Abstract:
실리콘을 공급할 수 있는 다공성 기재를 제공하는 제1단계; 상기 다공성 기재 표면 상에 제올라이트 종자 결정들(seed crystals)을 적용하는 제2단계; 종자 결정들이 적용된 다공성 기재를 구조 유도제(Structure directing agent) 함유 수용액으로 코팅하는 제3단계; 및 제3단계에서 준비된 종자 결정들이 적용된 다공성 기재 내 수분이 증기(steam)를 형성할 수 있는 온도 이상에서 2차 성장법을 이용하여 상기 종자 결정들로부터 막을 형성 및 성장시키는 제4단계를 포함하여, 박막 또는 후막을 제조하는 방법; 및 상기 방법에 의해 제조된 막을 제공한다. 본 발명에 따른 막 제조 방법은 간단한 제조공정으로 이루어져 있어서, 높은 재현성을 가지며 높은 생산성(throughput)을 갖는다. 합성 젤을 사용하지 않고 용액을 사용함으로써 불필요한 원료들 소모를 줄일 수 있고 환경오염을 줄이고 합성젤이 낭비되지 아니하며, 막을 건조 및 세척할 필요가 없다.
Abstract:
본 발명은 양전자방출 단층촬영술(PET)용 방사성의약품의 전구체, 그 제조방법과 응용에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 4가 유기염의 이탈기를 갖는 전구체, 그 제조방법 및 이를 이용하여 단일 단계로 18 F를 도입함으로써 짧은 제조시간 내에 원하는 PET 방사성의약품을 높은 방사화학적 수율로 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 4가 유기염 이탈기를 포함하는 전구체는 기존의 다단계의 복잡한 방사성의약품 제조를 단일 단계로 단순화시킬 수 있으며, 과량의 상전이 촉매가 필요 없어 생산 비용을 절감할 수 있고, 반응 후 화합물 분리가 용이하고, 반응속도가 빠른 장점이 있다. 이러한 특징은 자동화 합성 시스템에 의한 PET 방사성의약품 대량생산에 적합하다.
Abstract:
3차원으로 배열된 제 1 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 제 1 기공 내에 형성되며, 상기 제 1 기공의 크기보다 작은 3차원으로 배열된 제 2 기공을 가지는 제 2 전이금속 산화물 구조체를 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법, 상기 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하는 계층형 다공성 광전극, 및 상기 계층형 다공성 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 합성영상을 생성하는 방법에 관한 것으로서, 수신 동적 빔집속 방법에 의해 영상 데이터를 생성하고, 합성구경 빔집속 방법에 의해 영상 데이터를 생성한 후, 수신 동적 빔집속 방법에 의해 생성한 영상 데이터와 합성구경 빔집속 방법에 의해 생성한 영상 데이터 각각에 초음파가 진행한 거리에 따른 가중치를 적용하여 합성하는 것을 특징으로 하며, 소정 깊이 이하의 초음파 영상 또는 가상 송신 음원 근방의 초음파 영상에는 수신 동적 빔집속 방법에 의해 영상 데이터를 주로 사용하고, 그 밖의 깊이의 초음파 영상에는 합성구경 빔집속 방법에 의해 얻어지는 영상 데이터를 주로 사용하는 영역 조합 방법을 이용하여 그레이팅 로브 및 영상 밝기의 왜곡을 없앨 수 있으며, 영상의 불균일성을 보상하고, 가상 송신 음원 근방에서도 균일한 에너지 분포를 가지도록 할 수 있다.
Abstract:
본원은 제 1 기재 상의 수용홈에 보조체를 삽입시켜, 상기 보조체의 제 1 표면은 상기 수용홈에 수용되고 상기 보조체의 제 2 표면은 외부로 노출시키는 단계; 상기 제 2 표면에 제 1 코팅층을 형성하는 단계; 상기 제 1 코팅층이 형성된 보조체와 제 2 기재를 부착하는 단계; 상기 제 2 기재에 부착된 상기 제 1 코팅층이 형성된 보조체를 상기 제 1 기재로부터 분리하여, 상기 제 1 코팅층이 형성된 보조체의 제 1 표면을 외부로 노출시키는 단계; 상기 제 1 표면 상에 제 2 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 코팅층과 상기 제 2 코팅층이 형성된 보조체를 상기 제 2 기재로부터 분리하는 단계: 를 포함하는, 입자의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 입자를 제공한다.
Abstract:
광전극의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 형성된 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 주형으로서 이용하여 다공성 전이금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법, 및 이에 의하여 제조된 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 화학식 1로 표시되는 기공형성제와 폴리 알킬실세스퀴옥산 공중합체를 매트릭스로하는 혼합용액의 비율을 최적화하고, 여기에 열처리 중에 자외선 경화를 하는 초저유전막의 제조방법 및 이에 의한 초저유전막에 관한 것이다. 본 발명에 의한 초저유전막은 1~3nm의 기공이 10~30%로 균일하게 분포되고, 2.12~2.4의 낮은 유전율에 10.5~19GPa의 매우 높은 기계적 탄성율을 달성하므로 현재 사용되는 SiO2 유전막을 대체하여 차세대 반도체의 층간절연막으로 사용할 수 있다.