열전소재 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101802361B1

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:KR1020160035837

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 본발명은금속도핑처리또는산 처리된탄소나노튜브섬유; 및상기탄소나노튜브섬유에코팅된전도성고분자;를포함하는탄소나노튜브섬유기반열전소재를제공한다. 본발명에따른열전소재는적절한농도의산 처리또는도핑처리및 전도성고분자코팅을통해, 열전특성이현저히향상된효과가있다. 또한, 본발명은탄소나노튜브섬유를금속도핑처리하는단계(단계 1); 및상기단계 1이수행된탄소나노튜브에전도성고분자를도포하는단계(단계 2);를포함하는탄소나노튜브기반탄소나노튜브섬유기반열전소재제조방법을제공한다. 본발명에따른열전소재제조방법은기판이없이도다양한형태및 크기모양의열전소자에적용할수 있는열전소재를제조할수 있는장점이있다.

    폴리실라잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 게이트 절연막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
    52.
    发明授权
    폴리실라잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 게이트 절연막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 有权
    含有聚硅氮烷化合物的薄膜晶体管栅极绝缘膜以及包含其的薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR101715083B1

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:KR1020150119710

    申请日:2015-08-25

    CPC classification number: C08L83/14 C08L83/16 H01L51/00

    Abstract: 본발명은폴리실라잔(Polysilazane) 화합물을포함하는박막트랜지스터용유전체조성물을제공한다. 본발명에따른폴리실리잔화합물을포함하는박막트랜지스터용유전체조성물은박막트랜지스터의게이트절연막재료로사용될수 있다. 본발명에따른조성물은용액공정을통해박막트랜지스터게이트절연막을제조할수 있어간단한스핀코팅법등의방법으로박막으로의제조가용이하고, 저온공정이가능한효과가있다. 또한, 본발명에따른조성물을통해제조된게이트절연막을포함하는박막트랜지스터는전기적성능및 신뢰도가우수한효과가있다. 나아가, 본발명에따른박막트랜지스터의제조방법은자발적연소반응이발생하는인듐아연산화물계반도체잉크조성물을사용하여박막트랜지스터의산화물반도체를형성하기때문에더욱전기적성능이우수한박막트랜지스터를제조할수 있을뿐만아니라, 게이트절연막과마찬가지로용액공정에적합하여박막으로의제조가용이하고저온공정이가능하며, 연료재료와산화재료가배위된두 금속전구체를혼합함으로써발생하는자발적인연소반응에의하여조밀하고균일한박막을제조할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供含有聚硅氮烷化合物的含有薄膜晶体管的油的整体组合物。 的TFT永裕包括根据本发明的聚硅玻璃化合物总组合物可被用作薄膜晶体管的栅极绝缘膜的材料。 根据本发明的组合物是能够制造薄膜作为薄膜晶体管的简单而有效的低温工艺可以做到这一点制造栅极使用溶液工艺绝缘膜beopdeung简单旋涂法。 而且,包括通过根据本发明的组合物制造的栅极绝缘膜的薄膜晶体管具有优异的电性能和可靠性。 此外,使用自燃反应的基于氧化铟锌半导体油墨组合物根据本发明制造TFT的方法不仅发生能产生进一步的电性能是由于形成氧化物半导体薄膜晶体管优良的薄膜晶体管 ,合适的同样的溶液处理作为栅极在生产薄膜的绝缘膜容易和可能的低温工艺中,燃料材料和氧化物材料是致密且均匀的薄膜由自燃反应引起的混合两种前体配位 可以制造。

    자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    53.
    发明公开
    자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 无效
    铟氧化物半导体墨水组合物生成自燃反应及其无机半导体膜

    公开(公告)号:KR1020140078543A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:KR1020130149940

    申请日:2013-12-04

    Abstract: An objective of the present invention is to provide an indium zinc oxide semiconductor ink composition for making a spontaneous combustion reaction and an inorganic semiconductor film fabricated using the same. To this end, the semiconductor ink composition according to the present invention includes a nitrate of metal A serving as an oxide material and a complex of metal B serving as a fuel material, which is expressed through chemical formula 1. Each of the metal A and the metal B includes one selected from the group consisting of indium, gallium, zinc, titanium, aluminum, lithium, and zirconium. The metal A and the metal B are different from each other. The indium zinc oxide semiconductor ink composition for making the spontaneous combustion reaction and the inorganic semiconductor film fabricated using the same according to the present invention can be used as a channel material of a transistor device, so that an inorganic thin film transistor having superior electric performance can be fabricated. In addition, the composition is appropriate to a solution process to make it easy to fabricate the thin film, and a low-temperature process is possible. Through the spontaneous combustion reaction caused by mixing metallic precursors, in which the fuel material and the oxide material are coordinated, are mixed, dense and uniform thin films can be fabricated. Accordingly, the inorganic thin film transistor having superior reliability can be fabricated.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于制造自发燃烧反应的氧化铟锌半导体油墨组合物和使用其形成的无机半导体膜。 为此,根据本发明的半导体油墨组合物包括用作氧化物材料的金属A的硝酸盐和用作燃料的金属B的复合物,其通过化学式1表示。金属A和 金属B包括选自铟,镓,锌,钛,铝,锂和锆中的一种。 金属A和金属B彼此不同。 根据本发明的用于制造自发燃烧反应的铟锌氧化物半导体油墨组合物和使用其制造的无机半导体膜可以用作晶体管器件的沟道材料,从而具有优异的电性能的无机薄膜晶体管 可以制造。 此外,该组合物适合于使制造薄膜容易的溶液方法,并且可以进行低温处理。 通过混合燃料和氧化物材料配合的金属前体引起的自发燃烧反应,可以制造致密且均匀的薄膜。 因此,可以制造具有优异的可靠性的无机薄膜晶体管。

    시클로트리포스파젠계 가교제 및 이를 함유하는 고분자 전해질 조성물
    55.
    发明授权
    시클로트리포스파젠계 가교제 및 이를 함유하는 고분자 전해질 조성물 有权
    基于环四磷杂环丁烷的交联剂和含有它们的聚合物电解质组合物

    公开(公告)号:KR101292835B1

    公开(公告)日:2013-08-05

    申请号:KR1020110038935

    申请日:2011-04-26

    Abstract: 본 발명은 고분자 전해질용 시클로트리포스파젠계 가교제 및 이를 함유하는 고체 고분자 전해질 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 시클로트리포스파젠계 가교제를 함유한 고체 고분자 전해질 조성물은, 낮은 온도에서도 가교제 측쇄의 에틸렌옥사이드 유닛의 결정화를 저하시킴으로써 이온전도도가 크게 향상될 뿐만 아니라, 전기화학적 및 열적 안정성이 우수하므로, 소형 리튬-폴리머 이차전지, 전력평준화용 전력저장장치 및 대용량 리튬-폴리머 이차전지의 고분자 전해질로 유용하게 사용될 수 있다.

    아민 아크릴레이트 화합물을 가교제로 함유하는 겔 고분자 전해질용 조성물 및 이를 이용한 리튬-고분자 이차 전지
    56.
    发明公开
    아민 아크릴레이트 화합물을 가교제로 함유하는 겔 고분자 전해질용 조성물 및 이를 이용한 리튬-고분자 이차 전지 有权
    含有丙烯酸胺化合物的聚合物电解质复合物和使用其的锂聚合物二次电池

    公开(公告)号:KR1020120057168A

    公开(公告)日:2012-06-05

    申请号:KR1020100118790

    申请日:2010-11-26

    Abstract: PURPOSE: A composition for gel polymer electrolyte is provided to prevent the short circuit of a positive electrode and a negative electrode by introducing an amine acrylate compound, thereby improving ion conductivity and electrochemical stability at room temperature. CONSTITUTION: A composition for gel polymer electrolyte contains an amine acrylate compound in chemical formula 1 as a crosslinking agent. In chemical formula 1, m and n is respectively and independently an integer from 0-3, m+n is 3, a composition for a polymer electrolyte contains a crosslinking agent, liquid electrolyte, and cure type initiator. 2-10 weight% of the crosslinking agent, 88-97.9 weight% of the liquid electrolyte, 0.01-2 weight% of the cure type initiator are comprised.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于凝胶聚合物电解质的组合物,以通过引入胺丙烯酸酯化合物来防止正极和负极短路,从而提高室温下的离子传导性和电化学稳定性。 构成:用于凝胶聚合物电解质的组合物含有化学式1中的丙烯酸胺化合物作为交联剂。 在化学式1中,m和n分别为0-3,m + n为3的整数,聚合物电解质组合物含有交联剂,液体电解质和固化型引发剂。 包含2-10重量%的交联剂,88-97.9重量%的液体电解质,0.01-2重量%的固化型引发剂。

    파이렌 화합물이 도입된 전도성 고분자 및 그를 이용한 유기 태양전지
    57.
    发明授权
    파이렌 화합물이 도입된 전도성 고분자 및 그를 이용한 유기 태양전지 有权
    与紫杉烷化合物和有机太阳能电池一起使用的导电聚合物

    公开(公告)号:KR101142207B1

    公开(公告)日:2012-05-08

    申请号:KR1020090118975

    申请日:2009-12-03

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 파이렌 화합물이 도입된 전도성 고분자 및 그를 광전변환재료로 이용한 유기 태양전지에 관한 것이다.
    본 발명은 다양한 종류의 방향족 단량체가 1종 이상 포함된 도너(donor) 작용기만으로 구성된 고분자 또는 도너 작용기에 반복적인 억셉터기(acceptor)를 도입한 도너-억셉터 형태의 고분자에 파이렌 화합물을 특정량 도입함으로써, 정공이동도를 향상시킨 전도성 고분자를 제공함에 따라, 유기 광센서(OPD), 유기발광다이오드(OLED), 유기박막트랜지스터(OTFT), 유기 태양전지 등의 유기 광전자소자용 재료로 활용될 수 있다. 나아가, 본 발명은 파이렌 화합물이 도입된 전도성 고분자를 전자공여체로 활용한 유기 태양전지를 제공함으로써, 높은 에너지변환효율(power conversion efficiency, PCE)을 구현할 수 있다.

    (상기 식에서, X, Y, l, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.)
    유기 태양전지, 파이렌, 전자공여체, 유기광전자소자용 재료, 도너-억셉터

    에틸렌옥시기를 포함하는 메타노플러렌 화합물 및 이를이용한 유기전자소자
    58.
    发明授权
    에틸렌옥시기를 포함하는 메타노플러렌 화합물 및 이를이용한 유기전자소자 有权
    具有乙烯氧基取代基的甲烷富勒烯化合物及其在有机电子学中的应用

    公开(公告)号:KR101043639B1

    公开(公告)日:2011-06-24

    申请号:KR1020080039414

    申请日:2008-04-28

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 메타노플러렌 화합물(methanofullerene) 및 이를 포함하는 유기전자소자에 관한 것이다.
    [화학식 1]

    [A는 플러렌 (fullerene) 유도체로서, C60, C72, C76, C78 또는 C84 이다.]
    본 발명에 따른 신규한 에틸렌옥시기를 포함하는 메타노플러렌 (Ethyleneoxy containing methanofullerene) 화합물은 유기용매에 대한 용해도가 향상되고, 전기화학적으로 전자친화도가 향상되고, 에틸렌옥시기간의 자기조합 (self-organization)이 개선되어 우수한 벌크헤테로정션을 형성함으로써 우수한 광전변환효율을 얻을 수 있다. 또한, 이러한 재료들은 태양광발전 (photovoltaic)의 활성 성분, 유기 박막 트랜지스터(OTFT), OLED 및 유기메모리 소자 등에서 n-형 반도체 재료로서의 용도에 적용이 가능하다.
    에틸렌옥시, 메타노플러렌, acceptor, 전자받게, n-형, 유기반도체, C60, C70, C76, C78, C84, 자기조합, self-organizable

    에어로졸 젯 인쇄법을 이용한 유기태양전지 광활성층의 제조방법
    59.
    发明授权
    에어로졸 젯 인쇄법을 이용한 유기태양전지 광활성층의 제조방법 有权
    使用气溶胶喷射印刷的有机光伏电池光敏层的制备方法

    公开(公告)号:KR100979677B1

    公开(公告)日:2010-09-02

    申请号:KR1020080039370

    申请日:2008-04-28

    Abstract: 본 발명은 에어로졸 젯 인쇄법을 이용한 유기태양전지 광활성층의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 제조된 유기태양전지 광활성층은 광활성층의 결정성을 증가시키고, 다층구조를 손쉽게 적층시킬 수 있어 유기태양전지 공정을 단순화시킬 뿐만 아니라 이를 포함하는 유기태양전지소자의 태양에너지 전환효율을 증가시켜 친환경에너지를 생성하는데 유용하게 사용할 수 있다.

    유기반도체재료, 유기태양전지, 에어로졸 젯, 인쇄

    Abstract translation: 公开了使用气溶胶喷射印刷制造有机光伏电池的光活性层的方法。 有机光电池的光活性层具有高结晶度,容易形成为多层结构,因此简化了有机光伏电池的制造工序。 包括光活性层的有机光伏电池的太阳能转换效率提高,从而有助于生产环保能源。

    신규 테트라티아포르피린 유도체 또는 이의 염, 이의제조방법 및 이의 용도
    60.
    发明公开
    신규 테트라티아포르피린 유도체 또는 이의 염, 이의제조방법 및 이의 용도 有权
    新型四氢吡啶衍生物或其盐,其制备方法及其用途

    公开(公告)号:KR1020090118600A

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:KR1020080044484

    申请日:2008-05-14

    Abstract: PURPOSE: A novel tetrathiaporphyrin derivative or its salt, and a method for preparing the same are provided to stabilize positive electric charge of die cation and absorb near infrared ray(NIR). CONSTITUTION: A tetrathiaporphyrin derivative is denoted by the chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1 is straight or branched alkyl gropu of C1-C10, non-substituted or straight or branched alkyl group of C1-C10, aryl group of C5-C8 substituted with alkoxy group of C1-C10; A method for preparing the tetrathiaporphyrin derivative or its salt comprises: a step of mixing a compound of the chemical formula 2 with a compound of the chemical formula 3 then protecting from the light; a step of adding Lewis acid to prepare a compound of the chemical formula 1a; a step of adding oxidant to the compound of the chemical formula 1a and perchloric acid to produce a compound of the chemical formula 1b; and a step of adding reductant to the compound of the chemical formula 1b to produce a compound of the chemical formula 1c.

    Abstract translation: 目的:提供新型的四硫卟啉衍生物或其盐及其制备方法,以稳定阳离子的正电荷并吸收近红外线(NIR)。 构成:化学式1表示四氮杂卟啉衍生物。化学式1中,R 1为C 1〜C 10的直链或支链烷基,C1-C10的无取代或直链或支链烷基,C5- C8被C1-C10的烷氧基取代; 制备四硫卟啉衍生物或其盐的方法包括:将化学式2的化合物与化学式3的化合物混合,然后从光中保护的步骤; 添加路易斯酸以制备化学式1a的化合物的步骤; 向化学式1a和高氯酸的化合物中加入氧化剂以产生化学式1b的化合物的步骤; 以及向化学式1b的化合物中加入还原剂以制备化学式1c的化合物的步骤。

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