公开(公告)号：CN100565729C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610099621.5

申请日：2006-04-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 室泽贵子 ,  宫内真理 ,  野口和则 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

Abstract: 一种制造具有内部电极层和厚度小于2μm的电介质层的积层陶瓷电子部件的方法。该方法具有烧结积层体的工序，所述积层体使用包含电介质糊料用电介质原料的电介质层用糊料和包含烧结抑制用电介质原料的内部电极层用糊料而形成。所述电介质层用糊料中的电介质糊料用电介质原料包含主成分原料和副成分原料，所述内部电极层用糊料中的烧结抑制用电介质原料至少包含烧结抑制用主成分原料。该烧结抑制用主成分原料与在所述电介质糊料用电介质原料所含的主成分原料是基本上相同的组成体系，而且具有超过3.991而小于4.064的晶格常数。

公开(公告)号：CN100565726C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200510081355.9

申请日：2005-06-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊東和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的叠层型陶瓷电容器的构成为，在构成电介质层的结晶粒子中使第1稀土族元素(R1)和第2稀土族元素(R2)分别扩散，在平均粒径的结晶粒子中，相对于结晶粒子的直径D，第1稀土族元素(R1)距结晶粒子表面的扩散层深度d1所占比例为X1(%)、且相对于结晶粒子的直径D，第2稀土族元素(R2)距结晶粒子表面的扩散层深度d2所占比例为X2(%)时，第2稀土族元素(R2)的扩散层深度d2比第1稀土族元素(R1)的扩散层深度d1扩及更深部，X1＝10～35%、且X2＞X1(与d2＞d1意义相同)的关系成立，因此作为容量经时变化指标的容量温度特性满足EIA标准X8R特性(-55～150℃，ΔC/C＝±15%以内)，且在加速试验中电阻变化率小(IR平均寿命长)、可靠性优良。

公开(公告)号：CN100557734C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200510081138.X

申请日：2005-06-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊東和重 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706

Abstract: 本发明的叠层型陶瓷电容器具有：含有钛酸钡的主成分、和含有选自MgO、CaO、BaO、和SrO的至少1种的第1副成分、和含有二氧化硅为主成分的第2副成分、和含有选自V2O5、MoO3和WO3的至少1种的第3副成分、和含有选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu的至少1种的第1稀土族元素(R1)氧化物的第4副成分、和含有CaZrO3或CaO和ZrO2混合物(CaO+ZrO2)的第5副成分，并如下构成：在构成上述电介质层的结晶粒子中使Zr扩散，在平均粒径的结晶粒子中，Zr的扩散层深度相对于结晶粒子的直径至10～35%的深度，因此作为容量的经时变化指标的容量温度特性满足EIA标准X8R特性(-55～150℃，ΔC/C＝±15%以内)，且在加速试验中电阻变化率小(平均寿命长)、可靠性优良。

公开(公告)号：CN100556853C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710089361.8

申请日：2007-03-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： M·柳田 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法：含有钛酸钡的主成分、含有R1的氧化物(其中，R1为选自9配位时的有效离子半径不到108pm的稀土元素中的至少一种)的第4副成分、含有R2的氧化物(其中，R2为选自9配位时的有效离子半径为108pm～113pm的稀土元素中的至少一种)的第5副成分，其具有下述工序：使主成分原料与第4副成分和/或第5副成分的原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向反应过的原料中添加其余的第4和第5副成分的原料的工序，在最终得到的电介质陶瓷组合物中，R1的摩尔数M1与R2的摩尔数M2之比(M1/M2)在4＜M1/M2≤100的范围。根据本发明，可提供即使将电介质层薄层化，也可兼顾相对介电常数和容量温度特性的电介质陶瓷组合物及其制造方法。

公开(公告)号：CN100550235C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610079378.0

申请日：2006-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  上田要 ,  金慎太郎 ,  佐藤新 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00 ,  C04B35/64

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49126

Abstract: 本发明为制造具有层间厚度为5μm或以下的电介质层和含贱金属的内部电极层的叠层陶瓷电子部件的方法。其是在还原性气氛中，烧结交替配置100层或100层以上的电介质层用糊料和含贱金属的内部电极层用糊料而成的叠层体，然后进行退火处理。在氧分压P3大于2.9×10-39Pa且小于6.7×10-24Pa的强还原性气氛中，大于300℃且小于600℃的保持温度T3下对该退火处理后的叠层体进行第1热处理。在氧分压P4大于1.9×10-Pa小于4.1×10-3Pa的气氛中，大于500℃且小于1000℃的保持温度T4下对该第1热处理后的叠层体进行第2热处理。

公开(公告)号：CN100520984C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610059224.5

申请日：2006-01-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物，其特征在于包含：含有Ba、Ca和Ti，且含有具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分；和含有Zr化合物的第4副成分，并且相对于100摩尔的上述主成分，以Zr换算，上述第4副成分的含量大于0摩尔、不足5摩尔。优选上述电介质陶瓷组合物具有偏析相，且在上述偏析相中，含有Zr化合物。

公开(公告)号：CN100511506C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510087852.X

申请日：2005-06-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  岩永大介 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供了一种陶瓷电子部件，是具有电介质层的陶瓷电子部件，所述电介质层含有包含(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3系材料的主成份、以及包含Si氧化物的副成份，相对于电介质层总体，所述Si氧化物的含量为0～0.4重量%(其中，不含0)，优选所述电介质层具有偏析层，所述偏析层含有Si氧化物，且实质上不含有Li氧化物。根据本发明，能够提供一种IR不良率(初始绝缘电阻不良率)低，高温负荷寿命好、可靠性高的陶瓷电容器等的陶瓷电子部件。

公开(公告)号：CN100434393C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610079430.2

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  H01L41/187 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物，其至少包含：含有钛酸钡的主成分，包含选自MgO、CaO、BaO和SrO的至少1种的第1副成分，包含选自Al2O3、Li2O和B2O3的至少1种的第2副成分，包含选自V2O5、MoO3和WO3的至少1种的第3副成分，包含R1氧化物(其中，R1为选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu的至少1种)的第4副成分，和包含CaZrO3或CaO+ZrO2的第5副成分。

公开(公告)号：CN101054293A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710100649.0

申请日：2007-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小岛畅 ,  M·柳田 ,  原治也 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6588 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，该电介质陶瓷组合物包括含钛酸钡的主成分和含R氧化物的第四副成分，所述钛酸钡由组成式BamTiO2+m表示，所述组成式中的m满足以下关系：0.990＜m＜1.010，所述R是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu之中的至少一种，其中包括所述主成分的原料与所述第四副成分的原料的至少一部分预先反应，获得已反应原料的工序。根据本发明，可以提供一种电介质陶瓷组合物及其制造方法，其能够提高相对介电常数，而其它电气特性(例如静电容量的温度特性、绝缘电阻、绝缘电阻的加速寿命、介电损耗)不发生恶化。

公开(公告)号：CN101034600A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086092.X

申请日：2007-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原治也 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  H01B1/14 ,  C04B35/468 ,  H01B1/16 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/40 ,  C01P2006/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的是对于层积陶瓷电子部件，抑制裂纹的发生，提高制造成品率。对于电介质陶瓷层和内部电极层交互层积而成的层积陶瓷电子部件，作为添加到用来形成内部电极层的导电浆中的陶瓷粉末，使用具有钙钛矿型晶体构造，并且正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比Wt/Wc小于2的陶瓷粉末。正方晶相和立方晶相的重量比Wt/Wc是由利用Rietveld法的多相解析求出的。陶瓷粉末例如是钛酸钡粉末。