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1.发明公开술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산 및 양의 저항온도계수를 가지기 위한 도판트가 도핑된 폴리아닐린 도전체와 그의 제조방법 有权由磺化聚苯基倍半硅氧烷掺杂的聚苯胺和正电温度系数的掺杂剂及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120126430A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110044197
申请日：2011-05-11
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08G73/00 , C08G77/455 , C08L79/00 , C08L83/04
CPC classification number: C08G73/1071 , C08L83/04 , H01B1/128
Abstract: PURPOSE: A polyaniline conductor doped with dopants is provided to control temperature resistant coefficient, electrical conductivity and thermal resistance and to be usable in a various fields such as an embedded capacitor, a resistor, antistatic, removal of electrostatic, electromagnetic wave shield, a battery, an electrode semiconductor, a solar cell, etc. CONSTITUTION: A polyaniline conductor is doped with sulfonated polyphenylsilsesquioxane and dopants enabling the polyaniline conductor to have a positive temperature coefficient. A manufacturing method of the polyaniline comprises: a step of dissolving an emeraldine base, polyaniline and sulfonated polyphenylsilsesquioxane; a step of manufacturing a first solution by mixing the material; a step of dissolving emeraldine base, polyaniline and the dopant into an organic solvent and mixing the materials to manufacturing a second solution; a step of mixing the first and second solutions; and a step of drying the mixed solution. [Reference numerals] (AA) Comparative embodiment 1; (BB) Embodiment 1; (CC) Embodiment 2; (DD) Embodiment 3; (EE) Embodiment 4; (FF) Comparative embodiment 2
Abstract translation: 目的：提供掺杂有掺杂剂的聚苯胺导体，以控制耐温系数，导电性和耐热性，并可用于各种领域，如嵌入式电容器，电阻器，抗静电，去除静电，电磁波屏蔽，电池 ，电极半导体，太阳能电池等。构成：聚苯胺导体掺杂有磺化聚苯基倍半硅氧烷和掺杂剂，使聚苯胺导体具有正温度系数。 聚苯胺的制造方法包括：将翠绿亚胺碱，聚苯胺和磺化聚苯基倍半硅氧烷溶解的步骤; 通过混合材料制造第一溶液的步骤; 将翠绿亚胺碱，聚苯胺和掺杂剂溶解在有机溶剂中并将材料混合以制造第二溶液的步骤; 混合第一和第二溶液的步骤; 以及干燥混合溶液的步骤。 （附图标记）（AA）比较实施例1; （BB）实施例1; （CC）实施例2; （DD）实施例3; （EE）实施例4; （FF）比较实施例2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101187041B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100036547
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08G73/02 , C08G61/12 , C08G77/392 , C08G77/04
Abstract: 본 발명은 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산(Sulfonated PolyPenylSilsesQuioxane, S-PPSQ)으로 도핑된 전도성 폴리아닐린 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산의 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 폴리아닐린은 폴리아닐린과 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110116879A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036547
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08G73/02 , C08G61/12 , C08G77/392 , C08G77/04
Abstract: 본 발명은 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산(Sulfonated PolyPenylSilsesQuioxane, S-PPSQ)으로 도핑된 전도성 폴리아닐린 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산의 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 폴리아닐린은 폴리아닐린과 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110116878A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036546
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 폴리아닐린에 캄포술폰산(Camphorsulfonic acid, CSA) 및 수소결합 내열 도판트 하이드록시벤젠술폰산(Hydroxybenzenesulfonic acid, HBSA)을 도핑한 전도성 폴리아닐린에 관한 것이다. 상기 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 도핑된 전도성 폴리아닐린은 폴리아닐린, 캄포술폰산 및 하이드록시벤젠술폰산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110116877A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036545
申请日：2010-04-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 폴리아닐린에 캄포술폰산(Camphorsulfonic acid, CSA) 및 벤젠디술폰산(Benzenedisulfonic acid, BDSA)을 도핑한 전도성 폴리아닐린에 관한 것이다. 상기 도핑으로 인하여 일반적인 폴리아닐린에 비해 전도성이 높고, 내열성이 높다.
상기 도핑된 전도성 폴리아닐린은 폴리아닐린, 캄포술폰산 및 벤젠디술폰산을 유기용매에서 용해시킨 후, 교반하는 방법으로 제조할 수 있다.-
6.发明授权술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산 및 양의 저항온도계수를 가지기 위한 도판트가 도핑된 폴리아닐린 도전체와 그의 제조방법 有权由磺化聚苯基倍半硅氧烷掺杂的聚苯胺和正电温度系数的掺杂剂及其制造方法
公开(公告)号：KR101340525B1
公开(公告)日：2014-01-06
申请号：KR1020110044197
申请日：2011-05-11
Applicant: 아주대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: C08G73/00 , C08G77/455 , C08L79/00 , C08L83/04
CPC classification number: C08G73/1071 , C08L83/04 , H01B1/128
Abstract: 본 발명은 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산 및 양의 저항온도계수를 가지게 하는 도판트로 도핑된 폴리아닐린에 관한 것이다.
상기 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산은 폴리아닐린에 도핑 시 높은 내열성을 가지게 하며 또한 도핑된 폴리아닐린이 음의 저항온도계수를 갖게 한다. 음의 저항온도계수를 가지기 위한 술폰화된 폴리페닐실세스퀴옥산과 양의 저항온도계수를 가지기 위한 도판트가 동시에 도핑됨으로써 도핑된 폴리아닐린의 저항온도계수를 조절할 수 있게 된다.
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