Abstract:
본 발명은 신규 캐소드 버퍼층 소재 및 이를 포함하는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자에 관한 것으로, 본 발명의 신규 화합물을 유기 광전소자, 예를 들어 유기태양전지, 유기포토다이오드, 콜로이드상 양자점 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지 등의 캐소드 버퍼층에 적용할 경우, 상기 신규 화합물의 높은 쌍극자모멘트를 통해 전자 수송층의 표면 특성을 개선하여, 광활성층으로부터 캐소드 전극으로의 전자 추출이 용이하게 되고, 직렬 저항(series resistance) 및 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 효과를 나타내어, 제작되는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자(유기태양전지, 유기포토다이오드, 콜로이드상 양자점 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지 등)의 성능을 현저히 향상시킬 수 있는 바, 산업적으로 유용한 효과가 있다.
Abstract:
절연성, 분산성 및 저항성이 향상된 안료 입자, 이의 제조방법, 안료 입자를 포함하는 유기 잉크, 컬러 필터, 화장품 조성물, 블랙 매트릭스 등에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에서 제공되는 안료 입자는 알루미늄 산화물로 형성되는 코팅층이 존재함으로써 절연성이 우수할 뿐만 아니라, 상기 코팅층 위가 유기 아연화합물, 상기 화학식 1, 또는 화학식 2로 표시되는 화합물로 개질 됨에 따라 분산성과 저항성까지 우수한 효과가 있다.
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본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
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본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 2,7-카바졸기가 함유된 전도성 고분자 및 그를 광전변환재료로 이용한 유기 광기전력 장치에 관한 것이다. 본 발명은 다양한 종류의 방향족 단량체가 1종 이상 포함된 도너(donor) 작용기만으로 구성된 고분자 또는 도너 작용기에 반복적인 억셉터기(acceptor)를 도입한 도너-억셉터 형태의 고분자에 카바졸 화합물을 특정량 도입함으로써, 높은 광자 흡수능을 가질 뿐만 아니라 정공 이동도를 향상시킨 전도성 고분자를 제공함에 따라, 유기박막트랜지스터(OTFT), 유기발광다이오드(OLED)용 광전변환재료로 활용될 수 있다. 나아가, 본 발명은 카바졸 화합물이 도입된 전도성 고분자를 전자공여체로 활용한 유기 광기전력 장치를 제공함으로써, 유기박막 태양전지의 높은 광전변환효율을 구현할 수 있다.
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본 발명의 목적은 QD-LED 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 QD-LED 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 투명 캐소드 전극층; 상기 투명 캐소드 전극층 상에 배치되고, 상기 유기화합물 1 또는 상기 유기화합물 2를 포함하는 표면개질층; 상기 표면개질층 상에 배치되는 전자수송층; 상기 전자수송층 상에 배치되는 퀀텀닷 발광층; 상기 퀀텀닷 발광층 상에 배치되는 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 배치되는 정공주입층; 및 상기 정공주입층 상에 배치되는 에노드 전극층을 포함하는 QD-LED 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, QD-LED 소자의 투명 캐소드 전극층과 전자수송층 사이에 표면개질층이 포함되어, 소자의 전기적 및 광학적 특성이 크게 개선되는 효과가 있다.
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본 발명은 신규 고분자 화합물 및 이를 포함하는 태양전지 또는 광 검출용 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물은 약한 주개(weak donor)-약한 받개(weak acceptor) 구조를 형성하여 유기 태양전지 또는 유기 광검출기로 사용할 수 있다. 상기 신규 고분자 화합물은 주개 부분에 불소화 및 받개 부분에 알콕시 치환으로부터, 각각 약한 주개 및 약한 받개 특성을 나타낸다. 상기 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물의 약한 주개- 약한 받개 구조는 종래의 전형적인 주개-받개 구조와 비교하여 효과적으로 밴드 갭(band gab)을 증가시키고, 상기 유도체의 적절한 위치에 불소 및 산소 원자를 도입함으로써 우수한 π-π 오비탈 겹침을 유도하여, 전체 고분자의 평면성을 크게 향상시킬 수 있고, 이로부터, 상기 본 발명에 따른 고분자 화합물은 필름으로 제조되어 P3HT와 유사한 흡수 스펙트럼을 나타내고, P3HT(-5.06 eV) 보다 낮은 HOMO 에너지(-5.57 eV)를 나타낸다. 이러한 낮은 HOMO 수치로부터, 종래보다 향상된 전력전환 효율을 나타낼 수 있다. 유기 광 검출기에 있어서, 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물의 S-F 및 S-O 쌍극자-쌍극자 상호작용은 일정한 광감응도(responsivity)를 유지시켜주고, 심지어 470 nm의 두꺼운 광 활성층에서도 우수한 광 검출능을 나타낸다. 특히, 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물은 직렬 구조의 전지와 같은 유기 태양전지 및 X-선 검출기와 같은 광 검출기로 유용하게 사용될 수 있다.
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본 발명은 제1 정공수송부위(hole transporting fragment)를 포함하는 제1 단위체와 제2 정공수송부위를 포함하고 가교결합이 가능한 이중결합을 하나 이상 포함하는 제2 단위체를 포함하는 고분자 정공수송물질(hole transporting material) 및 티올기를 2개 이상 포함하는 가교제를 포함하는 정공수송층(hole transporting layer; HTL) 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은 적층된 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기반도체소자의 제조방법에 있어서, 가교결합이 가능한 이중결합을 2개 이상 포함하는 제1 유기반도체 물질 및 티올기를 2개 이상 포함하는 가교제를 포함하는 제1 유기층 조성물을 도포하는 제1단계; 빛 또는 열을 가하여 가교시키는 제2단계; 상기 형성된 제1 유기층 위에 용액 형태의 제2 유기층 조성물을 도포하는 제3단계를 포함하는, 유기반도체소자의 제조방법을 제공한다.
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본 발명의 목적은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
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본 발명은 폴리실라잔(Polysilazane) 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터용 유전체 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 폴리실리잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터용 유전체 조성물은 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 재료로 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 조성물은 용액공정을 통해 박막 트랜지스터 게이트 절연막을 제조할 수 있어 간단한 스핀 코팅법 등의 방법으로 박막으로의 제조가 용이하고, 저온공정이 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 조성물을 통해 제조된 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터는 전기적 성능 및 신뢰도가 우수한 효과가 있다. 나아가, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물을 사용하여 박막 트랜지스터의 산화물 반도체를 형성하기 때문에 더욱 전기적 성능이 우수한 박막 트랜지스터를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 절연막과 마찬가지로 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있다.