パターン形成方法及びパターン化された基板

    公开(公告)号:JP2020061552A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:JP2019184776

    申请日:2019-10-07

    Abstract: 【課題】整列配向性に優れた自己組織化による相分離構造を形成し、この優れた相分離構造を用いることにより、良好なパターンを有する基板を提供する。 【解決手段】ケイ素含有膜形成工程と、第1重合体を含むプレパターン103を形成する工程と、第2重合体を含む下層膜104を形成する工程と、第3重合体及び溶媒を含有する自己組織化膜形成用組成物106を塗工する工程と、相分離工程と、自己組織化膜の少なくとも一部の相を除去する工程と、エッチング工程とを備えるパターン形成方法であって、第1重合体が第1構造単位を有する重合体であり、第2重合体が第1構造単位及び第1構造単位とは異なる第2構造単位を有する分子鎖と、この分子鎖の一方の末端に結合しアミノ基、ヒドロキシ基及びカルボキシ基の少なくともいずれかを含む末端構造とを有する重合体であり、第3重合体が、第1構造単位のブロック及び第2構造単位のブロックを有する。 【選択図】図5

    感放射線性組成物、パターン形成方法及び感放射線性酸発生剤

    公开(公告)号:JPWO2017094479A1

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:JP2016083609

    申请日:2016-11-11

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0045 G03F7/0397 G03F7/2059

    Abstract: 感度及びナノエッジラフネス性能に優れる感放射線性組成物、パターン形成方法及び感放射線性酸発生剤の提供を目的とする。本発明は、酸解離性基を含む第1構造単位を有する第1重合体、及び金属カチオンと、酸の共役塩基である第1アニオンとを含む第1化合物を含有し、上記酸のpKaが0以下である感放射線性組成物である。上記酸は、スルホン酸、硝酸、有機アジン酸、ジスルホニルイミド酸又はこれらの組み合わせが好ましい。上記第1化合物は下記式(1)で表されることが好ましい。下記式(1)中、Mは、金属カチオンである。Aは、上記第1アニオンである。xは、1〜6の整数である。R 1 は、σ配位子である。yは、0〜5の整数である。但し、x+yは6以下である。上記酸のファンデルワールス体積は、2.5×10 −28 m 3 以上が好ましい。

    レジストパターン形成方法及び化学増幅型感放射線性樹脂組成物
    59.
    发明专利
    レジストパターン形成方法及び化学増幅型感放射線性樹脂組成物 审中-公开
    的抗蚀剂图案形成方法以及化学增强辐射敏感树脂组合物

    公开(公告)号:JP2017045044A

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:JP2016154090

    申请日:2016-08-04

    Abstract: 【課題】高い感度でナノエッジラフネスが小さく高解像度のレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、酸の作用により現像液への溶解性が変化する第1成分、第1波長の放射線を含む第1露光光の作用により酸を発生する第2成分、並びに第1露光光の作用により増感体に変化する増感体前駆体を含有する化学増幅型感放射線性樹脂組成物を用いて基板にレジスト膜を形成する工程と、第1露光光でレジスト膜を露光する第1露光工程と、第1波長よりも長い第2波長の放射線を含む第2露光光でレジスト膜を露光する第2露光工程と、有機溶媒を主成分とする現像液で第2露光光で露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、増感体前駆体の第2波長における吸光度を(I PP )、増感体の第2波長における吸光度を(I P )としたときの(I PP )/(I P )の値が0.2以下であるレジストパターン形成方法である。 【選択図】なし

    Abstract translation: 一种纳米边缘粗糙度和高灵敏度,并提供一种抗蚀剂图案形成能够形成小的高分辨率的抗蚀图形的方法。 本发明涉及,显示出改变的溶解度在显影溶液中酸的作用下第一部件,第二部件由所述第一曝光光包括第一波长的辐射的作用下产生酸,并且所述第一 使用含有通过曝光光线的作用改变敏化剂的敏化剂前体的化学增强辐射敏感树脂组合物在基板上形成抗蚀剂膜,露出在第一曝光光在抗蚀剂膜 第一曝光工序和上述抗蚀剂膜与含第二波长比所述第一波长长的辐射的第二曝光的光曝光的第二曝光步骤中,用显影液第二曝光光主要由有机溶剂的 在显影曝光的抗蚀剂膜的步骤,(IPP)的吸光度在敏化剂前体(IPP),吸光度在敏化剂(IP)和时间的所述第二波长的第二波长 (IP)/的值是形成方法的抗蚀剂图案为0.2或更小。 系统技术领域

    パターン形成用組成物、パターン形成方法及びブロック共重合体の製造方法
    60.
    发明专利
    パターン形成用組成物、パターン形成方法及びブロック共重合体の製造方法 有权
    用于形成图案的组合物,形成图案的方法和用于生产嵌段共聚物的方法

    公开(公告)号:JP2015189951A

    公开(公告)日:2015-11-02

    申请号:JP2014070375

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 【課題】相分離構造における欠陥抑制性及びパターン形状の矩形性に優れるパターン形成用組成物及びパターン形成方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、互いに異なる第1ブロック及び第2ブロック、並びにこの第1ブロック及び第2ブロックの間に、芳香環を有さない炭素数1以上50以下の連結部位を有するブロック共重合体、並びに溶媒を含有するパターン形成用組成物である。上記ブロック共重合体の連結部位が、反応性が互いに異なる2つの炭素−ハロゲン結合を有する炭素数1以上50以下の化合物に由来するとよい。上記ブロック共重合体は上記第1ブロックのブロック共重合の重合停止剤として上記化合物を用い、得られた重合体を上記第2ブロックのブロック共重合の重合停止剤として用いることにより得られるとよい。 【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于形成图案的组合物,其在相分离结构中的缺陷抑制性能和图案形状的矩形性方面优异,并且提供形成图案的方法。解决方案:提供 一种用于形成图案的组合物,其包含:第一和第二嵌段之间包含彼此不同的第一嵌段和第二嵌段的嵌段共聚物和具有1-50个碳原子且不具有芳香环的连接部分; 和溶剂。 嵌段共聚物的连接部分优选衍生自具有两个具有相互不同的反应性质的碳 - 卤键的碳原子数为1〜50的化合物。 嵌段共聚物优选通过使用该化合物作为第一嵌段的嵌段共聚的聚合终止剂,并且通过使用所得聚合物作为第二嵌段的嵌段聚合的聚合终止剂来获得。

Patent Agency Ranking