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公开(公告)号：JP2017509151A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016552570
申请日：2015-01-15
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： シュバインツガー、マンフレッド , オーバーマイヤー、ステファン , デュデセク、パフォール
IPC: H01C7/12
Abstract: 本発明は、第1の電極(1)と第2の電極(2)とを有する過電圧保護素子(10)に関する。また、前記過電圧保護素子(10)は、前記第1の電極(1)と前記第2の電極(2)の間に配置された放電領域(6)を有する。多孔質の放電性誘電体(3)が放電領域(6)に配置され、前記過電圧保護素子(10)は、前記放電性誘電体(3)の細孔(7)からガスが放出されることにより、前記第1の電極(1)と前記第2の電極(2)の間に導電結合が形成されるよう構成されている。【選択図】図1A
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公开(公告)号：JP2017508298A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2016557028
申请日：2015-02-06
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： フェリペ ヘレス， , フェリペ ヘレス， , シュテファン ビュールマイアー， , シュテファン ビュールマイアー， , アンネリーゼ ドレスプリング， , アンネリーゼ ドレスプリング， , イェルン シュリーヴェ， , イェルン シュリーヴェ， , シュテファン シェフラー， , シュテファン シェフラー， , ヨアヒム ナッサル， , ヨアヒム ナッサル，
CPC classification number: H01F19/04 , H01F3/14 , H01F17/045 , H01F27/263 , H01F27/2823 , H01F27/29 , H01F27/292 , H01F41/0206 , H01F41/069 , H01F41/07 , H01F41/076 , H01F2017/0093
Abstract: 本発明は、インダクタンスデバイスおよびインダクタンスデバイスを製造するための方法に関し、ここで第1のコア部分(110)は第1および第2のワイヤ(10,20)によって巻回されており、第2のコア部分(120)は磁気回路を閉じるためにこの第1のコア部分(110)上に配設されている。本発明によるインダクタンスデバイスの設計および用いられているこれらの第1および第2のワイヤ(10,20)の巻回構造のおかげで、この本発明によるインダクタンスデバイスは、少ないモード変換、差動動作における小さなインダクタンス、コモンモード信号に対する大きなインダクタンス、一定の波動インピーダンスならびに第1および第2のワイヤ(10,20)の小さなキャパシタンスカップリング、および小さな洩れインダクタンスを備える。【選択図】図1A
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公开(公告)号：JP2017507894A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2016564416
申请日：2015-01-21
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
IPC: C04B35/462 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/47 , C04B2235/3201 , C04B2235/3213 , C04B2235/3236 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , H01G4/005 , H01G4/1218 , H01G4/30 , H01L41/187
Abstract: 【課題】少なくとも8V/μmのDCバイアス印加時に900以上の比較的高い比誘電率を有する誘電体組成物およびその誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供すること。【解決手段】主成分が下記式(1)の組成を有する誘電体組成物であって、a、b、c、dは、それぞれ、0.09≦a≦0.58、0.09≦b≦0.42、0.05≦c≦0.84、0
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公开(公告)号：JP2017504967A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016542671
申请日：2014-11-13
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
CPC classification number: H01C7/102 , H01C1/142 , H01C1/144 , H01C17/28 , H01C17/281 , H01C17/283 , H01C17/30
Abstract: バリスタ装置(100)の製造方法が提示される。この方法は、バリスタ装置(100)用の、セラミック材料を含む基体(1)を提供するステップと、卑金属電極領域(2)用の基材を基体に提供するステップと、卑金属電極領域(2)が形成され、かつバリスタ装置(100)の基体(1)に強固に接続されるように、基材を有する基体(1)を保護ガス雰囲気下においてある温度条件下で暴露するステップとを含む。
Abstract translation: 压敏电阻装置（100）的制造方法。 为变阻器装置的方法（100），包括以下步骤：提供衬底（1）包括陶瓷材料，包括：用于基体金属电极区域提供衬底（2）在基底上，基底金属电极区域（2） 形成有，并从而被刚性地连接到压敏电阻装置（100）的基体（1），和在一定温度下暴露的步骤，它是（1）具有基板的保护气体气氛下衬底。
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公开(公告)号：JP2017500737A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016533558
申请日：2014-11-25
Applicant: エプコス アーゲーEpcos Ag , エプコス アーゲーEpcos Ag
Inventor： フレイ，カルステン , フレイ，ユルゲン , ポリシュ，ヴォルフガング
IPC: H01F41/061 , H01F27/28
CPC classification number: H01F41/061 , H01F27/2823 , H01F27/2847 , H01F27/2895 , H01F41/077 , H01F41/08 , H01F41/082
Abstract: 線材(2)を巻回するための装置(1)は、線材(2)を摺動させるための送り装置(10)と、線材(2)を曲げるための変形装置(20)および勾配付与装置(30)とを備えている。線材(2)が変形装置(20)および勾配付与装置(30)内を摺動する際にらせん状に曲げられるように、変形装置(20)および勾配付与装置(30)が形成されている。さらに、この方法によって製作可能な誘導性要素(4)が提供される。
Abstract translation: 一种用于绕线（2）（1）包括：进给装置用于滑动线（2）（10），变形装置用于弯曲金属丝（2）（20）和所述梯度施加装置 （30）和一个。 如在电线弯曲螺旋（2）滑动变形装置（20）和所述梯度施加装置（30），可变形的装置（20）和所述梯度施加装置（30）形成。 此外，现有的感应元件（4）通过该方法提供的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016529721A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016533865
申请日：2014-07-22
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： マーティン ガラー， , マーティン ガラー， , マリオン オットリンガー， , マリオン オットリンガー，
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/293
CPC classification number: H01L41/0472 , B23K1/0016 , H01C1/14 , H01C7/10 , H01C17/28 , H01G4/008 , H01G4/228 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H01G13/006 , H01L41/293
Abstract: 【課題を解決するための手段】本発明は基体(2)および外部接続部(9)を備える多層デバイス(1)を提供する。この外部接続部(9)は、接続部材(4)およびコンタクト層(3)を備える。このコンタクト層(3)は、基体(2)を接続部材(4)と電気的に導通して結合しており、ここで基体(2)と接続部材(4)との間の結合は、このコンタクト層(3)の焼結によって生成される。さらに本発明は、多層デバイス(1)を製造するための方法を提供する。本方法は、基体(2)および接続部材(4)を準備するステップと、この基体(2)の少なくとも1つの外面上に金属ペーストを塗布するステップと、この接続部材(4)を金属ペースト上に設置するステップと、この金属ペーストを焼結するステップであって、これによって上記の接続部材(4)を基体(2)と結合する焼結ステップとを備える。【選択図】図1
Abstract translation: 用于解决问题的方案本发明提供了一种包括衬底（2）和（9）的外部连接的多层器件（1）。 外部连接部（9）包括连接构件（4）和接触层（3）。 接触层（3）连接以进行基座（2）的连接部件（4）和电，其特征在于，所述基体（2）和连接构件之间的耦合（4），所述 由接触层（3）的烧结制造。 本发明进一步提供一种用于制造多层器件（1）的方法。 的方法，所述衬底（2）和连接件（4）提供的以下步骤：在所述基体（2）的至少一个外表面施加金属膏，在金属膏中的连接部件（4） 包括安装的步骤包括耦合从而所述连接件烧结所述金属膏并烧结步骤的步骤（4）和所述基板（2）上。 点域1
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公开(公告)号：JP2016526277A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2016510971
申请日：2014-03-21
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： ヴォルフガング パール， , ヴォルフガング パール，
IPC: H01L25/065 , B81B3/00 , B81C3/00 , H01L21/60 , H01L23/02 , H01L25/07 , H01L25/18 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0064 , B81B7/008 , B81B2201/0257 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2203/0785 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/1703 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/81
Abstract: ウェーハレベルで生成可能な、第1のチップおよびこれと結合された第2のチップを有するデバイスが提示される。この結合は、第1の結合パターンおよび第2の結合パターンと、第1のコンタクトパターンおよび第2のコンタクトパターン(すくなくとも部分的)とにより生成される。第1のチップと第1の結合パターンとの間のマッチングパターンは、第1の結合パターンと第2の結合パターンとの間の高さの差を解決する。【選択図】図1
Abstract translation: 可以在晶片级被生成，呈现具有第一芯片和与其连接的第二芯片的设备。 这种结合通过第一结合图案和第二结合图案，所述第一接触图形和第二接触图案（至少部分地）产生。 匹配所述第一芯片和所述第一结合图案之间的图案，为了解决第一结合图案和第二结合图案之间的高度差。 点域1
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公开(公告)号：JP2016524302A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016524849
申请日：2015-05-21
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： ペーター ボーベルト， , ペーター ボーベルト，
IPC: H01H47/04
CPC classification number: H01H50/36 , H01H47/04 , H01H50/045 , H01H50/86
Abstract: 本発明はリレー(1)に関し、該リレーは第1端子(2)と、第2端子(3)と、閉状態にて第1端子(2)と第2端子(3)との間の電気的な接続をもたらし、開状態にて第1端子(2)と第2端子(3)との間の電気的な非接続をもたらす接点(4)と、オンに切り換えられれば、接点(4)を閉状態とするように構成された第1電磁石(5)と、接点(4)が閉状態にあって、オンに切り換えられれば、接点(4)を閉状態に維持するように構成された第2電磁石(6)を具備する。【選択図】図1
Abstract translation: 本发明涉及一种继电器（1），所述中继器与所述第一端子（2），并且所述第二端子（3），第一端子（2）的第二端子之间的电（3）在闭合状态下 具体引线连接，从而在第一端子之间的电连接断开，在打开状态中的接触和（2）和第二端子（3）（4），只要接通时，触点（4） 其被配置为关闭状态（5）的第一电磁体，所述触头（4）处于闭合状态时，只要接通，其被配置为保持在闭合状态的接触件（4） 第二包括电磁体（6）。 点域1
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公开(公告)号：JP2016517190A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015546904
申请日：2013-10-17
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor： アンドレアス デトレフゼン， , アンドレアス デトレフゼン， , モハメド， ニザル メロウリ， , モハメド， ニザル メロウリ，
CPC classification number: H04R17/00 , H03H9/02228 , H03H9/14544 , H03H9/14594 , H03H9/6426 , H03H9/6493 , H03H9/6496
Abstract: 平担化された挿入損失を有するバンドパスフィルタBFPが提示される。このバンドパスフィルタは電子音響活性デバイスによって動作する。このバンドパスフィルタは、第1の周波数f1で挿入損失のピークを有する第1の変換器セグメントと、f1と異なる第2の周波数f2で挿入損失のピークを有する第2の変換器セグメントを備える。これらの周波数f1およびf2は、挿入損失が平坦化されるように設定されている。【選択図】図1
Abstract translation: 具有平坦化呈现的插入损耗的带通滤波器BFP。 带通滤波器由电声活动装置操作。 所述带通滤波器包括具有第一频率f1的峰值插入损耗的第一换能器段，其具有在一个不同的第二频率F2 F1的峰值插入损耗第二换能器段。 这些频率f1和f2，插入损耗被设置为平坦化。 点域1
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公开(公告)号：JP2016510959A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2015560596
申请日：2014-01-29
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
CPC classification number: H05K1/181 , H03H9/0542 , H03H9/0547 , H03H9/0566 , H03H9/1007 , H03H9/1057 , H03H9/1064 , H05K3/10 , H05K3/303 , H05K3/3421
Abstract: 様々な回路技術との使用に適合されている、小型化された部品を提示する。部品は、支持体、および支持体上の機能構造物を含んでいる。薄膜カバーが、機能構造物を覆い、かつ薄膜カバー上に配置される回路コンポーネントのための据付台座として用いられる。回路コンポーネントは導線を介して機能構造物と接続されている。【選択図】図1
Abstract translation: 它适于与各种电路技术，以提供一个小型化的零件使用。 部件包括一个支撑，并且在载体上功能性结构。 薄膜盖，覆盖所述功能的结构，并且被用作用于设置在所述薄膜盖的电路部件的安装基座。 电路组件经由导体连接和功能结构。 点域1
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