公开(公告)号：JP2011130424A

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：JP2010255066

申请日：2010-11-15

Applicant: Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： KAMATA KOICHIRO

IPC: H03C1/36 ,  G06K19/07 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06K19/07775 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H03C1/36 ,  H04M2201/04 ,  H04M2201/06

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumption of a modulation circuit, and to reduce power consumption of a semiconductor device having the modulation circuit by reducing power consumption of the modulation circuit. SOLUTION: A modulation circuit includes a load and a transistor serving as a switch. The transistor has an oxide semiconductor layer in which hydrogen concentration is 5×10 19 /cm 3 or less. A off-state current of the transistor is 1×10 -13 A or less. Otherwise, a modulation circuit includes a load, a transistor serving as a switch, and a diode. The load, the transistor and the diode are connected in series between terminals of an antenna. The transistor has an oxide semiconductor layer in which hydrogen concentration is 5×10 19 /cm 3 or less. An off-state current of the transistor is 1×10 -13 A or less. On/off of the transistor is controlled in accordance with a signal inputted to a gate of the transistor. The load is a resistor, a capacitor, or a combination of a resistor and a capacitor. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了降低调制电路的功耗，并且通过降低调制电路的功耗来降低具有调制电路的半导体器件的功耗。 解决方案：调制电路包括负载和用作开关的晶体管。 晶体管具有其中氢浓度为5×10 19 / cm 3 / SP> 3以下的氧化物半导体层。 晶体管的截止电流为1×10 -13 A或更小。 否则，调制电路包括负载，用作开关的晶体管和二极管。 负载，晶体管和二极管在天线的端子之间串联连接。 晶体管具有其中氢浓度为5×10 19 / cm 3 / SP> 3以下的氧化物半导体层。 晶体管的截止电流为1×10 -13 A或更小。 根据输入到晶体管的栅极的信号来控制晶体管的导通/截止。 负载是电阻器，电容器或电阻器和电容器的组合。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：KR1020010092333A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：KR1020010013174

申请日：2001-03-14

Applicant: 샤프 가부시키가이샤 ,  니폰 덴신 덴와 가부시끼가이샤

Inventor： 와카바야시마사키 ,  오가와류이치 ,  야에가와카주히로 ,  쿠리오카수수무 ,  오노켄지 ,  타케다타다오 ,  수토우히로키 ,  요시자와마사히로

IPC: G06F12/14

CPC classification number: H04Q3/64 ,  H04M3/51 ,  H04M2201/06 ,  H04M2201/34 ,  H04M2201/36 ,  H04M2201/38 ,  H04Q11/0471 ,  H04Q2213/13003 ,  H04Q2213/1305 ,  H04Q2213/1307 ,  H04Q2213/13072 ,  H04Q2213/13095 ,  H04Q2213/13103 ,  H04Q2213/13106 ,  H04Q2213/13209 ,  H04Q2213/13305 ,  H04Q2213/1332 ,  H04Q2213/13322

Abstract: PURPOSE: To provide a one-chip microcomputer insuring security property between application programs. CONSTITUTION: This one-chip microprocessor is provided with a monitor flag 304 setting a flag showing that a specified address space is carried out, an access permit address range setting register setting an address range where access is permitted when the flag is set, an access permit area detection circuit 306 deciding whether or not access is made within the set address range, an access permit setting register 319 setting whether or not access to an address other than the address range is allowed, a memory read control circuit 309 controlling access to a nonvolatile memory 303 on the basis of the decision results and the set contents of the register 319 and a memory writing circuit 310.

Abstract translation: 目的：提供单片机保护应用程序之间的安全性。 构成：该单片微处理器设置有设置表示执行了指定的地址空间的标志的监视器标志304，设定标志设置时允许访问的地址范围的访问许可地址范围设定寄存器，访问 允许区域检测电路306判定是否在设定的地址范围内进行访问;访问许可设置寄存器319，设置是否允许访问地址范围以外的地址;存储器读取控制电路309控制对 非易失性存储器303基于判定结果和寄存器319的设定内容以及存储器写入电路310。

公开(公告)号：KR1020120108333A

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020110026041

申请日：2011-03-23

Applicant: 엘지전자 주식회사

Inventor： 정성권

IPC: H04M1/02 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H04M1/0266 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1345 ,  H04B1/38 ,  H04M2201/06 ,  H04M2201/38 ,  H04M2250/22

Abstract: PURPOSE: A portable terminal and display module manufacturing method are provided to improve durability for external impacts by covering glass with a display unit. CONSTITUTION: A terminal body unit includes a window. A display device is mounted on the terminal body in order to face to the window. The display device displays visual information. A driver integrated circuit(218) electrically connects to the display device. The driver integrated circuit controls the display device. A coating layer is generated on the outside wall of a main body unit.

Abstract translation: 目的：提供便携式终端和显示模块制造方法，通过用显示单元覆盖玻璃来提高外部冲击的耐久性。 构成：终端主体单元包括窗口。 显示装置安装在终端主体上以面向窗口。 显示设备显示视觉信息。 驱动器集成电路（218）电连接到显示装置。 驱动器集成电路控制显示设备。 在主体单元的外壁上产生涂层。

公开(公告)号：KR100554463B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020037010068

申请日：2002-01-25

Applicant: 인피니온 테크놀로지스 아게

Inventor： 헬레베르그,헨릭 ,  엠릭스,안데르스 ,  소딘,하칸

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H04M3/005 ,  H04M2201/06

Abstract: 본 발명은 반도체 회로의 조정기에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제1 전위에 있도록 적응되고, p형일 때에는 제1 전위 이하이고 n형일 때에는 상기 제1 전위 이상인 제2 전위를 제공하도록 적응된 전압원에 전압 공급 단자를 거쳐 접속가능한 기판을 구비하는 반도체 회로가, 상기 기판과 상기 전압 공급 단자 사이에 상호 접속되어, 기판에 인가되는 상기 제1 전위가 접지와 상기 제2 전위 사이의 범위가 되도록 제어하는 조정기를 구비한다. 이에 의해, 종래 기술보다 적은 전력 손실을 갖는 개선된 반도체 회로를 제공할 수 있으며, 반도체 소자의 기판 전위를 특정 동작 모드에 대해 최적의 값으로 제어할 수 있다.
반도체 회로, 조정기, 전위, 전압원, 전압 공급 단자, 기판, 접지, 동작 모드

公开(公告)号：JP6082428B2

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：JP2015116399

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鎌田 康一郎

IPC: G06K19/07 ,  H03D7/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06K19/07775 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H03C1/36 ,  H01L2223/6677 ,  H04M2201/04 ,  H04M2201/06

公开(公告)号：JP2015207772A

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：JP2015116399

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鎌田 康一郎

IPC: G06K19/07 ,  H03D7/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06K19/07775 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H03C1/36 ,  H01L2223/6677 ,  H04M2201/04 ,  H04M2201/06

Abstract: 【課題】無線によりデータの交信が可能な半導体装置の消費電力を低減する。 【解決手段】スイッチとして機能するトランジスタを有し、トランジスタのチャネル形成領域は、水素を低減する第1の工程と、第1の工程の後の酸素を供給する第2の工程とを経て形成されたキャリア濃度が1×10 14 /cm 3 未満である酸化物半導体層を有し、トランジスタのチャネル幅1μmあたりにおけるオフ電流は、−30℃以上120℃以下の温度範囲において1×10 −16 A以下である。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：通过无线电能够执行数据通信的半导体器件来降低功耗。解决方案：半导体器件包括：用作开关的晶体管。 晶体管的沟道形成区域具有通过第一步骤形成的氧化物半导体层，该氧化物半导体层是通过第一步骤还原氢形成的，以及第一步骤后的第二步骤，其中载流子浓度小于1×10 / cm。 在-30至120℃的温度范围内，晶体管的通道宽度的每微米的截止电流等于或小于1×10A。

公开(公告)号：JP5762723B2

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：JP2010255066

申请日：2010-11-15

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鎌田 康一郎

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/00 ,  H03C1/36

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06K19/07775 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H03C1/36 ,  H01L2223/6677 ,  H04M2201/04 ,  H04M2201/06 ,  Y02B60/50

公开(公告)号：JP3710671B2

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：JP2000071183

申请日：2000-03-14

Applicant: シャープ株式会社 ,  日本電信電話株式会社

Inventor： 和宏 八重川 ,  正浩 吉沢 ,  謙次 大野 ,  竜一 小川 ,  進 栗岡 ,  忠雄 竹田 ,  正樹 若林 ,  啓樹 首藤

IPC: G06F12/14 ,  G06F15/78 ,  G06F21/02 ,  G06K19/07 ,  H04M3/51 ,  H04Q3/64 ,  H04Q11/04

CPC classification number: H04Q3/64 ,  H04M3/51 ,  H04M2201/06 ,  H04M2201/34 ,  H04M2201/36 ,  H04M2201/38 ,  H04Q11/0471 ,  H04Q2213/13003 ,  H04Q2213/1305 ,  H04Q2213/1307 ,  H04Q2213/13072 ,  H04Q2213/13095 ,  H04Q2213/13103 ,  H04Q2213/13106 ,  H04Q2213/13209 ,  H04Q2213/13305 ,  H04Q2213/1332 ,  H04Q2213/13322

公开(公告)号：KR1020050095467A

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：KR1020040020887

申请日：2004-03-26

Applicant: 엘지전자 주식회사

Inventor： 남수현

IPC: H04B1/38

CPC classification number: H04M1/0277 ,  H04M2201/06

Abstract: 본 발명은 제3세대 듀얼 모드 이동통신단말기의 인쇄회로기판 실장 구조에 관한 것으로, 하나의 이동통신단말기에 영상카메라와 액정디스플레이(LCD), 디지털신호처리(DSP)가 추가 장착되고, 듀얼모드의 2개의 방사주파수(RF)부가 구현되는 경우, 종래의 인쇄회로기판 실장구조로는 부품간의 간섭에 의한 방사주파수(RF)감도의 열화를 피할 수 없기 때문에 이동통신단말기의 기본 통신에 장애를 가져오는 문제점이 발생된다. 따라서, 복수개의 기판으로 적층된 두 개의 인쇄회로기판을 사용하여 하나의 인쇄회로기판의 상,하층면의 좌측 두개소에는 방사주파수(RF)부품을, 상,하층면의 우측 두개소에는 모뎀 메모리를 각각 실장하고, 다른 하나의 인쇄회로기판에는 디지털신호처리(DSP)부품과 카메라 및 액정디스플레이(LCD) 구동부품을 실장함으로써, 영상통화 및 멀티미디어 데이터를 전송하는 제3세대 단말기에서 모든 디지털 부위가 방사주파수(RF)부위와 동시에 동작하더라도 방사주파수(RF)감도의 열화를 방지하여 기본적인 통신기능의 장애를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020030091980A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：KR1020037010068

申请日：2002-01-25

Applicant: 인피니온 테크놀로지스 아게

Inventor： 헬레베르그,헨릭 ,  엠릭스,안데르스 ,  소딘,하칸

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H04M3/005 ,  H04M2201/06

Abstract: 본 발명은 반도체 회로의 조정기에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제1 전위에 있도록 적응되고, p형일 때에는 제1 전위 이하이고 n형일 때에는 상기 제1 전위 이상인 제2 전위를 제공하도록 적응된 전압원에 전압 공급 단자를 거쳐 접속가능한 기판을 구비하는 반도체 회로가, 상기 기판과 상기 전압 공급 단자 사이에 상호 접속되어, 기판에 인가되는 상기 제1 전위가 접지와 상기 제2 전위 사이의 범위가 되도록 제어하는 조정기를 구비한다. 이에 의해, 종래 기술보다 적은 전력 손실을 갖는 개선된 반도체 회로를 제공할 수 있으며, 반도체 소자의 기판 전위를 특정 동작 모드에 대해 최적의 값으로 제어할 수 있다.