BROUILLAGE D'UN CALCUL METTANT EN OEUVRE UNE FONCTION MODULAIRE
    51.
    发明申请
    BROUILLAGE D'UN CALCUL METTANT EN OEUVRE UNE FONCTION MODULAIRE 审中-公开
    使用模块化函数加密计算的方法

    公开(公告)号:WO2002088934A1

    公开(公告)日:2002-11-07

    申请号:PCT/FR2002/001491

    申请日:2002-04-29

    CPC classification number: G06F7/72 G06F21/755 G06F2207/7247

    Abstract: L'invention concerne un procédé de brouillage, au moyen d'une quantité aléatoire (r), d'un calcul mettant en oeuvre au moins une opération modulaire (3), le procédé consistant à multiplier un premier modulo (n) par ladite quantité aléatoire, à prendre comme modulo de l'opération, le résultat (m) de cette multiplication et à effectuer une réduction modulaire du résultat de l'opération, sur la base du premier modulo (n).

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用至少模块化操作(3)以随机数(r)加密计算的方法,所述方法包括将第一模(n)乘以所述随机数,以模数 操作,所述乘法的结果(m)和基于第一模(n)执行操作结果的模块化减少。

    SYSTEME ET PROCEDE DE CONTROLE D'ACCES A DES DONNEES PROTEGEES STOCKEES DANS UNE MEMOIRE
    52.
    发明申请
    SYSTEME ET PROCEDE DE CONTROLE D'ACCES A DES DONNEES PROTEGEES STOCKEES DANS UNE MEMOIRE 审中-公开
    用于控制在存储单元中存储的保护数据的控制的系统和方法

    公开(公告)号:WO2002082241A1

    公开(公告)日:2002-10-17

    申请号:PCT/FR2002/001143

    申请日:2002-04-02

    CPC classification number: G06F21/79 G06F12/1466

    Abstract: Le contrôle d'accès à des données protégées stockées dans une mémoire, notamment une mémoire figée du type ROM, est mis en oeuvre avec des moyens de mémorisation (2) ayant une zone protégée (2a) de mémorisation des données protégées et une entrée de commande (CS; CS-R) permettant de bloquer ou d'autoriser l'accès à ces données, et avec des moyens de validation (4) pour contrôler une demande d'accès aux données protégées en agissant sélectivement sur l'entrée de commande. Le système intègre une clé interne, stockée par exemple dans la zone protégée, et comprend des moyens d'entrée d'une clé d'entrée fournie depuis l'extérieur, les moyens de validation (4) autorisant l'accès aux données protégées que lorsqu'il y a concordance entre la clé interne et la clé d'entrée.

    Abstract translation: 利用具有用于存储受保护数据的保护区(2a)的存储装置(2)和用于存储受保护数据的命令输入(CS,CS-R)来实现对存储在存储单元中,特别是只读存储器中的受保护数据的访问控制 拒绝或授权访问所述数据,以及验证装置(4),用于通过有选择地对命令输入进行控制来控制对受保护数据的访问请求。 该系统包括存储在例如保护区域中的内部密钥,并且包括用于输入从外部提供的输入密钥的装置,所述验证装置(4)在内部密钥和输入之间存在一致性时授权访问受保护的数据 键。

    CIRCUIT DE NORMALISATION A TENSION D'ERREUR REDUITE
    53.
    发明申请
    CIRCUIT DE NORMALISATION A TENSION D'ERREUR REDUITE 审中-公开
    具有降低误差电压的正常化电路

    公开(公告)号:WO2002065637A1

    公开(公告)日:2002-08-22

    申请号:PCT/FR2002/000510

    申请日:2002-02-11

    CPC classification number: H03G1/0088

    Abstract: L'invention concerne un circuit pour normaliser un signal de tension. Le circuit comprend un premier convertisseur tension-courant (1) recevant le signal à normaliser (V) et une tension de référence (V0) et fournissant un courant proportionnel à la différence de tension entre la tension du signal à normaliser et la tension de référence, un premier amplificateur de courant (5) attaqué par le premier convertisseur tension-courant, un deuxième convertisseur tension-courant (1') recevant une tension de réglage (Vreg) et la tension de référence (V0) et fournissant un courant proportionnel à la différence de tension entre la tension de réglage et la tension de référence, un deuxième amplificateur de courant (5') attaqué par le deuxième convertisseur tension-courant, et au moyen (7, 9) pour fournir un signal de tension normalisé à partir de la différence des courants fournis par les premier et deuxième amplificateurs de courant.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于对电压信号进行归一化的电路。 该电路包括接收待归一化信号(V)的第一电压 - 电流转换器(1)和参考电压(V0),并提供与待归一化信号的电压和标准电压之间的电压差成比例的电流 由第一电压 - 电流转换器驱动的第一电流放大器(5),接收调节电压(Vreg)和参考电压(V0)的第二电压 - 电流转换器(1'),并提供与电压差成比例的电流 在所述调整电压和所述参考电压之间,由所述第二电压 - 电流转换器驱动的第二电流放大器(5')和用于基于由所述第一和第二电压电流提供的电流差提供归一化电压信号的装置(7,9) 第二电流放大器。

    Protection of memory areas
    56.
    发明授权
    Protection of memory areas 有权
    保护记忆区

    公开(公告)号:US09223996B2

    公开(公告)日:2015-12-29

    申请号:US13751628

    申请日:2013-01-28

    Abstract: A method for loading a program, contained in at least a first memory, into a second memory accessible by an execution unit, in which the program is in a cyphered form in the first memory, a circuit for controlling the access to the second memory is configured from program initialization data, instructions of the program, and at least initialization data being decyphered to be transferred into the second memory after configuration of the circuit.

    Abstract translation: 一种用于将包含在至少第一存储器中的程序加载到执行单元可访问的第二存储器中的方法,其中程序处于第一存储器中的加密形式,用于控制对第二存储器的访问的电路是 由程序初始化数据,程序的指令,以及至少初始化数据被解密以在电路配置之后被传送到第二存储器中。

    Pinned photodiode CMOS image sensor with a low supply voltage
    57.
    发明授权
    Pinned photodiode CMOS image sensor with a low supply voltage 有权
    固定光电二极管CMOS图像传感器具有低电源电压

    公开(公告)号:US09191597B2

    公开(公告)日:2015-11-17

    申请号:US13605685

    申请日:2012-09-06

    CPC classification number: H04N5/3745 H04N5/3597

    Abstract: A device for controlling an image sensor including at least one photosensitive cell including a photodiode capable of discharging into a sense node via a first MOS transistor, the sense node being connected to the gate of a second MOS transistor having its source connected to a processing system. The device includes a bias circuit capable of increasing the voltage of the source during the discharge of the photodiode into the sense node.

    Abstract translation: 一种用于控制图像传感器的装置,包括至少一个感光单元,该感光单元包括经由第一MOS晶体管能够放电到感测节点的光电二极管,所述感测节点连接到其源极连接到处理系统的第二MOS晶体管的栅极 。 该器件包括偏置电路,其能够在将光电二极管放电到感测节点期间增加源极的电压。

    Method for localizing an object
    58.
    发明授权
    Method for localizing an object 有权
    本地化对象的方法

    公开(公告)号:US09182474B2

    公开(公告)日:2015-11-10

    申请号:US13768707

    申请日:2013-02-15

    CPC classification number: G01S5/14 G01S5/0221 G01S5/06 H04B1/707

    Abstract: A method for localizing an object, including the acts of: transmission of a first signal by a first transmitter assigned to the object and of a second signal by at least one second transmitter; reception of the first and of the second signal by at least three receivers; in each receiver and for the first and the second signal: a) generation of a first and of a second reference signal; b) correlation between the first signal and the first reference signal and between the second signal and the second reference signal; c) interpolation of samples resulting from the correlation; d) deduction of the propagation time of the first and of the second signal; e) calculation of the difference between the propagation times of the first and of the second signal; and, by triangulation, deduction of the position of the object.

    Abstract translation: 一种用于定位对象的方法,包括以下动作:由分配给对象的第一发射机传输第一信号,以及由至少一个第二发射机传输第二信号; 由至少三个接收器接收第一和第二信号; 在每个接收机中以及对于第一和第二信号:a)产生第一和第二参考信号; b)第一信号和第一参考信号之间以及第二信号和第二参考信号之间的相关; c)由相关产生的样本的插值; d)扣除第一和第二信号的传播时间; e)计算第一和第二信号的传播时间之差; 并通过三角测量来扣除物体的位置。

    Image sensor with a curved surface
    59.
    发明授权
    Image sensor with a curved surface 有权
    具有曲面的图像传感器

    公开(公告)号:US09099604B2

    公开(公告)日:2015-08-04

    申请号:US13858481

    申请日:2013-04-08

    CPC classification number: H01L31/18 H01L27/14605

    Abstract: A method for manufacturing an image sensor, including the successive steps of: forming columns of a semiconductor material; forming one or several pixels at a first end of each of the columns; and deforming the structure so that the second ends of each of the columns come closer to each other or draw away from each other to form a surface in the shape of a polyhedral cap.

    Abstract translation: 一种用于制造图像传感器的方法,包括以下连续步骤:形成半导体材料的列; 在每个列的第一端形成一个或几个像素; 并且使结构变形使得每个柱的第二端彼此靠近或彼此拉开以形成多面体盖的形状的表面。

    MOS transistor
    60.
    发明授权
    MOS transistor 有权
    MOS晶体管

    公开(公告)号:US09012957B2

    公开(公告)日:2015-04-21

    申请号:US14017024

    申请日:2013-09-03

    Inventor: Vincent Quenette

    Abstract: A MOS transistor including a U-shaped channel-forming semiconductor region and source and drain regions having the same U shape located against the channel-forming region on either side thereof, the internal surface of the channel-forming semiconductor region being coated with a conductive gate, a gate insulator being interposed.

    Abstract translation: 一种MOS晶体管,包括U形沟道形成半导体区域和具有相同U形的源极和漏极区域,其位于其任一侧上的沟道形成区域,沟道形成半导体区域的内表面涂覆有导电 栅极,插入栅极绝缘体。

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