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公开(公告)号：EP3095757B1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：EP16169401.3
申请日：2016-05-12
Applicant: ams International AG
Inventor： Daamen, Roel , Bouman, Hendrik , Vijayakumar, Kailash
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B7/0016 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/015 , B81B2207/03 , B81C2201/0104 , B81C2201/0146 , B81C2203/0735 , H01L23/642
Abstract: One example discloses a chip, comprising: a substrate (102, 202, 302, 602, 802); a first side of a passivation layer (206, 604, 804) coupled to the substrate (102, 202, 302, 602, 802); a device, having a device height and a cavity, wherein a first device surface is coupled to a second side of the passivation layer (206, 604, 804) which is opposite to the first side of the passivation layer (206, 604, 804); and a set of structures (108, 110, 214, 306, 410, 502, 504, 612, 614, 702, 812) coupled to the second side of the passivation layer (206, 604, 804) and configured to have a structure height greater than or equal to the device height.
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公开(公告)号：EP2207749B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：EP08838017.5
申请日：2008-10-03
Applicant: Micronit Microfluidics B.V.
Inventor： VAN'T OEVER, Ronny , BLOM, Marko, Theodoor , OONK, Johannes
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00119 , B81B2203/0376 , B81C1/00103 , B81C2201/0146
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53.发明公开
公开(公告)号：EP2058075A3
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：EP08022415.7
申请日：2007-04-20
Inventor： Quenzer, Hans-Joachim , Zwicker, Gerfried
CPC classification number: B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der als Siliziumwaferoberfläche ausgebildeten Substratoberfläche gebracht wird, das als anionischer Ionenleiter ausgebildet ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass aus dem anionischen Ionenleiter Anionen austreten, die sich an der Siliziumwaferoberfläche zu einer mit der Siliziumwaferoberfläche reaktiven Verbindung umwandeln, und dass die reaktionsfähige Verbindung mit dem Silizium an der Siliziumwaferoberfläche eine gasförmige Verbindung freisetzt, wodurch die Siliziumwaferoberfläche lokal abgetragen wird.
Abstract translation: 公开的是用于表面处理的导电性基板表面的，其中，固体离子传导材料被带到工具与构造为其中形成作为阴离子的离子导体上的硅晶片表面衬底表面和接触具有至少部分的方法，其电势被施加，以使得 离开它们在硅晶片表面转化成反应性与硅晶片表面连接的阴离子离子导体的阴离子，并且所述反应性化合物释放与硅在硅晶片表面上，由此在硅晶片表面被局部去除的气态化合物。
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公开(公告)号：EP2207749A2
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：EP08838017.5
申请日：2008-10-03
Applicant: Micronit Microfluidics B.V.
Inventor： VAN'T OEVER, Ronny , BLOM, Marko, Theodoor , OONK, Johannes
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00119 , B81B2203/0376 , B81C1/00103 , B81C2201/0146
Abstract: Methods for manufacturing a microstructure, wherein use is made of powder blasting and/or etching and a single mask layer with openings and structures of varying dimensions, characterized in that the mask layer at least at one given point in time has been wholly worn away within at least one region by mask erosion while the microstructure is not yet wholly realized. Use can be made of a combination of 'vertical' erosion, i.e. parallel to the thickness direction, and 'horizontal' erosion, i.e. perpendicularly of the thickness direction, of the mask layer. The horizontal mask erosion occurs at the edges of the mask structure. By selecting the size of the mask openings and the mask structures in a correct manner the mask layer in a region with smaller mask structures will be fully worn away at a given point in time, while in another region with larger structures the mask layer still has sufficient thickness to serve as protection against the powder blasting or etching.
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公开(公告)号：JP5640055B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2012200152
申请日：2012-09-12
Applicant: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ. , フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ.
Inventor： クエンツェア，ハンス−ヨアヒム , ツヴィッカー，ゲーアフリード
CPC classification number: B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2009534523A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2009505790
申请日：2007-04-20
Inventor： クエンツェア，ハンス−ヨアヒム , ツヴィッカー，ゲーアフリード
CPC classification number: B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
Abstract: 導電性の基体表面(2)の表面処理方法であって、この方法では、固体のイオン伝導性材料を有する工具(1)が、少なくとも部分的に基体表面と接触されており、この工具は基体表面の金属イオンを伝導することができ、かつ、基体表面と工具の間に電位勾配が生じ、金属イオンが工具を通って基体表面から引き離されるか、または基体表面上に析出されるように、この工具に電位(U)が印加される。
【選択図】図１-
公开(公告)号：KR1020110058890A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020117008957
申请日：2009-09-09
Applicant: 위니베르시테 끌로드 베르나르 리옹 Ⅰ , 상뜨로 나쇼날 드 라 러쉐르쉐 샹띠피크 , 에꼴 상트랄 드 리옹
Inventor： 까브레라,미쉘
CPC classification number: B23H3/04 , B23H5/02 , B23H7/065 , B23H7/08 , B23H9/00 , B23H9/08 , B81C2201/0146
Abstract: 본 발명은 마이크로 방전 가공에 의한 부품 가공용 기계에 관련되며, 상기 기계는 가공 배치에서 연마 배치로 교대로 및 가역적으로 진행하기 위해 상기 기계의 배치를 수정하기 위한 메카니즘(44, 45, 46, 48)을 포함하며 상기 에칭전극(20)의 팁 및 다른 전극(64)은 전기화학적 가공으로 에칭 전극의 팁을 연마하기 위해 전해조(62)에 담겨진다.
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58.发明授权MACHINE ET PROCÉDÉ D'USINAGE D'UNE PIÈCE PAR MICRO-ÉLECTROÉROSION 有权DEVICE AND METHOD FOR工作轨道的微型无线电侵蚀。
公开(公告)号：EP2326450B1
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：EP09782811.5
申请日：2009-09-09
Applicant: Université Lyon 1 Claude Bernard , Centre National de la Recherche Scientifique , Ecole Centrale de Lyon
Inventor： CABRERA, Michel
CPC classification number: B23H3/04 , B23H5/02 , B23H7/065 , B23H7/08 , B23H9/00 , B23H9/08 , B81C2201/0146
Abstract: The invention relates to a machine for machining a part by micro-electrical discharge machining, said machine comprising a mechanism (44, 45, 46, 48) for modifying the configuration of the machine so as to alternatively and reversibly switch from a machining configuration to a sharpening configuration in which the tip of a same etching electrode (20) and another electrode (64) are dipped in an electrolyte bath in order to sharpen the tip of the etching electrode by electrochemnical corrosion.
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59.发明公开MACHINE ET PROCEDE D'USINAGE D'UNE PIECE PAR MICRO-ELECTROEROSION 有权DEVICE AND METHOD FOR工作轨道的微型无线电侵蚀。
公开(公告)号：EP2326450A1
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：EP09782811.5
申请日：2009-09-09
Applicant: Université Lyon 1 Claude Bernard , Centre National de la Recherche Scientifique , Ecole Centrale de Lyon
Inventor： CABRERA, Michel
CPC classification number: B23H3/04 , B23H5/02 , B23H7/065 , B23H7/08 , B23H9/00 , B23H9/08 , B81C2201/0146
Abstract: The invention relates to a machine for machining a part by micro-electrical discharge machining, said machine comprising a mechanism (44, 45, 46, 48) for modifying the configuration of the machine so as to alternatively and reversibly switch from a machining configuration to a sharpening configuration in which the tip of a same etching electrode (20) and another electrode (64) are dipped in an electrolyte bath in order to sharpen the tip of the etching electrode by electrochemical corrosion.
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60.发明公开Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche 有权Verfahren zurOberflächenbehandlungeiner elektrischleitfähigenSubstratoberfläche
公开(公告)号：EP2058075A2
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：EP08022415.7
申请日：2007-04-20
Inventor： Quenzer, Hans-Joachim , Zwicker, Gerfried
CPC classification number: B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der als Siliziumwaferoberfläche ausgebildeten Substratoberfläche gebracht wird, das als anionischer Ionenleiter ausgebildet ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass aus dem anionischen Ionenleiter Anionen austreten, die sich an der Siliziumwaferoberfläche zu einer mit der Siliziumwaferoberfläche reaktiven Verbindung umwandeln, und dass die reaktionsfähige Verbindung mit dem Silizium an der Siliziumwaferoberfläche eine gasförmige Verbindung freisetzt, wodurch die Siliziumwaferoberfläche lokal abgetragen wird.
Abstract translation: 用于表面处理导电衬底表面的方法包括使由固体材料制成的导电离子的工具接触，以在衬底表面中引导金属离子并施加电势，使得产生衬底表面和工具之间的电势下降 。 使用工具从基板表面去除金属离子或沉积在基板表面上。
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