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公开(公告)号：KR102198279B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020190110485
申请日：2019-09-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: ITO층을포함하는스커테루다이트열전소재용메탈라이징구조및 메탈라이징된스커테루다이트열전소재의제조방법이개시된다. 상기 ITO층을포함하는스커테루다이트열전소재용메탈라이징구조는 ITO층을추가로포함함으로써 500℃내지 600℃의고온의열처리후에도금속간화합물의형성을억제시킬수 있으며, 현저히낮은계면접촉저항을가지는것일수 있다. 따라서, 상기메탈라이징구조를포함하는열전소자의수명을늘려경제성이향상되는것일수 있다.
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52.发明授权
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53.发明授权
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公开(公告)号：KR101827732B1
公开(公告)日：2018-02-12
申请号：KR1020170046690
申请日：2017-04-11
Applicant: 한국에너지기술연구원 , 한국과학기술원
IPC: B23K1/00 , B23K3/08 , B23K31/12 , B23K101/36
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K3/085 , B23K31/125 , B23K2101/36
Abstract: 본발명은열전소재의전극브레이징공정최적화방법에관한것으로, 열전소재와전극사이에브레이징필러를사용하여브레이징접합을수행하는과정에서, 승온되는온도및 접합대상물양단사이의저항을연속적으로측정하는단계; 측정된온도와저항을시간에따라배열하는단계; 및배열된온도변화및 저항변화를기준으로최적공정조건을산출하는단계를포함한다. 본발명은, 브레이징필러를사용하여열전소재에전극을브레이징접합할때에양단의저항을측정함으로써, 열전소재와전극및 브레이징필러에따른브레이징접합의최적공정을도출할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020170085209A
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020160004520
申请日：2016-01-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은접촉저항을줄인고효율의중온열전발전모듈을개발하기위한전제로서열전소자의접촉저항을정확하게측정할수 있는열전소자의접촉저항측정장치및 방법에관한것으로, 제1 전도체; 상기제1 전도체와정렬되어배치되는제2 전도체; 상기제1 전도체및 상기제2 전도체사이에연결되어펄스전류를상기제1 전도체및 상기제2 전도체에공급하는디지털전류원; 및저항측정용전압을인가받고, 상기제1 전도체와상기제2 전도체사이에개재되는피측정열전소자의표면을스캐닝하여접촉저항을측정하는측정부를포함한다.
Abstract translation: 本发明中，在接触电阻测量装置以及可以准确地测量热电元件作为用于具有降低的接触电阻的高效率介质温度的热电功率模块的开发前提之间的接触电阻的热电装置的方法的第一导体; 布置成与第一导体对齐的第二导体; 数字电流源，其连接在所述第一导体和所述第二导体之间以向所述第一导体和所述第二导体供应脉冲电流; 并且测量单元接收用于电阻测量的电压并且扫描插入在第一导体和第二导体之间的测量的热电元件的表面以测量接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101657986B1
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150040811
申请日：2015-03-24
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은열전소자가안착되는시편안착영역을구비하는베이스기판과, 상기시편안착영역의상면에상기열전소자의측정전압을측정하는방향인측정방향을따라단위측정간격으로이격되어배치되도록코팅되며, 상기열전소자와접촉되는복수개의시편접촉패드와, 일측이상기시편접촉패드와연결되도록상기베이스기판의상면에코팅되어형성되는복수개의연결배선및 상기연결배선의타측과연결되도록상기베이스기판의상면에코팅되어형성되는복수개의프로브접촉패드를포함하는열전소자의접촉저항측정모듈및 이를포함하는측정장치를개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种热敏元件的接触电阻测量模块及其测量装置。 热敏装置的接触电阻测量模块包括：具有接收热装置的样品接收区域的基底基板; 多个样品接触垫，其被涂布在样品接收区域的顶部上，沿着测量方向以测量方向以单位测量间隔隔开，该测量方向是用于测量热敏设备的测量电压的方向，并且接触 与热装置; 多个连接线，其形成为涂覆在基底基板的上侧，以将其一侧连接到样品接触垫; 以及多个探针接触焊盘，其形成为涂覆在所述基底基板的上侧，以连接到所述连接线的另一侧。
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公开(公告)号：KR101554658B1
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020130074055
申请日：2013-06-26
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은후면전극이이중층으로구성된 CIGS 박막태양전지에관한것으로, 태양전지에서의투명전극의제조방법에있어서, 버퍼층(400)위에투명전극(500)을형성시키는단계(s1000); 상기투명전극(500) 위에전도성고분자무반사코팅층(510)을형성시키는단계(s2000); 를포함하는것을특징으로하여, 태양광의반사를억제하고, 태양광의광흡수층내에서의광경로를증가시킴으로써광-전기변환의효율을극대화시킨것이다.
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公开(公告)号：KR101508132B1
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020120151848
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에사용되는광흡수층으로사용되는 CI(G)S박막제조공정에서 Chelating Agent가첨가하여, 광흡수층의원료로사용되는 CuI, InI및 NaSe의용해시 Cu 또는 In 과 complex를형성하여 Se 이온과결합을구조적으로방해함으로써, 크기가작은입자를만들수 있다. 따라서, 기공(Porosity)의크기를줄이고, 조성의균일도가향상된 CI(G)S박막을제조할수 있다. 또한, 크고각 공정별로셀렌화공정조건의변화시켜야하고, 또한, 공정조건의변화가적합하지않을경우, 제조된흡수층이나 CI(G)S박막의조성이균일도가떨어지는기존의흡수층이나 CI(G)S박막제조방법의문제점을해소할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150006926A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020130080222
申请日：2013-07-09
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , G02B6/1226 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 광산란용 금속 나노구조층이 형성된 투명전극을 갖는 CIGS 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 태양전지에서의 투명전극의 제조방법에 있어서, 버퍼층(400)위에 투명전극층(500)을 형성시키는 단계(s1000); 상기 투명전극층(500) 위에 광산란용 금속 나노구조층(510)을 형성시키는 단계(s2000)를 포함하는 것을 특징으로 하여, 태양광의 광경로를 증가시켜 광포획 성능을 개선시킴으로써 광-전기 변환의 효율을 극대화시키는 효과가 있는 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有用于散射光的金属纳米结构层的透明电极及其制造方法的CIGS薄膜太阳能电池。 根据本发明，太阳能电池中的透明电极的制造方法包括：在缓冲层（400）上形成透明电极层（500）的工序（s1000）。 以及形成用于在透明电极层（500）上散射光的金属纳米结构层（510）的步骤（s2000）。 太阳光的光路可以增加以提高光捕获性能，从而最大化光电转换效率。
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公开(公告)号：KR1020140146693A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130068920
申请日：2013-06-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a transparent conductive layer of a solar cell and, more particularly, to the improvement of a transparent conductive layer capable of improving light capturing performance. The present invention is the transparent conductive layer which is used for a front electrode, a rear reflection layer, or a front antireflection layer of the solar cell. The present invention provides the transparent conductive layer of a dual structure which includes a light transmitting layer (100) and a light capturing layer (200). One side of the light capturing layer (200) is in contact with the light transmitting layer (100) and a surface texture structure is formed on the other side of the light capturing layer (200). The electric conductivity (A) of the light transmitting layer (100) and the electric conductivity (a) of the light capturing layer (200) satisfy A>a. The etching property (B) of the light transmitting layer (100) and the etching property (b) of the light capturing layer (200) satisfy B>b. The light transmitting layer (100) is an indium tin oxide (ITO) layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池的透明导电层，更具体地说，涉及能够提高光捕获性能的透明导电层的改进。 本发明是用于太阳能电池的前电极，后反射层或前防反射层的透明导电层。 本发明提供一种双重结构的透明导电层，其包括透光层（100）和光捕获层（200）。 光捕获层（200）的一侧与透光层（100）接触，并且在光捕获层（200）的另一侧上形成表面纹理结构。 透光层（100）的导电率（A）和光捕获层（200）的导电率（a）满足A> a。 透光层（100）的蚀刻性（B）和光捕获层（200）的蚀刻性能（b）满足B> b。 透光层（100）是氧化铟锡（ITO）层。
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