다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물
    51.
    发明公开
    다결정 실리콘 연마용 CMP 슬러리 조성물 有权
    用于抛光聚硅氧烷膜的化学机械抛光浆料组合物

    公开(公告)号:KR1020070075075A

    公开(公告)日:2007-07-18

    申请号:KR1020060003406

    申请日:2006-01-12

    Abstract: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing poly-silicon films is provided to solve a dishing problem and have excellent polishing uniformity and high selectivity. The chemical mechanical polishing slurry composition for polishing poly-silicon films comprises (a) a metal oxide, (b) a quaternary ammonium base compound, and (c) an ionic polymer. The ionic polymer is contained in an amount of 0.001-1wt% based on the total slurry composition. The ionic polymer is at least one selected from polyacrylic acid, poly(acrylic acidco-maleic acid), and poly(acylamide-co-acrylic acid).

    Abstract translation: 提供了用于抛光多晶硅膜的化学机械抛光浆料组合物,以解决凹陷问题,并具有优异的抛光均匀性和高选择性。 用于抛光多晶硅膜的化学机械抛光浆料组合物包括(a)金属氧化物,(b)季铵碱化合物和(c)离子聚合物。 基于总淤浆组成,离子聚合物的含量为0.001-1重量%。 离子聚合物是选自聚丙烯酸,聚(丙烯酸 - 马来酸)和聚(酰基酰胺 - 共 - 丙烯酸)中的至少一种。

    내열성이 우수한 열가소성 공중합체 수지 및 그 제조 방법
    52.
    发明公开
    내열성이 우수한 열가소성 공중합체 수지 및 그 제조 방법 有权
    具有优异耐热性的热塑性共聚物树脂及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020070030489A

    公开(公告)日:2007-03-16

    申请号:KR1020050085193

    申请日:2005-09-13

    CPC classification number: C08F212/10 C08F4/34

    Abstract: 알파알킬스티렌과 시안화비닐 화합물로부터 SAN 수지를 중합하는 공정에 있어서, 관능기가 3개 이상인 다관능기 공중합성 단량체를 함께 투입하여 중합함으로써 제조되는 내열성 및 가공성이 우수한 비선형 구조의 알파-알킬 스티렌-시안화비닐 공중합체 수지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 다관능기 공중합성 단량체는 불포화결합을 3개 이상 함유한 아크릴레이트계 다관능기 함유 공중합성 단량체 또는 이들의 혼합물이다.
    알파알킬스티렌, SAN 수지, 내열성, 현탁중합, 다관능성 불포화 단량체

    Abstract translation: 在从α-烷基苯乙烯和乙烯基氰化合物的SAN树脂聚合的步骤中,官能团具有优异的耐热性和加工性是通过将三个多具有官能团的可共聚单体或高级α-烷基苯乙烯 - 乙烯基氰由通过聚合非直链结构 共聚物树脂及其制造方法。 多官能可共聚单体是含有三个或更多个不饱和键的丙烯酸酯基多官能单体的可共聚单体或其混合物。

    연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물
    53.
    发明授权
    연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물 有权
    用于具有增强的抛光性能的氧化物的化学机械抛光的浆料组合物

    公开(公告)号:KR100497410B1

    公开(公告)日:2005-06-28

    申请号:KR1020020080226

    申请日:2002-12-16

    Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스의 산화막 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 초순수 내에 금속산화물 미분말, 알칼리 염기, 1급 내지 3급 아민 중 1종, 4급 암모늄 염기, 및 폴리에틸렌 글리콜을 오리피스 내에서 전단력, 충돌력 및 공동화 등을 일으키게 하는 방법에 따라 분산시켜 제조되는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 슬러리 조성물은 연마속도와 연마균일도가 크게 개선되어 고품질의 경면 실리콘 웨이퍼 생산을 가능케 하고, 반도체
    디바이스 외에도 포토마스크, 글래스 디스크 및 합성 수지 등과 같은 각종 공업제품의 연마에 적용 가능하다.

    구리배선 연마용 슬러리 조성물
    54.
    发明公开
    구리배선 연마용 슬러리 조성물 有权
    铜线抛光浆料组合物

    公开(公告)号:KR1020040060613A

    公开(公告)日:2004-07-06

    申请号:KR1020020087423

    申请日:2002-12-30

    Abstract: PURPOSE: A slurry composition for copper wire polishing is provided to improve selection ratio and to reduce erosion and dishing due to overpolishing. CONSTITUTION: The slurry composition comprises 1-15 wt% of a polishing agent; 0.1-10 wt% of an oxidizing agent; 0.05-0.5 wt% of a dispersant; 0.01-0.5 wt% of a chelating agent; 0.01-0.5 wt% of an inhibitor; 0.01-0.5 wt% of a complexing agent which is at least one selected from the group consisting of polyethylene glycol, methyl cellulose and poly(acrylic acid); and the balance of deionized water. Preferably the complexing agent has a weight average molecular weight of 500-10,000; the polishing agent is silica, alumina, ceria or titania having an average particle size of 200 nm or less; the oxidizing agent is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, potassium periodate, potassium persulfate and potassium ferricyanide; the dispersant is at least one selected from the group consisting of acetic acid, formamide, propionic acid and malonic acid; the chelating agent is at least one selected from the group consisting of ammonium acetate, ammonium oxalate, ammonium formate, ammonium tartrate, ammonium lactate, ammonium tetrahydrate, aminobenzotriazole, aminobutyric acid, aminoethyl aminoethanol and aminopyridine; and the inhibitor is at least one selected from the group consisting of benzotriazole, benzoquinone, benzylbutyl phthalate and benzyl dioxolane.

    Abstract translation: 目的:提供用于铜线抛光的浆料组合物,以提高选择比,并减少由于过度抛光引起的侵蚀和凹陷。 构成:浆料组合物包含1-15重量%的抛光剂; 0.1-10重量%的氧化剂; 0.05-0.5重量%的分散剂; 0.01-0.5重量%的螯合剂; 0.01-0.5重量%的抑制剂; 0.01-0.5重量%的选自聚乙二醇,甲基纤维素和聚(丙烯酸)中的至少一种的络合剂; 和去离子水的平衡。 络合剂优选具有500-10,000的重均分子量; 抛光剂是平均粒径为200nm以下的二氧化硅,氧化铝,二氧化铈或二氧化钛; 氧化剂是选自过氧化氢,高碘酸钾,过硫酸钾和铁氰化钾中的至少一种; 分散剂是选自乙酸,甲酰胺,丙酸和丙二酸中的至少一种; 螯合剂为选自乙酸铵,草酸铵,甲酸铵,酒石酸铵,乳酸铵,四水合四铵,氨基苯并三唑,氨基丁酸,氨基乙基氨基乙醇和氨基吡啶中的至少一种。 并且所述抑制剂为选自苯并三唑,苯醌,邻苯二甲酸苄基丁酯和苄基二氧戊环中的至少一种。

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