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公开(公告)号：KR102235492B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020140110864A
申请日：2014-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 복수의 메모리 셀들을 프로그램하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 검증 방법은 복수의 검증 전압들을 인가하는 단계; 및 상기 복수의 검증 전압들 중 하나의 검증 전압을 기반으로 상기 복수의 메모리 셀들 중 서로 다른 목표 문턱 전압 산포 범위들을 각각 갖는 메모리 셀들의 프로그램 완료 여부를 판별하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160012300A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020140093320
申请日：2014-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/107 , G11C16/26
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치의프로그램방법은: 선택된메모리셀들로프로그램전압을인가하는단계; 상기프로그램전압이인가된메모리셀들에연결된비트라인들로선택된검증전압을인가하는단계; 상기검증전압이인가된메모리셀들에대해센싱동작을수행하는단계; 상기센싱결과및 타깃상태데이터를참조하여타깃상태로프로그램되는메모리셀들을선택하는단계; 그리고상기선택된메모리셀들이프로그램패스또는페일되었는지여부를판단하는단계를포함할수 있다. 본발명의실시예에따르면, 프로그램검증속도를향상시켜, 프로그램시간을단축할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，一种用于非易失性存储器件编程的方法包括以下步骤：将程序电压施加到选择的存储器单元; 将选择的验证电压施加到连接到应用了编程电压的存储单元的位线; 感测应用了验证电压的存储单元; 通过参考感测结果和目标状态数据选择被编程到目标状态的存储器单元; 以及确定所选择的存储器单元的编程是否通过或失败。 根据本发明的实施例，增加了程序验证速度以缩短编程时间。
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公开(公告)号：KR1020140055119A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120121491
申请日：2012-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/3427
Abstract: Disclosed are a non-volatile memory device and a method of programing the same. The non-volatile memory device may include a memory cell array and a row control circuit. In the program operation mode of the non-volatile memory device, a program voltage signal (VPGM) is applied to a select word line after a predetermined time has elapsed from an apply time of a first pass voltage signal, and a second pass voltage signal is applied to a non-select word line adjacent to the select word line when the VPGM is applied to the select word line. The rising time period of the program voltage signal applied to the select word line may overlap with the rising time period of the second pass voltage signal applied to the non-select word line adjacent to the select word line. Thus, the parasitic capacitance between the select word line and the non-select word line adjacent to the select word line can be reduced and the program performance of the non-volatile memory device can be improved.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储器件及其编程方法。 非易失性存储器件可以包括存储单元阵列和行控制电路。 在非易失性存储器件的编程操作模式中，在从第一通过电压信号的施加时间经过预定时间之后，将编程电压信号（VPGM）施加到选择字线，并且第二通过电压信号 当将VPGM应用于选择字线时，被施加到与选择字线相邻的非选择字线。 施加到选择字线的编程电压信号的上升时间段可能与施加到与选择字线相邻的非选择字线的第二通过电压信号的上升时间周期重叠。 因此，可以减小选择字线和与选择字线相邻的非选择字线之间的寄生电容，并且可以提高非易失性存储器件的程序性能。
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公开(公告)号：KR1020080051014A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070095665
申请日：2007-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L27/2481
Abstract: An AND-type and NOR-type flash memory arrays, a manufacturing method thereof and an operating method thereof are provided to form plural same silicon pins having certain width and height on an upper portion of a substrate. A local bit line(LBL1) is connected to bit lines(BL1,BL2,BLn) via a first select transistor(ST11). Memory cells(M11 to Mm1) are connected in parallel to the local bit line and the local source line. A local source line(LSL1) is commonly connected to a source of the respective memory cells, and a common source line(CSL) is connected to the local source line via a second select transistor(ST21). A drain select line(DSL) and a source select line(SSL) are electrically connected to a gate of the first select transistor and a gate of the second select transistor. Plural word lines(WL1 to WLm) are connected to a gate of each memory cell. The local bit line and the local source line have a first doped layer and a second doped layer which are vertically spaced apart from silicon pins.
Abstract translation: 提供AND型和NOR型闪速存储器阵列，其制造方法和操作方法，以在衬底的上部上形成具有一定宽度和高度的多个相同的硅销。 局部位线（LBL1）经由第一选择晶体管（ST11）连接到位线（BL1，BL2，BLn）。 存储单元（M11〜Mm1）与本地位线和本地源极线并联连接。 本地源极线（LSL1）通常连接到各个存储单元的源极，并且公共源极线（CSL）经由第二选择晶体管连接到本地源极线（ST21）。 漏极选择线（DSL）和源选择线（SSL）电连接到第一选择晶体管的栅极和第二选择晶体管的栅极。 多个字线（WL1至WLm）连接到每个存储单元的栅极。 局部位线和局部源极线具有与硅引脚垂直间隔开的第一掺杂层和第二掺杂层。
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公开(公告)号：KR100547143B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030065407
申请日：2003-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/20
CPC classification number: G03G15/2053
Abstract: 화상형성장치의 정착장치가 개시된다. 개시된 화상형성장치의 정착장치는 실린더형의 정착롤러와, 상기 정착롤러와 대향되게 설치되어 그들 사이를 통과하는 용지를 상기 정착롤러로 밀착시키는 가압롤러와, 상기 정착롤러 및 가압롤러를 동시에 가열시키는 유도가열수단;을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 폐쇄형 자기 코아로 원통롤러 및 가열롤러의 중공부를 연결하여 원통롤러 뿐만 아니라 가압롤러도 함께 가열함으로써 정착장치가 정착온도에 도달되는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 토너 정착시 가압롤러로 빼앗기는 열을 줄임으로써 정착열량이 증가되는 컬러 레이저 프린터, 고속 레이저 프린터 또는 대형 용지의 인쇄에 적용할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050071960A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000363
申请日：2004-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/20
CPC classification number: G03G15/2053 , G03G2215/2016 , G03G2215/2035
Abstract: 화상형성장치의 정착장치가 개시된다. 개시된 화상형성장치의 정착장치는 정착되는 인쇄매체와 접촉되는 직선부를 구비한 도전성 부재와, 상기 도전성 부재의 외측면에 슬라이딩하는 정착필름과, 상기 정착필름과 상기 직선부 영역에서 접촉하여 정착닙 영역을 형성하며 상기 정착필름을 회전시키는 가압롤러와, 상기 도전성 부재를 유도가열하여 발열시키는 유도가열부를 구비하며, 상기 정착닙 영역의 상기 도전성 부재의 두께는 다른 영역의 상기 도전성 부재의 두께 보다 얇게 형성된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020050029074A
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：KR1020030065407
申请日：2003-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/20
CPC classification number: G03G15/2053
Abstract: A fixing apparatus of an image forming apparatus is provided to reduce heat loss in the fixing apparatus by radiating heat formed at a core by induced heating to the inside of a pressure roller so as to heat the pressure roller. A pressure roller(113) is installed to face with cylinder type of a fixing roller(112) and thereby makes paper close to the pressure roller, where the paper passes between the pressure roller and the fixing roller. An induced heating part heats the fixing roller and the pressure roller at the same time. The induced heating part includes a core(117) that forms a closed magnetic circuit through a central hole part of the fixing roller and the pressure roller, a coil(114) spirally wrapping an external surface of the core and an alternating current voltage source for applying an alternating current voltage to both ends of the coil.
Abstract translation: 提供一种图像形成装置的定影装置，用于通过将通过感应加热在核心处形成的热辐射到加压辊的内部来减少定影装置中的热损失，以便加热压力辊。 压辊（113）安装成与圆筒型的定影辊（112）相对，从而使纸靠近加压辊，纸张通过加压辊和定影辊之间。 感应加热部件同时加热定影辊和加压辊。 感应加热部件包括通过定影辊和压力辊的中心孔部分形成闭合磁路的芯部（117），螺旋地缠绕芯部的外表面的线圈（114）和用于 向线圈的两端施加交流电压。
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公开(公告)号：KR101916161B1
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：KR1020120030744
申请日：2012-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C11/24 , G11C16/02 , G11C16/10 , G11C2216/14
Abstract: 페이지버퍼가제공된다. 페이지버퍼는, 외부로부터제공받은데이터를저장하는정적래치, 및플로팅노드를통해정적래치에저장된데이터를제공받는동적래치를포함하되, 동적래치는, 스토리지캐퍼시터와, 플로팅노드의데이터를스토리지캐퍼시터에라이트하는라이트트랜지스터와, 스토리지캐퍼시터의데이터를리드하는리드트랜지스터를포함하고, 라이트트랜지스터와리드트랜지스터는플로팅노드를공유한다.
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公开(公告)号：KR101913331B1
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：KR1020120006098
申请日：2012-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 본발명은커플링프로그램제어유닛을포함하는플래시메모리장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른플래시메모리장치는제 1 데이터패턴을프로그램하는제 1 메모리셀, 프로그램전압을사용하여프로그램는 제 2 메모리셀; 및제 1 데이터패턴에대응되는검증전압을사용하여, 제 1 메모리셀의상기제 1 데이터패턴의프로그램여부를검증하고, 제 1 메모리셀의검증결과가패스일때, 상기제 2 메모리셀의프로그램이종료된다.
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