신규 캐소드 버퍼층 소재, 및 이를 포함하는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자

    公开(公告)号:WO2020017739A1

    公开(公告)日:2020-01-23

    申请号:PCT/KR2019/004803

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 본 발명은 신규 캐소드 버퍼층 소재 및 이를 포함하는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자에 관한 것으로, 본 발명의 신규 화합물을 유기 광전소자, 예를 들어 유기태양전지, 유기포토다이오드, 콜로이드상 양자점 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지 등의 캐소드 버퍼층에 적용할 경우, 상기 신규 화합물의 높은 쌍극자모멘트를 통해 전자 수송층의 표면 특성을 개선하여, 광활성층으로부터 캐소드 전극으로의 전자 추출이 용이하게 되고, 직렬 저항(series resistance) 및 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 효과를 나타내어, 제작되는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자(유기태양전지, 유기포토다이오드, 콜로이드상 양자점 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지 등)의 성능을 현저히 향상시킬 수 있는 바, 산업적으로 유용한 효과가 있다.

    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    3.
    发明申请
    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 审中-公开
    无机半导体墨水组合物和无机半导体薄膜使用其制造

    公开(公告)号:WO2012141535A2

    公开(公告)日:2012-10-18

    申请号:PCT/KR2012/002831

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及无机半导体油墨组合物和通过使用它们制造的无机半导体薄膜。 特别地,无机半导体油墨组合物包括氧化锌前体溶液,氧化锌纳米颗粒和分散溶剂,其特征在于,氧化锌纳米颗粒的量为基于0.1重量%至50重量% 在氧化锌前体溶液上。 无机半导体油墨组合物可以用作晶体管器件的沟道材料,因此可以获得具有改进的性能的无机薄膜晶体管。 此外,由于组合物适用于液体工艺,因此制造薄膜容易,并且可以进行低温处理。 由于氧化锌前体溶液和氧化锌纳米颗粒混合,所以可以制造出紧凑且均匀的薄膜。 因此,可以获得具有良好可靠性的无机薄膜晶体管。

    카바졸이 함유된 전도성 고분자 및 그를 이용한 유기 광기전력 장치
    4.
    发明申请
    카바졸이 함유된 전도성 고분자 및 그를 이용한 유기 광기전력 장치 审中-公开
    含有咔唑的导电聚合物和使用其的有机光电器件

    公开(公告)号:WO2010117158A2

    公开(公告)日:2010-10-14

    申请号:PCT/KR2010/001957

    申请日:2010-03-31

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 2,7-카바졸기가 함유된 전도성 고분자 및 그를 광전변환재료로 이용한 유기 광기전력 장치에 관한 것이다. 본 발명은 다양한 종류의 방향족 단량체가 1종 이상 포함된 도너(donor) 작용기만으로 구성된 고분자 또는 도너 작용기에 반복적인 억셉터기(acceptor)를 도입한 도너-억셉터 형태의 고분자에 카바졸 화합물을 특정량 도입함으로써, 높은 광자 흡수능을 가질 뿐만 아니라 정공 이동도를 향상시킨 전도성 고분자를 제공함에 따라, 유기박막트랜지스터(OTFT), 유기발광다이오드(OLED)용 광전변환재료로 활용될 수 있다. 나아가, 본 발명은 카바졸 화합물이 도입된 전도성 고분자를 전자공여체로 활용한 유기 광기전력 장치를 제공함으로써, 유기박막 태양전지의 높은 광전변환효율을 구현할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及包含由下式(1)表示的2,7-咔唑基团的导电聚合物和使用其作为光电转换材料的有机光电装置。 本发明涉及具有包含至少一种芳族单体的供体官能团的聚合物或具有引入供体官能团的重复受体的供体 - 受体聚合物, 通过提供不仅具有高光子吸收容量而且具有改善的空穴迁移率的导电聚合物,本发明可以用作用于有机薄膜晶体管(OTFT)和有机发光二极管(OLED)的光电转换材料。 此外,本发明通过提供使用其中引入咔唑化合物的导电聚合物作为电子给体的有机光伏器件,可以实现有机薄膜太阳能电池的高光电转换效率。

    QD-LED(QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE) 소자 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:WO2023063603A1

    公开(公告)日:2023-04-20

    申请号:PCT/KR2022/014000

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 본 발명의 목적은 QD-LED 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 QD-LED 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 투명 캐소드 전극층; 상기 투명 캐소드 전극층 상에 배치되고, 상기 유기화합물 1 또는 상기 유기화합물 2를 포함하는 표면개질층; 상기 표면개질층 상에 배치되는 전자수송층; 상기 전자수송층 상에 배치되는 퀀텀닷 발광층; 상기 퀀텀닷 발광층 상에 배치되는 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 배치되는 정공주입층; 및 상기 정공주입층 상에 배치되는 에노드 전극층을 포함하는 QD-LED 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, QD-LED 소자의 투명 캐소드 전극층과 전자수송층 사이에 표면개질층이 포함되어, 소자의 전기적 및 광학적 특성이 크게 개선되는 효과가 있다.

    신규 고분자 화합물 및 이를 포함하는 태양전지 또는 광 검출용 장치
    7.
    发明申请
    신규 고분자 화합물 및 이를 포함하는 태양전지 또는 광 검출용 장치 审中-公开
    一种新颖的聚合物化合物以及包含该化合物的太阳能电池或光电探测器

    公开(公告)号:WO2018062879A1

    公开(公告)日:2018-04-05

    申请号:PCT/KR2017/010777

    申请日:2017-09-28

    CPC classification number: C08G61/12 C08L65/00 H01L51/42 H01L51/50 Y02E10/549

    Abstract: 본 발명은 신규 고분자 화합물 및 이를 포함하는 태양전지 또는 광 검출용 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물은 약한 주개(weak donor)-약한 받개(weak acceptor) 구조를 형성하여 유기 태양전지 또는 유기 광검출기로 사용할 수 있다. 상기 신규 고분자 화합물은 주개 부분에 불소화 및 받개 부분에 알콕시 치환으로부터, 각각 약한 주개 및 약한 받개 특성을 나타낸다. 상기 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물의 약한 주개- 약한 받개 구조는 종래의 전형적인 주개-받개 구조와 비교하여 효과적으로 밴드 갭(band gab)을 증가시키고, 상기 유도체의 적절한 위치에 불소 및 산소 원자를 도입함으로써 우수한 π-π 오비탈 겹침을 유도하여, 전체 고분자의 평면성을 크게 향상시킬 수 있고, 이로부터, 상기 본 발명에 따른 고분자 화합물은 필름으로 제조되어 P3HT와 유사한 흡수 스펙트럼을 나타내고, P3HT(-5.06 eV) 보다 낮은 HOMO 에너지(-5.57 eV)를 나타낸다. 이러한 낮은 HOMO 수치로부터, 종래보다 향상된 전력전환 효율을 나타낼 수 있다. 유기 광 검출기에 있어서, 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물의 S-F 및 S-O 쌍극자-쌍극자 상호작용은 일정한 광감응도(responsivity)를 유지시켜주고, 심지어 470 nm의 두꺼운 광 활성층에서도 우수한 광 검출능을 나타낸다. 특히, 본 발명에 따른 신규 고분자 화합물은 직렬 구조의 전지와 같은 유기 태양전지 및 X-선 검출기와 같은 광 검출기로 유용하게 사용될 수 있다.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种太阳能电池或用于容纳和这种新的聚合物化合物的光检测装置,但本发明的新颖聚合化合物是一种弱供体(弱供体) - 弱受体(弱受体) 结构可以用作有机太阳能电池或有机光电探测器。 新颖的聚合物化合物分别由供体位点的氟化和受体部分的烷氧基取代表现出弱淀粉和弱受体性质。 代替衍生物来增加带隙(带GAB)有效地相比于受体的结构和通过引入氟原子和氧原子的 - 根据本发明的弱受体结构是常规的典型的供体的新型聚合物化合物的弱供体 根据本发明的聚合物被制成薄膜并表现出与P3HT相似的吸收光谱,P3HT(-5.06eV) Gt; HOMO能量(-5.57eV)。 从这个低的HOMO值,与现有技术相比,可以表现出改进的功率转换效率。 在有机光检测器,所述新的高分子量化合物的S-F和S-O偶极子根据本发明 - 偶极相互作用是给保持恒定的光灵敏度(响应),甚至它示出了在470纳米厚的光学活性层优异的光感测能力。 特别地,根据本发明的新型聚合物化合物可以有用地用于光电探测器,例如有机太阳能电池和X射线探测器,例如串联结构的电池。

    가교결합이 가능한 이중결합을 포함하는 고분자 정공수송물질 및 티올기를 2개 이상 포함하는 가교제를 포함하는 정공수송층 조성물 및 이의 용도
    8.
    发明申请
    가교결합이 가능한 이중결합을 포함하는 고분자 정공수송물질 및 티올기를 2개 이상 포함하는 가교제를 포함하는 정공수송층 조성물 및 이의 용도 审中-公开
    包含聚合物孔输送材料的孔输送层组合物,包括可交换双键和交联剂,包括两个或更多个硫醇基团及其用途

    公开(公告)号:WO2015084090A1

    公开(公告)日:2015-06-11

    申请号:PCT/KR2014/011896

    申请日:2014-12-05

    CPC classification number: H01L51/0039 H01L51/0035 H01L51/5056

    Abstract: 본 발명은 제1 정공수송부위(hole transporting fragment)를 포함하는 제1 단위체와 제2 정공수송부위를 포함하고 가교결합이 가능한 이중결합을 하나 이상 포함하는 제2 단위체를 포함하는 고분자 정공수송물질(hole transporting material) 및 티올기를 2개 이상 포함하는 가교제를 포함하는 정공수송층(hole transporting layer; HTL) 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은 적층된 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기반도체소자의 제조방법에 있어서, 가교결합이 가능한 이중결합을 2개 이상 포함하는 제1 유기반도체 물질 및 티올기를 2개 이상 포함하는 가교제를 포함하는 제1 유기층 조성물을 도포하는 제1단계; 빛 또는 열을 가하여 가교시키는 제2단계; 상기 형성된 제1 유기층 위에 용액 형태의 제2 유기층 조성물을 도포하는 제3단계를 포함하는, 유기반도체소자의 제조방법을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种空穴传输层(HTL)组合物,其包括:聚合物空穴传输材料,其包含具有第一空穴传输片段的第一单体和具有第二空穴传输片段和一个或多个可交联双键的第二单体; 和包含两个或更多个硫醇基团的交联剂。 此外,本发明提供了一种制造包括一层或多层堆叠有机层的有机半导体器件的方法,所述方法包括:施加第一有机层组合物的第一步骤,所述第一有机层组合物包含具有两个或更多个可交联双键的第一有机半导体材料 和具有两个或更多个硫醇基团的交联剂; 通过向其施加光或加热来交联第一有机层组合物的第二步骤; 以及在所形成的第一有机层上施加溶液型第二有机层组合物的第三步骤。

    자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    9.
    发明申请
    자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 审中-公开
    印度 - 氧化锌半导体墨水组合物,其具有自发的燃烧反应和无机半导体薄膜生产

    公开(公告)号:WO2014092414A1

    公开(公告)日:2014-06-19

    申请号:PCT/KR2013/011357

    申请日:2013-12-09

    Abstract: 본 발명의 목적은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种发生自发燃烧反应的铟 - 锌 - 氧化物半导体油墨组合物,并提供由其制成的无机半导体薄膜。 为此,本发明提供了一种半导体油墨组合物,其包含由式1表示的络合物,其中掺入作为氧化材料的金属A的硝酸盐并且掺入作为燃料的金属B; 其中金属A和金属B分别为选自铟,镓,锌,钛,铝,锂和锆的金属,金属A和金属B彼此不同。 根据本发明,可以使用其中发生自燃反应的铟 - 锌 - 氧化物半导体油墨组合物和由此产生的无机半导体薄膜作为晶体管元件的沟道材料,因此可以生产无机薄膜 具有改进的电性能的薄膜晶体管。 此外,本发明适用于溶液处理,因此易于生产作为薄膜并且能够进行低温处理,并且可以生产由于在混合两种金属前体而发生的自发燃烧反应而致密且均匀的薄膜 与燃料材料和氧化材料配合。

    폴리실라잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 게이트 절연막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
    10.
    发明申请
    폴리실라잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 게이트 절연막 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 审中-公开
    包含多晶硅化合物的薄膜晶体管的栅绝缘膜和包含其的薄膜晶体管

    公开(公告)号:WO2016032212A1

    公开(公告)日:2016-03-03

    申请号:PCT/KR2015/008887

    申请日:2015-08-25

    CPC classification number: C08L83/14 C08L83/16 H01L51/00

    Abstract: 본 발명은 폴리실라잔(Polysilazane) 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터용 유전체 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 폴리실리잔 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터용 유전체 조성물은 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 재료로 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 조성물은 용액공정을 통해 박막 트랜지스터 게이트 절연막을 제조할 수 있어 간단한 스핀 코팅법 등의 방법으로 박막으로의 제조가 용이하고, 저온공정이 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 조성물을 통해 제조된 게이트 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터는 전기적 성능 및 신뢰도가 우수한 효과가 있다. 나아가, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 자발적 연소 반응이 발생하는 인듐아연 산화물계 반도체 잉크 조성물을 사용하여 박막 트랜지스터의 산화물 반도체를 형성하기 때문에 더욱 전기적 성능이 우수한 박막 트랜지스터를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 절연막과 마찬가지로 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 연료재료와 산화재료가 배위된 두 금속 전구체를 혼합함으로써 발생하는 자발적인 연소반응에 의하여 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种含有聚硅氮烷化合物的薄膜晶体管用电介质组合物。 根据本发明的含有聚硅氮烷化合物的薄膜晶体管的电介质组合物可用作薄膜晶体管的栅极绝缘膜的材料。 根据本发明的组合物具有能够通过溶液法制造薄膜晶体管的栅极绝缘膜,从而通过简单的旋涂等容易地制造为薄膜的效果,以及 允许低温过程。 此外,包括通过根据本发明的组合物制造的栅极绝缘膜的薄膜晶体管具有优异的电性能和可靠性。 此外,在本发明的薄膜晶体管的制造方法中,使用产生自发燃烧反应的氧化铟锌系半导体油墨组合物形成薄膜晶体管的氧化物半导体,由此形成薄膜晶体管 具有更优异的电气性能可以制造; 该组合物适合于在栅极绝缘膜中的溶液工艺中,因此可以容易地制造薄膜,并且允许低温工艺; 并且通过混合燃料和氧化材料配位的两种金属前体产生的自发燃烧反应,可以形成致密且均匀的薄膜。

Patent Agency Ranking