Abstract:
본 발명의 실시예는 그래핀 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 그래핀의 제조방법은 기재상에 금속 촉매층을 형성하는 단계(단계 a); 단계 a의 금속 촉매층상에 커버 부재를 도입하는 단계(단계 b); 및 화학기상증착을 수행하여 단계 b의 금속 촉매층 상에 그래핀을 성장시키는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 응집을 촉진함과 동시에, 커버 부재의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지함으로써 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 합성된 그래핀의 투명성 등의 퀄리티를 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천(source)의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있다.
Abstract:
Disclosed are laminations comprising graphene and a method for manufacturing the same. The laminations of the present invention comprise self-assembled monolayers (SAMs) including a first molecule having one selected from an electron-donating group and an electron-withdrawing group; a graphene layer which is arranged on the SAMs and includes graphene; a thin film layer which is arranged on the graphene layer and includes a second molecule having one selected from the electron-donating group and the electron-withdrawing group; and a base which is arranged on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the SAMs or on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the thin film layer. Therefore, an electron device or a transistor device including the laminations of the present invention is manufactured by reforming both of double layered upper and lower graphene layers based on a molecular method, thereby improving the performance due to a higher on/off current ratio than the existing graphene device without requiring a high resolution lithography process, simplifying the manufacturing processes, and saving the costs.
Abstract:
본발명은유연기판; 및상기유연기판의일면에유연기판의스트레인을감소시키는기재;를포함하는유연기판적층체에관한것이다. 본발명의유연기판적층체는표면스트레인감소시키는기재를포함하여표면의전단응력및 표면스트레인을감소시켜소자의성능저하를최소화할수 있다. 또한, 이와같은유연기판적층체를적용하여굽힘후에도성능이저하되지않는, 내굴곡특성이향상된다양한전자소자에응용할수 있다.
Abstract:
본 발명은 금속 촉매층을 포함하는 박막을 쌓아 중첩시켜 중첩체를 제조하는 단계(단계 a); 및 화학기상증착을 수행하여 금속 촉매층 상에 그래핀을 제조하는 단계(단계 b);를 포함하는 그래핀의 제조방법을 제공한다. 이에 의하면, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 이동을 촉진함과 동시에, 중첩된 기판의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지하여 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 투명성을 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있도록 한다.
Abstract:
그래핀을 포함한 적층체 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 적층체는 전자주는 기(electron-donating group) 및 전자받는 기(electron-withdrawing group) 중에서 선택된 어느 하나를 갖는 제1분자를 포함하는 자기조립단분자층(SAMs; Self-Assembled Monolayers); 자기조립단분자층 상에 배치되고, 그래핀을 포함하는 그래핀층(graphene layer); 그래핀층 상에 배치되고, 전자주는 기 및 전자받는 기 중에서 선택된 어느 하나를 갖는 제2분자를 포함하는 박막층; 및 자립조립단분자층의 양 측면 중 그래핀층과 대향하는 면의 반대면 상에 배치되거나 또는 상기 박막층의 양 측면 중 그래핀층과 대향하는 면의 반대면 상에 배치되는 기재;를 포함할 수 있다. 이에 의하여, 본 발명의 적층체를 포함하는 전자소자 또는 트랜지스터 소자는 이중겹의 그래핀 상층과 하층을 모두 분자적 방법을 기반으로 개질함으로써 고해상도의 리소그래피 공정과정을 필요로 하지 않고 종래 그래핀 소자에 비하여 점멸비에 따른 성능향상을 도모함은 물론 제조공정을 간단히 하고 비용을 절감할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of a surface with the controllable wettability, using an electrolytic polymer with an ammonium group is provided to control the wettability of the surface from superhydrophobic to superhydrophilic. CONSTITUTION: A manufacturing method of a surface with the controllable wettability comprises a step of graft polymerizing an electrolytic polymer capable of ion exchanging, to the surface of a substrate with the micro or nanoscale surface roughness. The electrolytic polymer includes an ammonium group.
Abstract:
본 발명은 표면유도 자기조립에 의해 성장된 단결정 공액고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로서, i) (a) 폴리(3-헥실싸이오펜)을 유기용매에 60℃ - 70℃에서 녹인 후, 25℃ - 40℃까지 용액의 온도를 급강(quenching)시키고, (b) 상기 (a)에서 얻은 용액을 그 온도에서 1시간 이상 유지시킨 다음, 5℃ - 15℃까지 급냉시킨 후 10시간 내지 12시간 동안 교반시켜 자기기핵형 공액고분자 용액을 얻는 단계, 및 ii) 자기기핵형 공액고분자 용액을 소수성을 나타내는 초분자가 코팅된-나노템플레이트에 도포하여 표면유도 자기조립에 의해 나노구조체를 성장시키는 단계를 포함하는 본 발명의 방법에 따라 성장된 단결정 공액고분자 나노구조체는 선택적인 표면유도에 의한 자기조립과정으로 인해 대면적에 걸쳐 규칙적인 배열 형성이 가능하고, 낮은 전기 저항과 우수한 전계효과를 제공하여, 고성능, 고집적화된 초분자 트랜지스터, 초분자 발광소자 및 초분자 바이오센서 등의 차세대 초분자 유기전자소자에 유용하게 적용될 수 있다.