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公开(公告)号：CN101136538B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710128169.5
申请日：2007-07-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/18383 , H01S5/18394 , H01S5/34313 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该VCSEL包括：基板；第一导电类型的第一半导体多层；有源层；第二导电类型的第二半导体多层；接触层；这些层中的每一层都堆叠在基板上。第二半导体多层与有源层和第一半导体多层一起构成了谐振器。接触层上形成有金属层。该金属层包括开口部分，该开口部分限定了发射激光的区域。当激光的振荡波长为λ时，接触层和与接触层接触的第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。
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公开(公告)号：CN101237123A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710154074.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18333 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置。该垂直腔面发射激光二极管包括基板上的第一导电型的第一半导体镜面层、第一半导体镜面层上的有源区、有源区上的第二导电型的第二半导体镜面层和接近有源区的电流限制层。台式晶体管结构形成为使电流限制层的至少一侧表面露出。电流限制层包括具有铝成分的第一半导体层和具有铝成分的第二半导体层，第二半导体层形成为比第一半导体层更靠近有源区。第一半导体层的铝浓度比第二半导体层的高。当激光的振荡波长为λ时，作为第一和第二半导体层的厚度总和的光学厚度为λ/4。从台式晶体管结构的所述侧表面选择地使第一和第二半导体层氧化。
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公开(公告)号：CN101557077A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910006404.0
申请日：2009-02-12
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/305
Abstract: 本发明提供垂直腔面发射激光器、模块、光传输装置、光传输系统、自由空间光通信装置和自由空间光通信系统。该VCSEL包括：形成在基板上并具有第一掺杂浓度的第一导电型的第一半导体多层膜反射镜；形成在第一反射镜上的活性区；第二导电型的第二半导体多层膜反射镜，其形成在活性区上并邻近活性区，具有第二掺杂浓度；第二导电型的第三半导体多层膜反射镜，其形成在第二反射镜上并具有比第二掺杂浓度高的第三掺杂浓度；及第二导电型的第四半导体多层膜反射镜，其形成在第三反射镜上并具有比第二掺杂浓度高的第四掺杂浓度。所述反射镜包括成对的低Al半导体层和高Al半导体层。第二反射镜中的低Al半导体层的Al组成比第四反射镜中的高。
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公开(公告)号：CN1251371C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03153544.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3201 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。
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公开(公告)号：CN101510665B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910006407.4
申请日：2009-02-12
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/005 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18361 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3077 , H01S5/3432
Abstract: 本发明提供激光器、模块、光传输装置和系统、光通信装置和系统。所提供的垂直腔体表面发射型激光器包括：在基板上形成的第一导电型的第一半导体多层膜反射镜；其上形成的活性区域；其上形成的第二导电型的电流限制层；其上形成的第二导电型的第二半导体多层膜反射镜；以及其上形成的第二导电型的第三半导体多层膜反射镜。这些反射镜包括成对的高折射率层和低折射率层。第二反射镜的杂质浓度高于第三反射镜的杂质浓度。第二反射镜中的高折射率层的带隙能量大于由第一反射镜、活性区域、电流限制层、第二反射镜和第三反射镜形成的谐振器的波长的能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101557077B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910006404.0
申请日：2009-02-12
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/305
Abstract: 本发明提供垂直腔面发射激光器、模块、光传输装置、光传输系统、自由空间光通信装置和自由空间光通信系统。该VCSEL包括：形成在基板上并具有第一掺杂浓度的第一导电型的第一半导体多层膜反射镜；形成在第一反射镜上的活性区；第二导电型的第二半导体多层膜反射镜，其形成在活性区上并邻近活性区，具有第二掺杂浓度；第二导电型的第三半导体多层膜反射镜，其形成在第二反射镜上并具有比第二掺杂浓度高的第三掺杂浓度；及第二导电型的第四半导体多层膜反射镜，其形成在第三反射镜上并具有比第二掺杂浓度高的第四掺杂浓度。所述反射镜包括成对的低Al半导体层和高Al半导体层。第二反射镜中的低Al半导体层的Al组成比第四反射镜中的高。
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公开(公告)号：CN101237123B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710154074.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18333 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置。该垂直腔面发射激光二极管包括基板上的第一导电型的第一半导体镜面层、第一半导体镜面层上的有源区、有源区上的第二导电型的第二半导体镜面层和接近有源区的电流限制层。台式晶体管结构形成为使电流限制层的至少一侧表面露出。电流限制层包括具有铝成分的第一半导体层和具有铝成分的第二半导体层，第二半导体层形成为比第一半导体层更靠近有源区。第一半导体层的铝浓度比第二半导体层的高。当激光的振荡波长为λ时，作为第一和第二半导体层的厚度总和的光学厚度为λ/4。从台式晶体管结构的所述侧表面选择地使第一和第二半导体层氧化。
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公开(公告)号：CN101510665A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910006407.4
申请日：2009-02-12
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/005 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18361 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3077 , H01S5/3432
Abstract: 本发明提供激光器、模块、光传输装置和系统、光通信装置和系统。所提供的垂直腔体表面发射型激光器包括：在基板上形成的第一导电型的第一半导体多层膜反射镜；其上形成的活性区域；其上形成的第二导电型的电流限制层；其上形成的第二导电型的第二半导体多层膜反射镜；以及其上形成的第二导电型的第三半导体多层膜反射镜。这些反射镜包括成对的高折射率层和低折射率层。第二反射镜的杂质浓度高于第三反射镜的杂质浓度。第二反射镜中的高折射率层的带隙能量大于由第一反射镜、活性区域、电流限制层、第二反射镜和第三反射镜形成的谐振器的波长的能量。
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公开(公告)号：CN101136538A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710128169.5
申请日：2007-07-09
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01S5/18311 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/18383 , H01S5/18394 , H01S5/34313 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了VCSEL、其制造方法、模块、光发送装置、光空间传输装置、光发送系统以及光空间传输系统。该VCSEL包括：基板；第一导电类型的第一半导体多层；有源层；第二导电类型的第二半导体多层；接触层；这些层中的每一层都堆叠在基板上。第二半导体多层与有源层和第一半导体多层一起构成了谐振器。接触层上形成有金属层。该金属层包括开口部分，该开口部分限定了发射激光的区域。当激光的振荡波长为λ时，接触层和与接触层接触的第二半导体多层的顶层的光学厚度T小于λ/4。
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公开(公告)号：CN1747263A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510095824.2
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/3201 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。
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