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公开(公告)号：CN104471682B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280046142.0
申请日：2012-09-17
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
Abstract: 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
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公开(公告)号：CN106298452A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610751120.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0201
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合。与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
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公开(公告)号：CN104981357A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201380072552.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 石墨前沿有限公司
Inventor： 布鲁斯·I·威尔纳
CPC classification number: B32B37/24 , B32B38/08 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2037/246 , C01B32/184 , C01B32/194 , H01L21/0201 , H01L21/67092 , H01L21/67132
Abstract: 公开了一种方法，该方法包括：在第一衬底的至少一部分表面上形成至少一层材料，其中所述至少一层材料的第一表面与所述第一衬底接触从而限定一界面；将第二衬底附着于所述至少一层材料的第二表面上；在所述界面处形成气泡；以及施加机械力；从而将所述第二衬底和所述至少一层材料从所述第一衬底共同地分离。还描述了相关装置。
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公开(公告)号：CN103545169A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210239663.X
申请日：2012-07-11
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
Inventor： 苏波
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/0201 , H01L21/02008 , H01L21/26506 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种防止晶圆翘曲变形的方法，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶；步骤二，对光刻胶进行曝光、显影，暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层；步骤三，进行离子注入，离子穿过划片槽区域上方的氧化层，注入到硅片；步骤四，去除光刻胶和氧化层；步骤五，对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺，使所注入的离子在划片槽内均匀分布，并修复硅的表面损伤。本发明在进行各种工艺之前对可能会发生翘曲变形的晶圆进行处理，能够有效防止后续工艺过程中晶圆发生翘曲变形，防止由于晶圆翘曲造成的产品良率下降，甚至停机、掉片的现象发生，能够降低成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103510153A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210489256.4
申请日：2012-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C30B15/04 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/22 , C30B29/06 , C30B31/02 , C30B31/04 , C30B31/165 , C30B33/00 , H01L21/0201 , H01L21/31053 , H01L21/311 , H01L21/3225 , H01L21/76224 , H01L29/365 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103252711A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310123320.1
申请日：2009-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/30
CPC classification number: H01L21/6838 , B24B37/30 , H01L21/0201 , H01L21/30625 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及改良的承载头薄膜并提出用于平坦化基底的方法及设备。提出具有改良的外罩的基底承载头以牢固地握持基底。外罩可具有珠部，其尺寸大于与其进行配适的凹部，从而通过压缩力在凹部内形成共形的密封。珠部亦可不经涂覆，以加强珠部与沟槽表面的附着力。可将外罩表面粗糙化，以降低基底对外罩的附着力，而不需使用不粘黏涂层。
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公开(公告)号：CN102725695A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
Abstract: 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
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公开(公告)号：CN101981666A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110527.7
申请日：2009-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6838 , B24B37/30 , H01L21/0201 , H01L21/30625 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提出用于平坦化基底的方法及设备。提出具有改良的外罩的基底承载头以牢固地握持基底。外罩可具有珠部，其尺寸大于与其进行配适的凹部，从而通过压缩力在凹部内形成共形的密封。珠部亦可不经涂覆，以加强珠部与沟槽表面的附着力。可将外罩表面粗糙化，以降低基底对外罩的附着力，而不需使用不粘黏涂层。
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公开(公告)号：CN101415864A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200680044355.4
申请日：2006-11-28
Applicant: 晶体公司
CPC classification number: C30B33/02 , B28D5/00 , C23C16/34 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0201 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/30625 , Y10T428/21
Abstract: 减少AlN中的微孔(MV)密度可以缓解与晶体生长过程中的开裂、抛光过程中的蚀坑产生、AlN晶片中的光学透明度降低以及AlN和/或AlN镓外延生长过程中可能的生长凹坑形成相关的很多问题。这有利于实际的晶体生产策略和形成具有低缺陷密度的大的块状AlN晶体，所述低缺陷密度是例如低于104cm－3的位错密度和低于104cm－3的夹杂物密度和/或低于104cm－3的微孔密度。
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公开(公告)号：EP2900850A1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：EP13712085.3
申请日：2013-03-13
Applicant: Sixpoint Materials Inc. , Seoul Semiconductor Co., Ltd.
Inventor： HASHIMOTO, Tadao
IPC: C30B7/10 , C30B29/40 , H01L21/66 , G01N23/201
CPC classification number: G01N23/207 , B24B37/044 , C01B21/0632 , C01P2002/74 , C30B7/105 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L21/0201 , H01L21/30625 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: The invention provides, in one instance, a group III nitride wafer sliced from a group III nitride ingot, polished to remove the surface damage layer and tested with x-ray diffraction. The x-ray incident beam is irradiated at an angle less than 15 degree and diffraction peak intensity is evaluated. The group III nitride wafer passing this test has sufficient surface quality for device fabrication. The invention also provides, in one instance, a method of producing group III nitride wafer by slicing a group III nitride ingot, polishing at least one surface of the wafer, and testing the surface quality with x-ray diffraction having an incident beam angle less than 15 degree to the surface. The invention also provides, in an instance, a test method for testing the surface quality of group III nitride wafers using x-ray diffraction having an incident beam angle less than 15 degree to the surface.
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