公开(公告)号：KR101557542B1

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020120155621

申请日：2012-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김태영 ,  김동진 ,  김용국 ,  노현수 ,  최정민 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 본발명의 CMP 슬러리조성물은세리아입자; 및탈이온수를포함하며, 상기세리아입자는합성콜로이드세리아입자의분쇄물을포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101480179B1

公开(公告)日：2015-01-09

申请号：KR1020110147630

申请日：2011-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  김동진 ,  박용순 ,  김용국 ,  정영철

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속산화물 입자; 디이소시아네이트 화합물; 및 초순수를 포함한다. 상기 CMP 슬러리 조성물은 볼록부와 오목부로 이루어진 웨이퍼 표면의 연마속도를 선택적으로 조절할수 있고, 1차와 2차 연마는 빠르게 진행하고 2차 연마의 질화막 스톱핑을 크게할 수 있다.

Abstract translation: 本发明的CMP浆料组合物包含金属氧化物颗粒; 二异氰酸酯化合物; 和超纯水。 CMP浆料组合物可以选择性地控制由凸部和凹部构成的晶片表面的抛光速率，并且一次和二次抛光可以快速进行并且可以增加二次抛光的氮化停止。

公开(公告)号：KR1020140102057A

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020130015479

申请日：2013-02-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  김용국 ,  김동진 ,  박용순 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1409 ,  H01L21/30625

Abstract: The present invention relates to a CMP slurry composition and a polishing method using the same, wherein the CMP slurry composition comprises: a metallic oxide particle; a diisocyanate compound; and and ultrapure water. The diisocyanate compound may include one or more among a cationic diisocyanate compound and an anionic diisocyanate compound.

Abstract translation: 本发明涉及一种CMP浆料组合物和使用该CMP浆料组合物的抛光方法，其中CMP浆料组合物包含：金属氧化物颗粒; 二异氰酸酯化合物; 和超纯水。 二异氰酸酯化合物可以包括阳离子二异氰酸酯化合物和阴离子二异氰酸酯化合物中的一种或多种。

公开(公告)号：KR100645307B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020040118080

申请日：2004-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박태원 ,  노현수 ,  이태영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 탈이온수를 용매로 하며, 계면활성제, pH 조절제, 유기염기, 증점제 및 연마제를 포함하는 조성물로서, 상기 연마제는 작은입자(R1)과 큰입자(R2)의 입자크기비율(R1/R2)이 0.15 ∼ 0.3인 2종류의 콜로이달 실리카 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물에 의하면, 평균 입경이 다른 두 종류의 콜로이달 실리카를 연마제로 사용함으로써 연마 과정 중에 연마입자와 피연마물과의 접촉범위를 크게하여 연마 속도를 증가시키고, 서로 다른 입경을 갖는 연마제를 사용한 이중연마로서 연마제에 의해 발생하는 표면결함을 최소화 할 수 있다는 탁월한 효과가 있다.
경면 연마 슬러리 조성물, 평균 입자 크기, 계면활성제, pH 조절제

公开(公告)号：KR1020060078761A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020040118080

申请日：2004-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박태원 ,  노현수 ,  이태영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 탈이온수를 용매로 하며, 계면활성제, pH 조절제, 유기염기, 증점제, 및 두 종류 이상의 평균 입자 크기를 가지는 콜로이달 실리카를 가지는 콜로이달 실리카를 혼합한 연마제를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물에 의하면, 평균 입경이 다른 두 종 이상의 콜로이달 실리카를 연마제로 사용함으로써 연마 과정 중에 연마입자와 피연마물과의 접촉범위를 크게하여 연마 속도를 증가시키고, 서로 다른 입경을 갖는 연마제를 사용한 이중연마로서 연마제에 의해 발생하는 표면결함을 최소화 할 수 있다는 탁월한 효과가 있다.
경면 연마 슬러리 조성물, 평균 입자 크기, 계면활성제, pH 조절제

公开(公告)号：KR1020060019257A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040067829

申请日：2004-08-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  박태원 ,  이태영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 유기산 또는 그의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 마이크로 스크래치(Microscratch) 등의 물리적 표면결함을 제거하고, 마이크로 러프니스(Microroughness)를 낮추어 웨이퍼의 표면이하 결함을 크게 개선할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 슬러리 조성물

公开(公告)号：KR100516886B1

公开(公告)日：2005-09-23

申请号：KR1020020077860

申请日：2002-12-09

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  박태원 ,  이길성 ,  이인경

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 이차 연마용 슬러리 조성물에 대한 것으로, 보다 상세하게는 연마제로 입경이 30∼80nm인 콜로이드 실리카 2∼10중량%, 암모니아 0.5∼1.5중량%, 수산화알킬셀룰로오스류의 수용성 고분자 증점제 0.2∼1.0중량%, 폴리옥시에틸렌알킬아민 에테르류의 비이온성 계면활성제 0.03∼0.5중량%, 사급암모늄 염기 0.01∼1.0중량% 및 나머지 성분으로서 초순수를 포함하는 반도체 웨이퍼의 이차 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 슬러리 조성물은 실리카 입자의 분산안정성이 증가되고, 거대입자의 생성이 억제되어, 이를 사용하여 웨이퍼 표면을 최종 연마하는 경우 피트성 마이크로스크래치 및 딥 스크래치가 감소되는 효과가 있다

公开(公告)号：KR1020050061110A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020030092994

申请日：2003-12-18

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  박태원 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02016

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 후면(back side) 연마용 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 50-150nm인 콜로이드 실리카, 피롤리돈계 질소화합물, 4급 암모늄 염기, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 슬러리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 반도체 웨이퍼의 후면 연마 공정을 수행하면 연마 후 스테인(stain) 발생량이 크게 감소하고 패키지(package) 후 신뢰성의 개선 효과를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100449614B1

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：KR1020010087485

申请日：2001-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스(device) 제조시 웨이퍼의 평탄화를 목적으로 하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing/Planarization) 공정에 사용되는 연마용 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물 미분말, 요오드가 방향족 고리에 치환된 구조의 화합물, 과산화수소, 인계 화합물, 폴리아크릴산, 질산 및 탈이온수를 포함하는, 침식(erosion) 현상이 개선된 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 연마용 슬러리 조성물을 사용하면 높은 연마속도와 우수한 연마균일도를 달성할 수 있고, 분산안정성이 높아 장기 보관이 용이하며, 특히 연마시 발생하는 침식 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR100442549B1

公开(公告)日：2004-07-30

申请号：KR1020020063159

申请日：2002-10-16

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  정재훈 ,  노현수 ,  박태원 ,  이인경 ,  이길성

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 과산화수소, 철화합물, 이미다졸계 화합물, 및 탈이온수를 포함하고 pH가 2 내지 4인, 금속 연마를 위한 CMP용 슬러리 조성물로서, 연마성능이 우수하고, 화학적 및 분산 안정성이 우수한 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 비교적 소량의 산화제를 사용하면서도 우수한 연마성능을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 및 분산 안정성이 현저히 향상되어 조성물의 저장 안정성이 매우 우수한, 금속연마를 위한 CMP용 조성물을 제조할 수 있다.