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公开(公告)号：CN104703080B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410717696.X
申请日：2014-12-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , H04R19/04 , H04R29/004
Abstract: 本发明提出一种容性MEMS麦克风构件，其能够可选地运行用于检测声学信号(麦克风模式)或用于检测在限定的频率范围中的超声波信号(超声波模式)。在MEMS麦克风构件的层结构中至少两个承载元件相叠地并相互间隔开地构造，至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，该电容器装置用于信号检测。这两个承载元件中的至少一个是声压敏感的，两个电极侧中的至少一个包括能相互独立地电接触的至少两个电极区段，至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极形成相互独立的子电容，如果声压敏感的承载元件以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则电极区段的形状和平面延展通过声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。
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公开(公告)号：CN109678105A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00293 , B81C2201/0178 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145 , B81C1/00277 , B81B7/0035 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN109641741A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053215.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·克拉森
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B3/0005 , B81B7/0051 , B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C1/00968 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0178 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。
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公开(公告)号：CN108698812A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680067399.2
申请日：2016-09-19
Applicant: 韦斯伯技术公司
Inventor： R·J·利特尔
CPC classification number: H04R17/025 , B81B3/0048 , B81B2201/0257 , B81B2203/0118 , B81B2203/0163 , H01L41/27 , H04R17/02 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2410/03
Abstract: 一种换能器以及用于处理MEMS换能器的方法。在一方面，所述MEMS换能器包括第一板和第二板。所述MEMS换能器还可以包括大致位于所述第一板和所述第二板之间的弹簧，所述第一弹簧臂和所述第二弹簧臂的尺寸被设计成使得所述第一板和所述第二板之间的垂直挠曲失配相对于在不依赖于所述弹簧的情况下所述第一板和所述第二板之间的垂直挠曲失配有所减少。
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公开(公告)号：CN106145025B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510849489.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00293 , B81C2201/0112 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括第一衬底，第一衬底具有前侧和背侧。背侧包括延伸至第一衬底内的第一空腔。介电层设置在第一衬底的背侧上，并且包括对应于第一空腔的开口以及远离开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽。位于第一衬底的前侧中的凹槽从前侧向下延伸至介电层。凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，下部侧壁从基本垂直的侧壁至介电层上的围绕气体入口凹槽的位置处向内锥形化。共形密封剂层布置在第一衬底的前侧上方、沿着基本垂直的上部侧壁和沿着下部侧壁。密封剂层气密密封气体入口凹槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104340949B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410370739.1
申请日：2014-07-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·G·齐格里欧里
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0154 , H01L23/3142 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H01L2924/00012
Abstract: 为了制造封装器件，将具有感测区域的裸片键合到支撑物，并在所述支撑物上模制可模制材料的封装块使得围绕所述裸片。在封装块的模制期间形成腔室，该腔室面对感测区域并连接到外部环境。为此，在感测区域上滴涂可以蒸发/升华的材料的牺牲块；在牺牲块上模制封装块；在封装块中形成通孔以延伸至牺牲块；牺牲块通过该孔蒸发/升华。
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公开(公告)号：CN104883651B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510063342.2
申请日：2015-02-06
Applicant: 先技股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R17/02 , B81B3/0051 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , H04R2201/003
Abstract: 一种微机电麦克风装置，包括基板、微机电麦克风薄膜与氧化层。基板具有第一凹陷部。微机电麦克风薄膜位于基板上方且覆盖第一凹陷部并定义出第一空腔，微机电麦克风薄膜包括弹性部与结合部。弹性部位于微机电麦克风薄膜的中央位置，且被多个第一沟槽包围，所述多个第一沟槽彼此分离地沿弹性部的边缘排列并贯穿弹性部的相对两面。结合部位于微机电麦克风薄膜的边缘位置，连接弹性部。氧化层具有第二凹陷部，连接微机电麦克风薄膜的结合部，第二凹陷部暴露出至少部分的微机电麦克风薄膜。
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公开(公告)号：CN106395730B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610004627.3
申请日：2016-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C2201/053 , B81C2203/0792
Abstract: 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN108017037A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710401428.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： E·杜奇 , M·阿兹佩蒂亚尤尔奎亚 , L·巴尔多
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , B81C1/00269 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本申请涉及换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法。制造换能器模块的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一MEMS换能器、具体是陀螺仪以及具有悬置薄膜的第二MEMS换能器、具体是加速度计；在所述衬底上形成导电层并且将所述导电层限定为同时提供电气地耦合到所述第一换能器的至少一个导电带以及所述第二MEMS换能器的所述薄膜。
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公开(公告)号：CN107986225A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201611191404.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 鑫创科技股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/001 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00984 , H04R31/003 , H04R2201/003 , B81B3/0002 , B81B3/0027 , B81B7/02 , B81C1/00158 , B81C1/0096 , B81C2201/11
Abstract: 本发明公开一种微机电系统(MEMS)装置以及制作微机电系统的方法。该微机电系统装置包括衬底、介电支撑层、隔膜、背板。所述衬底具有与隔膜区对应的衬底开口。所述介电支撑层安置于所述衬底上，具有与所述衬底开口对应的介电开口以形成所述隔膜区。位于所述介电开口内的所述隔膜在周边处由所述介电支撑层固持。所述背板安置于所述介电支撑层上，具有多个通孔，所述多个通孔连接至所述介电开口。所述背板包括导电层及在与所述隔膜相对的第一侧处覆盖在所述导电层上的保护层，其中所述导电层的第二侧面对所述隔膜且不被所述保护层覆盖。
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