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    波長可変レーザ装置
    51.
    发明申请
    波長可変レーザ装置 审中-公开
    波长可变激光器件

    公开(公告)号：WO2016092810A1

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：PCT/JP2015/006078

    申请日：2015-12-08

    Applicant: 日本電気株式会社

    Inventor： 小林　直樹

    IPC: H01S5/14 ,  H01S5/026

    CPC classification number: H01S5/068 ,  G02F1/011 ,  G02F2201/06 ,  G02F2203/15 ,  G02F2203/21 ,  H01S3/083 ,  H01S3/106 ,  H01S5/02446 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/026 ,  H01S5/14 ,  H01S5/142

    Abstract: 　熱干渉を抑制しつつ高精度な位相制御を実現でき、所望波長の発振光を安定的に出力できる波長可変レーザ装置を提供する。　本発明の波長可変レーザ装置は、所定波長以外の光を反射すると共に所定波長の光を放出する低反射面を備えた光増幅手段、光導波路を伝搬している光の波長を制御する波長制御手段、加熱手段から放出された熱を用いて光導波路を伝搬している光の位相を制御する位相制御手段、入力された光を全反射する反射手段、および、加熱手段から放出された熱が位相制御手段が配置された領域以外の領域へ伝熱されることを抑制する放熱手段を備える。

    Abstract translation: 提供一种波长可变的激光装置，其能够在抑制热干扰的同时进行高精度的相位控制，并且能够稳定地输出具有期望波长的振荡光。 该波长可变激光器件具有：光放大装置，其具有反射具有除了预定波长以外的波长的光的低反射面，并输出具有预定波长的光; 波长控制装置，其控制在光波导中传播的光的波长; 相位控制装置，其使用从加热装置输出的热量控制在所述光波导中传播的光的相位; 完全反射输入光的反射装置; 以及散热装置，其抑制热量传递到除了相位控制装置的区域之外的区域，所述热量从加热装置输出。

    CHAVE ÓPTICA COMPACTA BASEADA EM UM CRISTAL FOTÔNICO BIDIMENSIONAL COM DOBRAMENTO DE 120 GRAUS
    52.
    发明申请
    CHAVE ÓPTICA COMPACTA BASEADA EM UM CRISTAL FOTÔNICO BIDIMENSIONAL COM DOBRAMENTO DE 120 GRAUS 审中-公开
    基于120度折叠的二维光子晶体的紧凑光学键

    公开(公告)号：WO2015176150A1

    公开(公告)日：2015-11-26

    申请号：PCT/BR2015/050061

    申请日：2015-05-22

    Applicant: UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ – UFPA

    Inventor： DMITRIEV, Victor ,  PORTELA, Gianni Masaki Tanaka ,  BATISTA, Raphael Rafsandjani

    IPC: G02B6/35 ,  G02F1/095

    CPC classification number: G02F1/3133 ,  G02B6/35 ,  G02F1/095 ,  G02F1/313 ,  G02F2201/06 ,  G02F2202/32

    Abstract: A presente invenção é baseada em um cristal fotônico bidimensional onde são inseridos defeitos que originam dois guias de onda e uma cavidade ressonante. Um sinal eletromagnético que atravessa o dispositivo é confinado no interior dos defeitos, por conta do photonic band gap associado à estrutura periódica que os circunda. Possui como principal função o controle do fluxo de um sinal eletromagnético ao longo de um cana! de comunicações, bloqueando (estado desligado) ou admitindo (estado ligado) a passagem do mesmo. Também promove a alteração da direção de propagação de um sinal eletromagnético por um ângulo de 120 graus, proporcionando maior flexibilidade no design de sistemas ópticos integrados. O princípio de funcionamento do dispositivo baseia-se na excitação de modos dipolo na cavidade ressonante do mesmo, segundo a aplicação de um campo magnético externo DC sobre o material magneto-óptíco que o constitui. Nos estados ligado e desligado o material magneto-óptico está magnetizado e não magnetizado, respectivamente.

    Abstract translation: 本发明基于二维光子晶体，其中插入缺陷产生两个波导和谐振腔。 由于与围绕其的周期性结构相关联的光子带隙，通过该器件的电磁信号被限制在缺陷内。 本发明的主要功能是控制沿着通信信道的电磁信号的流动，阻塞（关闭状态）或允许（接通状态）其通过。 本发明还促进了电磁信号传播120度角的方向的变化，从而在集成光学系统的设计中提供了更大的灵活性。 在将DC外部磁场施加到构成其的磁光材料之后，该装置的工作原理基于在其谐振腔中的偶极模的激发。 在开和关状态下，磁光材料分别被磁化和非磁化。

    SYSTEM, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR STRUCTURED WAVEGUIDE INCLUDING INTRA/INTER CONTACTING REGIONS
    54.
    发明申请
    SYSTEM, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR STRUCTURED WAVEGUIDE INCLUDING INTRA/INTER CONTACTING REGIONS 审中-公开
    用于结构化波导的系统，方法和计算机程序产品，包括内部/内部联系区域

    公开(公告)号：WO2005076719A2

    公开(公告)日：2005-08-25

    申请号：PCT/IB2005/050555

    申请日：2005-02-12

    Applicant: PANORAMA FLAT LTD. ,  ELLWOOD, Sutherland

    Inventor： ELLWOOD, Sutherland

    IPC: G02B6/26 ,  G02B6/42 ,  G02F1/095 ,  G02F1/295

    CPC classification number: G02B6/036 ,  G02B6/12 ,  G02B6/2726 ,  G02B6/2766 ,  G02F1/0136 ,  G02F1/095 ,  G02F2201/02 ,  G02F2201/06 ,  G02F2203/12 ,  G02F2203/48

    Abstract: Disclosed is an apparatus and method including a semiconductor substrate including a waveguide having a guiding region and one or more bounding regions coupled to the guiding region; a first PN junction disposed in the substrate and coupled to one or more of the one or more bounding regions; and dopant atoms disposed within the semiconductor substrate at the PN junction. An alternate embodiment includes a memory device, having a waveguide having a guiding region for propagating a radiation signal; an influencer, coupled to the waveguide, for controlling a characteristic of the radiation signal propagating in the waveguide between a first mode and a second mode; and a latching layer, coupled to the guiding region and responsive to the influencer, for retaining the characteristic of the radiation signal for a memory cycle.

    Abstract translation: 公开了一种包括半导体衬底的装置和方法，该半导体衬底包括具有引导区域和耦合到引导区域的一个或多个界限区域的波导; 第一PN结，其布置在所述衬底中并且耦合到所述一个或多个边界区域中的一个或多个; 以及在PN结处设置在半导体衬底内的掺杂剂原子。 替代实施例包括存储器件，其具有波导，该波导具有用于传播辐射信号的引导区域; 耦合到波导的影响器，用于控制在第一模式和第二模式之间在波导中传播的辐射信号的特性; 以及锁存层，耦合到引导区域并且响应于影响者，用于保持用于存储器周期的辐射信号的特性。

    TRANSMETTEUR PHOTONIQUE
    55.
    发明公开
    TRANSMETTEUR PHOTONIQUE 有权
    光子发射器

    公开(公告)号：EP3206079A1

    公开(公告)日：2017-08-16

    申请号：EP17153847.3

    申请日：2017-01-30

    Applicant: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    Inventor： MENEZO, Sylvie

    IPC: G02F1/025 ,  G02B6/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/02

    CPC classification number: H01S5/0265 ,  G02F1/025 ,  G02F2201/06 ,  G02F2201/12 ,  G02F2202/105 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/3013

    Abstract: Ce transmetteur photonique comporte :
    - une couche (20) en matériau diélectrique,
    - une sous-couche (30) en matériau cristallin III-V dopé s'étend directement sur la couche (20) en matériau diélectrique,
    - une source laser (7) comportant la sous-couche (30) en matériau cristallin III-V dopé
    - un modulateur comportant :
    • un guide d'onde (70) formé par des extrémités proximales (12, 32) en vis-à-vis de première et seconde électrodes (120, 130) et une portion de la couche (20) en matériau diélectrique interposée entre ces extrémités proximales (12, 32), et
    • une zone (34) uniquement composée d'un ou plusieurs matériaux diélectriques solides (20, 116) qui s'étend depuis une extrémité distale (31) de la seconde électrode (130) jusqu'à un substrat (1, 2), et sous la totalité de l'extrémité distale (31) de la seconde électrode (130).

    Abstract translation: 此光子发射器包括： - 电介质材料层（20）， - 结晶材料的掺杂的III-V直接延伸介电材料层（20）上的子层（30）， - 一个激光源（7 ）包括掺杂III-V晶体材料的子层（30） - 调制器，其包括：·由近端（12,32）形成的波导（70），所述近端（12,32）面向第一和第二 电极（120，130）和所述层（20）的一部分介于这些近端之间的介电材料（12，32），和·一个区（34）由一种或多种固体电介质（20，116仅构成 ）从第二电极（130）到基板（1，2的远端（31））和第二电极（130）的整个远端（31）下方延伸。

    A wafer scale method of manufacturing optical waveguide devices and the waveguide devices made thereby
    57.
    发明公开
    A wafer scale method of manufacturing optical waveguide devices and the waveguide devices made thereby 有权
    用于制造光波导器件，并由此产生光波导器件的晶片级处理

    公开(公告)号：EP1873583A2

    公开(公告)日：2008-01-02

    申请号：EP07252595.9

    申请日：2007-06-26

    Applicant: JDS Uniphase Corporation

    Inventor： Catching, Benjamin F. ,  Friedrich, Donald M. ,  Hulse, Charles A. ,  von Gunten, Marc K. ,  Reed, Jason ,  Kissa, Karl ,  Drake, Glen ,  Duncan, Julia ,  Sha, Hiren V. ,  Zieba, Jerry ,  Jiazhan Xu, Jason ,  Minford, William J.

    IPC: G02F1/37

    CPC classification number: G02F1/377 ,  G02B6/13 ,  G02B6/1342 ,  G02B2006/1204 ,  G02B2006/12097 ,  G02F2201/06 ,  G02F2201/07

    Abstract: The invention relates to a wafer scale process for the manufacture of optical waveguide devices, and particularly for the manufacture of ridge waveguide devices, and the improved waveguides made thereby. The present invention has found a process for achieving sub-micron control of an optical waveguiding layer thickness by providing a dimensionally stable wafer assembly into which adhesive (26) can be introduced without altering the planar relationship between a carrier wafer (12) and an optically transmissive wafer (14) in wafer scale manufacture. This process permits wafer scale manufacture of optical waveguide devices including thin optically transmissive layers. A pattern of spacer pedestals (20) is created by a deposition and etch back, or by a surface etch process to precisely reference surface information from a master surface to a carrier wafer to a thin optically transmissive wafer. The tolerance achievable in accordance with this process provides consistent yield across the wafer.

    Abstract translation: 本发明涉及晶片级工艺光波导器件的制造，特别是对于脊形波导器件的制造，以及改进的波导从而制成。 本发明找到了一种通过提供一种尺寸稳定的晶片组件成粘合剂（26）实现的光学波导层厚度的亚微米控制的过程可在不改变载体晶片（12）之间的平面的关系被引入并以光学 在晶片级制造透射晶片（14）。 此方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。 间隔件基座的图案（20）由沉积创建并回蚀刻，或通过表面蚀刻工艺精确参考从主表面到载体晶片的表面信息到一个薄光学透射晶片。 这一过程在雅舞蹈达到公差提供跨晶圆产量相一致。

    Optical address type display device
    60.
    发明公开
    Optical address type display device 失效
    光地址型显示设备

    公开(公告)号：EP0595647A2

    公开(公告)日：1994-05-04

    申请号：EP93308654.8

    申请日：1993-10-29

    Applicant: SHARP KABUSHIKI KAISHA

    Inventor： Izumi, Yoshihiro ,  Fujiwara, Sayuri

    IPC: G02F1/135 ,  G02B6/00 ,  G02B6/28

    CPC classification number: G02F1/135 ,  G02B6/0001 ,  G02B6/43 ,  G02F2201/06 ,  Y10S385/901

    Abstract: A display device has an insulated basic substrate (1). A plurality of light waveguides (Y n ) are arranged on the basic substrate in parallel to each other. A plurality of signal wires is arranged in parallel and in a manner to be crossed with the light waveguides (Y n ), respectively. A plurality of photoconductive layers (6) three-dimensionally are laid between the light waveguides (Y n ) and the signal wires (X n ) and directly connected with each light guiding portion (4) of the light waveguides (Y n ) at respective crosspoints between the light waveguides (Y n ) and the signal electrodes (X n ). A plurality of pixel electrodes (5) provided are to be connected with the photoconductive layers (6), respectively.
    An insulated opposed substrate located in opposition to the basic substrate (1) with a display medium (13) therebetween and having an opposed electrode on the surface opposed to the basic substrate (1). And the relation among an index of refraction nl of the light guiding portion (4), an index of refraction n₂ of the photoconductive layer (6), and an angle of incidence ϑ of light given from the light guiding portion (4) to the photoconductive layer (6) meeting the following expression of n₁ sin ϑ

    Abstract translation: 显示装置具有绝缘基础基板（1）。 多个光波导（Yn）彼此平行地布置在基础基板上。 多个信号线分别平行且以与光波导（Yn）交叉的方式排列。 在光波导（Yn）和信号线（Xn）之间，在光波导（Yn）的各个导光部分（4）之间的各个交叉点处，三维地放置多个光电导层（6） 光波导（Yn）和信号电极（Xn）。 提供的多个像素电极（5）分别与光电导层（6）连接。 一个绝缘的对置基板，它与基础基板（1）相对，在它们之间有显示介质（13），并在与基础基板（1）相对的表面上具有相对电极。 并且导光部分（4）的折射率n1，光导层（6）的折射率n2和从导光部分（4）给出的光的入射角θ与光导层 光电导层（6）满足下列表达式：n 1sinθ

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