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公开(公告)号：KR101187041B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100036547
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08G73/02 , C08G61/12 , C08G77/392 , C08G77/04
Abstract: 본 발명은 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산(Sulfonated PolyPenylSilsesQuioxane, S-PPSQ)으로 도핑된 전도성 폴리아닐린 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산의 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 폴리아닐린은 폴리아닐린과 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110116879A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036547
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08G73/02 , C08G61/12 , C08G77/392 , C08G77/04
Abstract: 본 발명은 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산(Sulfonated PolyPenylSilsesQuioxane, S-PPSQ)으로 도핑된 전도성 폴리아닐린 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산의 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 폴리아닐린은 폴리아닐린과 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110116878A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036546
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 폴리아닐린에 캄포술폰산(Camphorsulfonic acid, CSA) 및 수소결합 내열 도판트 하이드록시벤젠술폰산(Hydroxybenzenesulfonic acid, HBSA)을 도핑한 전도성 폴리아닐린에 관한 것이다. 상기 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 도핑된 전도성 폴리아닐린은 폴리아닐린, 캄포술폰산 및 하이드록시벤젠술폰산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110116876A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036544
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C07C211/46 , C08G73/02 , C08G61/12 , H01B1/12
Abstract: 본 발명은 치환기가 부착된 아닐린유도체와, 치환기가 부착되지 않은 아닐린을 정해진 비율로 첨가하여 중합시키는 방법에 의해 폴리아닐린 중합체를 합성함으로써 상대적으로 높은 전기 전도도를 유지하면서도 일반 용매에서의 용해도와 분산성을 현저히 향상시킬 수 있도록 한 새로운 전도성 폴리아닐린 및 그의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020110045668A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020090102333
申请日：2009-10-27
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A solid doping method of conductive polymers using plasma is provided to enlarge the field of application of conductive polymers by solid doping conductive polymers using plasma treatment of conjugated conductive polymers which have high dispersibility in a solvent and does not have conductivity. CONSTITUTION: A solid doping method of conductive polymers using plasma comprises the steps of: manufacturing conductive polymer nanoparticles or solid molded materials containing conductive polymer nanoparticles; and treating the conductive polymer nanoparticles or solid molded materials containing conductive polymer nanoparticles with plasma.
Abstract translation: 目的：提供使用等离子体的导电聚合物的固体掺杂方法，以通过使用在溶剂中具有高分散性并且不具有导电性的共轭导电聚合物的等离子体处理来扩大使用固体掺杂导电聚合物的导电聚合物的应用领域。 构成：使用等离子体的导电聚合物的固体掺杂方法包括以下步骤：制备导电聚合物纳米颗粒或含有导电聚合物纳米颗粒的固体模塑材料; 并用等离子体处理含有导电聚合物纳米粒子的导电聚合物纳米颗粒或固体模塑材料。
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公开(公告)号：KR1020110016712A
公开(公告)日：2011-02-18
申请号：KR1020090074345
申请日：2009-08-12
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C07C253/30 , C07C255/32
Abstract: PURPOSE: A method for controlling growth characteristics of crystals is provided to obtain crystals containing polyene compounds with a thick thickness suitable as broadband THz generation sources. CONSTITUTION: A method for controlling growth characteristics of crystals comprises a step for growing polyene compounds including electron-donors represented by chemical formula 1 and electron-acceptors in the presence of metal salt additives in a solvent. In chemical formula 1, n is 1, 2, 3 or 4; R1 and R2 are selected from the group consisting of H, deuterium, -OH, ester group, C1~4 alkoxy group, -NH2, -NHR4, -NR5R6, and per-halogenated, halogenated or non-halogenated aliphatic group or aromatic group; and R3 is -OH, ester group, C1~4 alkoxy group, -NH2, -NHR7, and -NR8R9.
Abstract translation: 目的：提供一种控制晶体生长特性的方法，以获得具有适合作为宽带THz发生源的厚度的含有多烯化合物的晶体。 构成：用于控制晶体生长特性的方法包括在溶剂中在金属盐添加剂存在下生长包括由化学式1表示的电子给体的多烯化合物和电子受体的步骤。 化学式1中，n为1,2,3或4; R 1和R 2选自H，氘，-OH，酯基，C 1-4烷氧基，-NH 2，-NHR 4，-NR 5 R 6和全卤代，卤代或非卤代脂族基团或芳族基团 ; 并且R 3是-OH，酯基，C 1-4烷氧基，-NH 2，-NHR 7和-NR 8 R 9。
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