저유전 플라스마 중합체 박막 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
    51.
    发明公开
    저유전 플라스마 중합체 박막 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 失效
    低介电等离子体聚合薄膜和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020020014115A

    公开(公告)日:2002-02-25

    申请号:KR1020000047213

    申请日:2000-08-16

    Applicant: 정동근

    Inventor: 정동근

    Abstract: PURPOSE: A method fabricating a semiconductor device using a low dielectric plasma polymerized thin film is provided to form a multilayered metal interconnection without a diffusion barrier layer between a plasma polymerized cyclohexane(PPCHex) thin film and a copper thin film, by depositing the PPCHex thin film while cyclohexane is used as a precursor, by forming the copper thin film on the PPCHex thin film and by performing a heat treatment process at a temperature of 40 deg.C. CONSTITUTION: The precursor(35) contained in a bubbler(30) is vaporized. The precursor is exhausted to the outside of the bubbler. The exhausted precursor is induced to a reaction chamber(50) for depositing plasma(52). A thin film including a plasma polymerized precursor is deposited on the substrate in the reaction chamber by using the plasma of the reaction chamber.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造使用低介电等离子体聚合薄膜的半导体器件的方法,以通过将PPCHex薄膜沉积在等离子体聚合的环己烷(PPCHex)薄膜和铜薄膜之间形成不具有扩散阻挡层的多层金属互连 膜,同时使用环己烷作为前体,通过在PPCHex薄膜上形成铜薄膜,并在40℃的温度下进行热处理。 构成:包含在起泡器(30)中的前体(35)被蒸发。 前体被排出到起泡器的外部。 将排出的前体诱导到用于沉积等离子体(52)的反应室(50)。 通过使用反应室的等离子体,将包含等离子体聚合前体的薄膜沉积在反应室中的基板上。

    비휘발성 반도체 소자 및 그 제조 방법
    52.
    发明公开
    비휘발성 반도체 소자 및 그 제조 방법 无效
    非挥发性半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020010084053A

    公开(公告)日:2001-09-06

    申请号:KR1020000008815

    申请日:2000-02-23

    Applicant: 정동근

    Inventor: 정동근 김이준

    Abstract: PURPOSE: A non-volatile semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to utilize MOS structure consisting of an insulating film made of substance which is prepared by an easy process and is made of stable material. CONSTITUTION: An insulating thin film(30) is formed on a silicon substrate(10) and consists of two kinds of atomic substances. An upper electrode(40) is formed on the insulating thin film(30). A lower electrode(50) is formed under the silicon substrate(10). The insulating thin film(30) is made of crystalline structure having preferred orientation different from that of the silicon substrate(10). When the lower electrode(50) is grounded and voltage changed from positive to negative is applied to the upper electrode(40), a hysteresis curve consisting a first sweeping and a second sweeping is represented and the hysteresis width of the hysteresis curve depends on the thickness of the insulating thin film(30).

    Abstract translation: 目的:提供一种非挥发性半导体器件及其制造方法,以利用由易于制造并由稳定材料制成的由物质制成的绝缘膜组成的MOS结构。 构成:在硅衬底(10)上形成绝缘薄膜(30),由两种原子物质构成。 在绝缘薄膜(30)上形成上电极(40)。 下硅电极(50)形成在硅衬底(10)的下方。 绝缘薄膜(30)由具有与硅衬底(10)的取向不同的优选取向的晶体结构制成。 当下部电极(50)接地并且向上部电极(40)施加从正极变为负电压时,表示包括第一次扫掠和第二次扫描的滞后曲线,滞后曲线的滞后宽度取决于 绝缘薄膜(30)的厚度。

    도로 표지병
    53.
    实用新型
    도로 표지병 失效
    道路标志结构

    公开(公告)号:KR200156353Y1

    公开(公告)日:1999-09-01

    申请号:KR2019970015219

    申请日:1997-06-21

    Applicant: 정동근

    Inventor: 정동근

    Abstract: 본 고안은 도로의 중앙선 등을 표시하기위해 도로의 바닥에 박아 체결시키는 표시병을 주물제작시 내부에 별도의 지지물을 일체가 되게 제작하여 상기 바닥에 박힌 표시병이 대형차량 등에 의해 파손되는 것을 방지하도록 한 도로 표시병에 관한 것으로, 종래에는 도로의 중앙선을 표시하거나 좁은 도로에서의 차량 과속을 방지하기 위해 도로의 바닥면에 도로 표시병의 몸체(1)을 밀착고정시 소형차량이 바닥면에 밀착된 몸체(1)의 상부를 통행할 경우에는 문제가 없으나, 대형 차량등이 통행할 경우 차량의 중량 및 진행 속도에 의해 도로의 바닥면에 몸체(1)가 밀착되도록 박힌 몸체(1)의 저면에 돌출된 지지돌기(2)에서 몸체(1)가 떨어져 나가는 문제점이 있었다.
    본 고안은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 도로 표지병의 재질인 비철합금을 주물제작시 별도의 철근심을 도로 표지병의 지지돌기 부위에 일체가 되게 제작한후 이를 도로의 중앙선 또는 좁은 도로의 바닥면에 박아 밀착시 대형차량등이 도로 표지병의 몸체 상단을 통과될 때 상기 몸체의 하단에 돌출된 지지돌기는 내부에 철근심이 일체로 형성되어 있으므로 대형차량의 중량 및 가속도에 의하여 몸체가 도로의 바닥면에 박힌 지지돌기에서 떨어져 나가는 것을 방지하도록 한 것으로 도로의 중앙선 등을 표시하는 도로 표지병에 적용한다.

    브러싱 타입 건축공사용 지지 장치

    公开(公告)号:KR101928033B1

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:KR1020180039371

    申请日:2018-04-04

    Applicant: 정동근

    Inventor: 정동근

    Abstract: 본 발명은 브러싱 타입 건축공사용 지지 장치에 관한 것으로 길이조절이 가능하며, 경사면 및 상이한 형상의 구조물을 지지할 수 있는 건축공사용 지지 장치에 관한 것이다.
    상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 연결공이 구비된 외부파이프, 외부파이프 내부에 삽입될 수 있고 길이조절공을 구비하는 내부파이프, 상기 외부파이프 및 내부파이프의 각각의 일단에 연결되는 지지부를 포함하고, 연결공 및 길이조절공에 삽입하여 길이를 고정시키는 고정핀을 더 포함하며, 지지부는 지지판 및 지지결합봉을 포함하고, 지지결합봉은 외주면에 나사산이 형성된다. 또한, 상기 지지판에 수직 방향으로 슬라이드 결합되는 블록판 및 상기 블록판과 결합이 가능한 연결블록을 포함한다.

    건축공사용 지지 장치
    60.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101875730B1

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:KR1020170154479

    申请日:2017-11-20

    Applicant: 정동근

    Inventor: 정동근

    CPC classification number: E04G17/14 E04G25/061

    Abstract: 본발명은건축공사용지지장치에관한것으로, 보다상세하게는길이조절이가능하며, 경사면및 상이한형상의구조물들을지지할수 있는건축공사용지지장치에관한것이다. 본발명의건축공사용지지장치는외부파이프, 내부파이프, 연결파이프, 제 1 지지부및 제 2 지지부를포함하며, 연결블록및 블록판을더 포함하는것을특징으로한다.

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