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公开(公告)号：JPWO2004090967A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：JP2005505180
申请日：2004-03-15
IPC: H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/22 , H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67306 , H01L21/67103 , H01L21/67309 , H01L21/68735 , H01L21/6875 , H01L21/68757
Abstract: 本発明の熱処理治具によれば、搭載する円板形状を半導体ウェーハの直径の60%以上からなり、その厚さは1.0mm以上、10mm以下で、前記ウェーハと接触する面の表面粗さ(Ra値)は0.1μm以上、100μm以下とし、その平坦度を同心円方向および直径方向で規定することにより、または、前記の平坦度に替えて、多点の平面度測定により各領域での最大高さを測定し、求めた仮想平均値面との差が50μm以下にすることにより、半導体ウェーハが熱処理治具と密着することによって発生するスリップを低減することができる。これにより、自重応力の大きい半導体ウェーハを熱処理する場合でも、スリップの発生を有効に防止でき、安定した半導体基板用の熱処理治具として広く適用できる。
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公开(公告)号：JPWO2017077701A1
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2017516966
申请日：2016-10-31
CPC classification number: C30B29/06
Abstract: 結晶引き上げ方向の酸素濃度の変動を抑制することができる単結晶シリコンの製造方法を提案する。坩堝12に充填されたシリコン融液13に種結晶17を浸漬し、該種結晶17の引き上げ方向に垂直な方向に磁場を印加した状態の下で、坩堝12を回転させるとともに、種結晶17を回転させつつ引き上げて、種結晶17上に単結晶シリコン16を成長させる単結晶シリコンの製造方法において、種結晶17の引き上げは、シリコン融液13が、少なくとも固液界面下にて、種結晶17の引き上げ軸を含みかつ磁場の印加方向に平行な面について一方側から他方側に流動する状態の下で種結晶の引き上げを行うことを特徴とする。
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公开(公告)号：JP2017088441A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015219242
申请日：2015-11-09
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： KUROSAKA SHOEI
IPC: C30B29/06
Abstract: 【課題】ルツボ内の融液にドーパントを供給するとき、ドーパントが融液に接触して弾け飛ぶのを確実に防止する。【解決手段】本発明は、ルツボ13に貯留された融液14から単結晶を引上げた後であって、この単結晶を引上げたルツボ13内の融液14から新たに別の単結晶を引上げる前に、ルツボ13内に原料21を供給して溶融させる原料21のリチャージ方法である。この発明は、単結晶にドープするためのドーパントを、原料21と同一材質の蓋付容器26であって蓋の離脱阻止機構を有する蓋付容器26に収容するドーパント収容工程と、このドーパントを収容した蓋付容器26を原料21とともにルツボ13内の融液14に供給するドーパント供給工程とを含む。【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017085045A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2015214606
申请日：2015-10-30
Applicant: 株式会社Sumco , Sumco Corp , 株式会社Sumco
Inventor： TERAKAWA YOSHINARI , TANIMOTO RYUICHI , KANEKO HIRONORI
IPC: H01L21/304 , B24B37/30
CPC classification number: B24B37/30 , H01L21/304
Abstract: 【課題】ウェーハ面内の研磨量の均一性を高めることが可能なウェーハ研磨装置を提供する。【解決手段】ウェーハ研磨装置1は、研磨パッド22が貼り付けられた回転定盤21と、研磨パッド22上に載置されたウェーハWを押圧しながら保持する研磨ヘッド10とを備える。研磨ヘッド10は、ウェーハWの上面に当接して押圧力を付与するメンブレン16と、メンブレン16を支持する支持プレート15とを備える。メンブレン16は、支持プレート15の底面と対向する主面部16aと、支持プレート15の外周端面と対向する側面部16bとを有し、メンブレン16の側面部16bによる縦方向の張力は、メンブレン16の主面部16aによる横方向の張力よりも大きい。【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2015186288A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016525673
申请日：2015-04-10
Inventor： 智司 工藤 , 智司 工藤 , 中村 浩三 , 浩三 中村 , 寿行 村中 , 寿行 村中 , 脩平 松田 , 脩平 松田 , 大基 金 , 大基 金 , 平木 敬一郎 , 敬一郎 平木
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , H01L21/221 , H01L21/3221 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L29/34
Abstract: この製造方法は、アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程とを含み、未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程と、ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すか否かを判断する。これにより、ウェーハ上に偏在するLPDが低減されたウェーハが得られる。
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公开(公告)号：JPWO2015099000A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015554978
申请日：2014-12-25
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 【課題】高温下での変形が抑制された石英ガラスルツボ及びその製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラスルツボ1は、円筒状の直胴部10aと、直胴部10aの下端に形成されたコーナー部10cと、コーナー部10cを介して直胴部10aに接続された底部10bとを有している。また、石英ガラスルツボ1は、外層を構成する気泡を内包する不透明層11と、内層を構成する気泡が除去された透明層12とを備えている。少なくとも直胴部10aにおける不透明層11と透明層12との境界面は、上下方向に周期的な波面を形成している。【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2014129304A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015501387
申请日：2014-02-04
IPC: H01L21/304 , B24B7/04 , B24B7/17 , B24B27/06 , B24B37/08
CPC classification number: H01L21/02013 , B24B7/228 , B24B27/0633 , B24B37/08 , B24B37/107 , B28D5/045
Abstract: 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置を用いてスライスして得たウェーハの一方の面全面に硬化性材料を塗布した平坦な表面を基準面としてウェーハの他方の面を平面研削し、平面研削したウェーハの他方の面を基準面としてウェーハの一方の面を平面研削するウェーハの加工方法において、ウェーハをスライスした直後にウェーハの両面を同時に平坦化加工する。【選択図】図1
Abstract translation: 半导体单晶锭表面可固化材料研磨晶片的另一面作为基准面的平坦表面被施加到通过用锯装置的线切割，并且表面研磨晶片获得的一个表面整个晶片 在晶片的其它处理方法进行表面研磨晶片表面作为基准表面的一个表面上，同时处理切片晶片后，立即压平所述晶片的两个表面上。 点域1
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