커버부재를 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법
    51.
    发明授权
    커버부재를 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법 有权
    使用覆盖物制备石墨的方法和制备包含其的电子器件的方法

    公开(公告)号:KR101484770B1

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:KR1020130074246

    申请日:2013-06-27

    Inventor: 조길원 봉효진

    Abstract: 본 발명의 실시예는 그래핀 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 그래핀의 제조방법은 기재상에 금속 촉매층을 형성하는 단계(단계 a); 단계 a의 금속 촉매층상에 커버 부재를 도입하는 단계(단계 b); 및 화학기상증착을 수행하여 단계 b의 금속 촉매층 상에 그래핀을 성장시키는 단계(단계 c);를 포함한다. 이에 의하여, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 응집을 촉진함과 동시에, 커버 부재의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지함으로써 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 합성된 그래핀의 투명성 등의 퀄리티를 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천(source)의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있다.

    그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법
    52.
    发明公开
    그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법 有权
    包含石墨的层压体及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020140017787A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:KR1020120084315

    申请日:2012-08-01

    CPC classification number: B32B9/007 H01L29/1606 H01L29/78696

    Abstract: Disclosed are laminations comprising graphene and a method for manufacturing the same. The laminations of the present invention comprise self-assembled monolayers (SAMs) including a first molecule having one selected from an electron-donating group and an electron-withdrawing group; a graphene layer which is arranged on the SAMs and includes graphene; a thin film layer which is arranged on the graphene layer and includes a second molecule having one selected from the electron-donating group and the electron-withdrawing group; and a base which is arranged on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the SAMs or on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the thin film layer. Therefore, an electron device or a transistor device including the laminations of the present invention is manufactured by reforming both of double layered upper and lower graphene layers based on a molecular method, thereby improving the performance due to a higher on/off current ratio than the existing graphene device without requiring a high resolution lithography process, simplifying the manufacturing processes, and saving the costs.

    Abstract translation: 公开了包括石墨烯的叠片及其制造方法。 本发明的叠片包括自组装单层(SAM),其包括选自供电子基团和吸电子基团的第一分子; 石墨烯层,其布置在SAM上并且包括石墨烯; 薄膜层,其设置在石墨烯层上,并且具有选自供电子基团和吸电子基团的第二分子; 以及在所述SAM的两个表面之间或与所述薄膜层的两个表面中的面向所述石墨烯层的表面的相反表面上的与面向所述石墨烯层的表面相反的表面上配置的基部。 因此,通过基于分子法对双层上,下石墨烯层进行重整来制造包含本发明的层叠体的电子器件或晶体管器件,由此能够提高由于比开关电流比高于 现有的石墨烯器件,而不需要高分辨率光刻工艺,简化了制造工艺,节省了成本。

    표면 스트레인을 감소시키는 유연 기판 적층체 및 그를 포함하는 유연 전자 소자
    54.
    发明公开
    표면 스트레인을 감소시키는 유연 기판 적층체 및 그를 포함하는 유연 전자 소자 无效
    用于释放表面应变的柔性基底层压板和包覆其的柔性电子器件

    公开(公告)号:KR1020170010695A

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:KR1020150102687

    申请日:2015-07-20

    CPC classification number: H01L29/06 H01L29/40 H01L51/00

    Abstract: 본발명은유연기판; 및상기유연기판의일면에유연기판의스트레인을감소시키는기재;를포함하는유연기판적층체에관한것이다. 본발명의유연기판적층체는표면스트레인감소시키는기재를포함하여표면의전단응력및 표면스트레인을감소시켜소자의성능저하를최소화할수 있다. 또한, 이와같은유연기판적층체를적용하여굽힘후에도성능이저하되지않는, 내굴곡특성이향상된다양한전자소자에응용할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及柔性基板层压体,其包括:柔性基板; 以及在柔性基板的一个表面上的基材,并且减小柔性基板的应变。 本发明的柔性基板层叠体包括用于减小表面应变以降低表面的剪切应力和表面应变的基材,从而能够使装置的性能降低最小化。 此外,这种柔性基板层叠体可以应用于具有增强的抗挠曲性的各种电子装置,从而在弯曲后性能不降低。

    그래핀의 전사방법 및 그 방법을 이용한 전자소자의 제조방법
    55.
    发明公开
    그래핀의 전사방법 및 그 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 有权
    用于使用该方法制造电子器件的石墨转印方法和方法

    公开(公告)号:KR1020160120073A

    公开(公告)日:2016-10-17

    申请号:KR1020150049115

    申请日:2015-04-07

    Abstract: 촉매층을준비하는단계(단계 a); 촉매층상에그래핀층을형성하여그래핀층/촉매층을포함하는적층체를제조하는단계(단계 b); 그래핀층/촉매층으로이루어진적층체의그래핀층상에다환방향족탄화수소화합물(polycyclic aromatic hydrocarbon compound)을포함하는지지층을형성하여지지층/그래핀층/촉매층을포함하는적층체를제조하는단계(단계 c); 지지층/그래핀층/촉매층을포함하는적층체에서촉매층을제거하여지지층/그래핀층을포함하는적층체를제조하는단계(단계 d); 지지층/그래핀층을포함하는적층체를기재에전사시켜지지층/그래핀층/기재를포함하는적층체를제조하는단계(단계 e); 및지지층/그래핀층/기재를포함하는적층체에서지지층을제거하여그래핀층/기재를포함하는적층체를제조하는단계(단계 f);를포함하는그래핀의전사방법이제공된다. 이에의하여, 깨끗하고도핑되지않은그래핀을목적기재에전사시킬수 있고, 이와같이전사된그래핀을그래핀기반의트랜지스터등의소자에적용함으로써소자의전기적특성을향상시킬수 있다.

    중첩을 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법
    56.
    发明公开
    중첩을 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법 有权
    使用重叠制备石墨的方法和包含石墨的电子制造方法

    公开(公告)号:KR1020150106984A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:KR1020140028815

    申请日:2014-03-12

    Inventor: 조길원 봉효진

    CPC classification number: Y02P20/149 C01B32/186 B01J23/00 B01J23/42 C23C16/26

    Abstract: 본 발명은 금속 촉매층을 포함하는 박막을 쌓아 중첩시켜 중첩체를 제조하는 단계(단계 a); 및 화학기상증착을 수행하여 금속 촉매층 상에 그래핀을 제조하는 단계(단계 b);를 포함하는 그래핀의 제조방법을 제공한다. 이에 의하면, 화학기상증착 장치 내에서 금속 촉매 분자의 이동을 촉진함과 동시에, 중첩된 기판의 영향으로 금속 촉매의 기상 증발을 방지하여 금속 촉매 표면의 마이크로 단위의 그레인 바운더리(Grain Boundary)의 크기를 줄여 투명성을 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소 원천의 가스의 다양한 농도에서 성장하는 그래핀 시트를 합성할 수 있으며, 화학기상증착 장치 내의 한정된 공간 내에서 효율적으로 대량생산을 할 수 있도록 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及石墨烯制备方法。 该方法包括以下步骤:堆叠和重叠具有金属催化剂层的薄膜以制备重叠体(步骤a); 并进行化学气相沉积操作以在金属催化剂层上制备石墨烯(步骤b)。 本发明可以促进金属催化剂分子在化学气相沉积装置中的移动,并且通过使用重叠的基底的影响来防止金属催化剂的蒸发。 本发明还减小了作为金属催化剂表面上的微单元的晶界的尺寸,以提高透明度。 本发明还可以合成以各种碳源气体浓度速率生长的石墨烯片。 本发明还能够有效地在化学气相沉积设备的有限空间内批量生产。

    그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법
    57.
    发明授权
    그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법 有权
    包含石墨的层压体及其制备方法

    公开(公告)号:KR101441062B1

    公开(公告)日:2014-09-18

    申请号:KR1020120084315

    申请日:2012-08-01

    Abstract: 그래핀을 포함한 적층체 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 적층체는 전자주는 기(electron-donating group) 및 전자받는 기(electron-withdrawing group) 중에서 선택된 어느 하나를 갖는 제1분자를 포함하는 자기조립단분자층(SAMs; Self-Assembled Monolayers); 자기조립단분자층 상에 배치되고, 그래핀을 포함하는 그래핀층(graphene layer); 그래핀층 상에 배치되고, 전자주는 기 및 전자받는 기 중에서 선택된 어느 하나를 갖는 제2분자를 포함하는 박막층; 및 자립조립단분자층의 양 측면 중 그래핀층과 대향하는 면의 반대면 상에 배치되거나 또는 상기 박막층의 양 측면 중 그래핀층과 대향하는 면의 반대면 상에 배치되는 기재;를 포함할 수 있다. 이에 의하여, 본 발명의 적층체를 포함하는 전자소자 또는 트랜지스터 소자는 이중겹의 그래핀 상층과 하층을 모두 분자적 방법을 기반으로 개질함으로써 고해상도의 리소그래피 공정과정을 필요로 하지 않고 종래 그래핀 소자에 비하여 점멸비에 따른 성능향상을 도모함은 물론 제조공정을 간단히 하고 비용을 절감할 수 있다.

    표면유도 자기조립에 의한 단결정 공액고분자 나노구조체의 제조 방법
    59.
    发明授权
    표면유도 자기조립에 의한 단결정 공액고분자 나노구조체의 제조 방법 失效
    通过表面诱导自组装制备单晶结合聚合物纳米结构

    公开(公告)号:KR100840499B1

    公开(公告)日:2008-06-23

    申请号:KR1020060078746

    申请日:2006-08-21

    Inventor: 조길원 김도환

    Abstract: 본 발명은 표면유도 자기조립에 의해 성장된 단결정 공액고분자 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로서, i) (a) 폴리(3-헥실싸이오펜)을 유기용매에 60℃ - 70℃에서 녹인 후, 25℃ - 40℃까지 용액의 온도를 급강(quenching)시키고, (b) 상기 (a)에서 얻은 용액을 그 온도에서 1시간 이상 유지시킨 다음, 5℃ - 15℃까지 급냉시킨 후 10시간 내지 12시간 동안 교반시켜 자기기핵형 공액고분자 용액을 얻는 단계, 및 ii) 자기기핵형 공액고분자 용액을 소수성을 나타내는 초분자가 코팅된-나노템플레이트에 도포하여 표면유도 자기조립에 의해 나노구조체를 성장시키는 단계를 포함하는 본 발명의 방법에 따라 성장된 단결정 공액고분자 나노구조체는 선택적인 표면유도에 의한 자기조립과정으로 인해 대면적에 걸쳐 규칙적인 배열 형성이 가능하고, 낮은 전기 저항과 우수한 전계효과를 제공하여, 고성능, 고집적화된 초분자 트랜지스터, 초분자 발광소자 및 초분자 바이오센서 등의 차세대 초분자 유기전자소자에 유용하게 적용될 수 있다.

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