公开(公告)号：CN102292884B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200980155417.2

申请日：2009-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种氮化物半导体发光元件，其包括设置在具有半极性面的GaN支撑基体上的发光层，可抑制因错配位错导致的发光效率的降低。氮化物半导体发光元件(11)包括：包含六方晶系氮化镓的支撑基体(13)；包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0＜X1＜1，0＜Y1＜1，X1+Y1＜1)层(21)的n型氮化镓系半导体层(15)；发光层(17)；及p型氮化镓系半导体层(19)。该InAlGaN层(21)设置在半极性主面(13a)和发光层(17)之间。InAlGaN层(21)的带隙(E)为氮化镓的带隙(E)以上，因此可提供向发光层(17)的载流子及光的封闭效果。虽InAlGaN层(21)的c面(Sc2)相对于法线轴(AX)倾斜，但以c面为主的滑移面的错配位错的密度相比AlGaN有所降低。

公开(公告)号：CN102484142A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037329.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 太田裕朗 ,  武凤 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  阿尔潘·查克拉伯蒂 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  斯蒂芬·P·登巴尔斯 ,  中村修二 ,  埃林·C·永

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。

公开(公告)号：CN102422495A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020691.1

申请日：2010-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15包含有源层21及载流子阻挡层23。第一覆盖区域17包含n型AlGaN覆盖层25及n型InAlGaN覆盖层26。n型InAlGaN覆盖层26设置于n型AlGaN覆盖层25与有源层21之间。界面27b处的错配位错密度大于界面27a处的错配位错密度。AlGaN覆盖层25相对于GaN支撑基体13产生晶格弛豫，InAlGaN覆盖层26相对于AlGaN覆盖层25产生晶格弛豫。

公开(公告)号：CN101047301B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN101379226A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004671.3

申请日：2007-02-06

Applicant: 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 ,  首尔半导体株式会社

Inventor： 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫 ,  诺姆·佩托维奇·索西沁 ,  瓦列里·佩托维奇·苏切科夫 ,  尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫 ,  弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫 ,  塞尔盖·亚历克桑德诺维奇·萨克哈若夫 ,  弗拉季米尔·亚历克桑德诺维奇·戈比列夫

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/50 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种基于AlGaInN系统中的化合物和合金来生长用于产生白光发射的发光二极管和激光器的非极性外延异质结构的方法，该方法包括气相沉积由式子AlxGa1－xN(0＜x≤1)描述的一层或多层异质结构层的步骤，其中，出于减小异质结构中的缺陷密度和机械应力的目的，应用利用(α)－硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)基底生长A3N结构的步骤。

公开(公告)号：CN1983749A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610146855.0

申请日：2006-11-27

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 荒平慎

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/00

CPC classification number: H04L7/0075 ,  B82Y20/00 ,  G04F5/14 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0609 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供一种无源模式同步半导体激光器和光时钟信号提取装置，可不依赖于输入光信号的偏光方向来提取光时钟信号，增益区域(30)中利用恒定电流源(28)经由n侧共通电极(12)和增益区域的p侧电极(24)进行电流注入。在可饱和吸收区域(32)中，利用恒定电压源(26)经由n侧共通电极(12)和可饱和吸收区域的p侧电极(22)施加逆向偏压。增益区域的光导波路(16)使用体结晶或者导入了拉伸应变的量子阱结构来形成，可饱和吸收区域的光导波路(18)使用导入了拉伸应变的量子阱结构来形成。而且，在增益区域中，对于TE模式的光学增益被设定得大于对于TM模式的光学增益，在可饱和吸收区域中，对于TE模式的吸收饱和能量被设定得大于对于TM模式的吸收饱和能量。

公开(公告)号：CN1251371C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN03153544.5

申请日：2003-08-15

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 山本将央 ,  樱井淳

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/183

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。

公开(公告)号：CN1212695C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN00129584.5

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置，具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷(104)的基板(102)和至少借助于来自上述凹陷(104)的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板(102)的上述表面上形成的半导体层(103)使该半导体层的晶格缺陷朝上述凹陷的中心方向集中。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。

公开(公告)号：CN1553523A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200410063346.2

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。

公开(公告)号：CN1175533C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN00133134.5

申请日：2000-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大保广树 ,  林伸彦

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 在蓝宝石衬底上顺序地形成AlGaN缓冲层、不掺杂的GaN层、n-GaN接触层、n-InGaN裂纹防止层、n-AlGaN覆盖层、MQW有源层和p-AlGaN覆盖层。在p-AlGaN覆盖层上形成脊形部分，在脊形部分上面形成p-GaN间隙层。在p-AlGaN覆盖层的平坦部分上和脊形部分的侧面顺序地形成n-AlGaN第一再生长低温缓冲层和n-AlGaN电流阻挡层，在n-AlGaN电流阻挡层上和脊形部分上面形成p-AlGaN第二再生长低温缓冲层和p-GaN接触层。