构成：闪存装置（1100）包括耦合程序控制单元（1165）。 第一存储器单元编程第一数据模式。 第二个存储单元通过使用程序电压进行编程。 通过使用对应于第一数据模式的验证电压，验证第一存储单元的第一数据模式的编程。 如果第一存储单元的验证结果为“通过”，则第二存储单元的程序完成。