公开(公告)号：KR100445839B1

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：KR1020010086641

申请日：2001-12-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  서준모 ,  박한흠

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silver thin film as a semiconductor metal line is provided to be capable of improving the uniformity and the adhesive force of the silver thin film by processing a heat treatment after forming a metal seed layer using electroless plating process. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(110) is prepared for processing the following processes. After cleaning the semiconductor substrate, the surface of the semiconductor substrate is activated. A metal seed layer(130) is formed on the resultant structure by using an electroless plating solution. A heat treatment is carried out at the resultant structure. A silver thin film(140) is formed on the metal seed layer by carrying out an electrolytic plating process using a silver electrolytic plating solution.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成作为半导体金属线的银薄膜的方法，以便能够通过使用化学镀工艺在形成金属种子层之后通过处理热处理来提高银薄膜的均匀性和粘合力。 构成：制备半导体衬底（110）用于处理以下工艺。 在清洁半导体衬底之后，激活半导体衬底的表面。 通过使用化学镀溶液在所得结构上形成金属种子层（130）。 在所得到的结构上进行热处理。 通过使用银电解电镀液进行电解电镀工艺，在金属种子层上形成银薄膜（140）。

公开(公告)号：KR100522824B1

公开(公告)日：2005-10-18

申请号：KR1020030070288

申请日：2003-10-09

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 김재정 ,  이창화 ,  이상철 ,  차승환

IPC: H01L21/288

Abstract: 본 발명은 무전해 도금을 이용한 패턴 내 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가속제로서 디시아옥탄디술폰산 (4,5-dithiaoctane-1,8-disulfonic acid) 또는 멀캡토프로판술포네이트 (3-mercapto-1-propanesulfonate)를 함유하는 금속 무전해 도금용액 내에서 금속 무전해 도금을 실시하여 패턴 내 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것이며, 본 발명에 의한 무전해 도금을 이용한 패턴 내 금속배선 형성방법은 패턴 내에 보이드(void)나 씸(seam)같은 결점이 없는 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050034387A

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：KR1020030070288

申请日：2003-10-09

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 김재정 ,  이창화 ,  이상철 ,  차승환

IPC: H01L21/288

Abstract: 본 발명은 무전해 도금을 이용한 패턴 내 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 첨가제로서 디시아옥탄디술폰산 (4,5-dithiaoctane-1,8-disulfonic acid) 또는 멀캡토프로판술포네이트 (3-mercapto-1-propanesulfonate)를 함유하는 금속 무전해 도금용액 내에서 금속 무전해 도금을 실시하여 패턴 내 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것이며, 본 발명에 의한 무전해 도금을 이용한 패턴 내 금속배선 형성방법은 패턴 내에 보이드(void)나 씸(seam)같은 결점이 없는 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.