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    TRANSISTOR PMOS A CANAL CONTRAINT ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
    63.
    发明申请
    TRANSISTOR PMOS A CANAL CONTRAINT ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT 审中-公开
    应变通道PMOS晶体管和相应的生产方法

    公开(公告)号：WO2006103321A1

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：PCT/FR2005/000792

    申请日：2005-04-01

    Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  CHANEMOUGAME, Daniel

    Inventor： CHANEMOUGAME, Daniel

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10

    CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7842

    Abstract: Le transistor PMOS (TR) a une largeur de canal W inférieure à 1 micromètre, une longueur de canal inférieure ou égale - à 0,1 micromètre, et une distance supérieure à 0,5 micromètre entre un bord du canal et le bord correspondant de la zone active. La réalisation de la zone active comporte une épitaxie sur un premier matériau semi­conducteur (SB) d'une couche intermédiaire (CI) formée d'un deuxième matériau semi-conducteur ayant un paramètre de maille plus grand que celui du premier matériau, et une épitaxie sur la couche intermédiaire (CI) d'une couche supérieure (CS) formée du premier matériau, une gravure anisotrope (GR) de la couche supérieure et de la couche intermédiaire de part et d'autre des deux flancs de la région de grille, et le comblement des évidements ainsi formés par une épitaxie (EPX) du premier matériau.

    Abstract translation: 本发明涉及一种PMOS（TR）晶体管，其沟道宽度W小于1微米，沟道长度小于或等于0.1微米，沟道边缘与相应边缘之间的距离大于0.5微米 的活动区域。 有源区通过以下步骤产生：在由第二半导体材料形成的中间层（CI）的第一半导体材料（SB）上进行外延生长，第二半导体材料的晶格参数大于第一材料的晶格参数，中间层 由第一材料形成的上层（CS）的上部层（CS），栅格区域的两个侧面的两侧的上层和中间层的各向异性蚀刻（GR）以及孔的填充 由第一材料的外延（EPX）形成。

    PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR LA FORMATION D'UN SUPPORT A FLANCS RENTRANTS DESTINÉ NOTAMMENT AU CONFINEMENT DE GOUTTE POUR AUTO-ASSEMBLAGE CAPILLAIRE
    67.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR LA FORMATION D'UN SUPPORT A FLANCS RENTRANTS DESTINÉ NOTAMMENT AU CONFINEMENT DE GOUTTE POUR AUTO-ASSEMBLAGE CAPILLAIRE 审中-公开
    用于形成具有楔形法兰的载体的蚀刻方法，特别是用于配置用于毛细自动组装的刮刀

    公开(公告)号：WO2015004096A1

    公开(公告)日：2015-01-15

    申请号：PCT/EP2014/064518

    申请日：2014-07-08

    Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： MERMOZ, Sébastien ,  DI CIOCCIO, Léa ,  MAGIS, Thomas ,  SANCHEZ, Loic

    IPC: H01L21/98 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: B01L3/561 ,  B01L3/502 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0838 ,  B81B1/002 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00555 ,  B81C1/00626 ,  B81C3/005 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/30655 ,  H01L23/13 ,  H01L2224/95146

    Abstract: L'invention porte sur un procédé d'auto-assemblage capillaire d'une plaque et d'un support (S), comprenant : - la formation d'un masque de gravure sur une région d'un substrat; - la gravure ionique réactive du substrat au moyen d'une série de cycles comprenant chacun une étape de gravure isotrope suivie d'une étape de passivation de surface, la durée de l'étape de gravure isotrope de chaque cycle augmentant d'un cycle à l'autre, le ratio entre les durées des étapes de passivation et de gravure de chaque cycle étant inférieur à un ratio permettant de réaliser une gravure anisotrope verticale, de manière à former un support (S) présentant une surface supérieure (1) constituée par ladite région et des parois latérales (2) formant avec la surface supérieure un angle aigu (β); - le retrait du masque de gravure; - le placement d'une goutte (G) sur la surface supérieure du support; - la pose de la plaque sur la goutte (G).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于板和载体（S）的毛细管自组装的方法，其包括：在衬底的区域上形成蚀刻掩模; 使用一系列循环的衬底的反应离子蚀刻，每个循环包括各向同性蚀刻的步骤，随后是表面钝化步骤，其中每个循环的各向同性蚀刻步骤的持续时间从一个循环增加到另一个周期之间的比率 每个循环的钝化和蚀刻步骤的持续时间低于用于进行垂直各向异性蚀刻的比例，以便形成具有由所述区域和侧壁（2）限定的上表面（1）的载体（S），侧壁限定 具有所述上表面的锐角（＆bgr;）; 去除蚀刻掩模; 将液滴（G）放置在载体的上表面上; 并将板放置在液滴（G）上。

    PROCEDE DE MESURE DES VARIATIONS D'EPAISSEUR D'UNE COUCHE D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE MULTICOUCHE
    68.
    发明申请
    PROCEDE DE MESURE DES VARIATIONS D'EPAISSEUR D'UNE COUCHE D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE MULTICOUCHE 审中-公开
    用于测量多层半导体结构层厚度变化的方法

    公开(公告)号：WO2014072109A1

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：PCT/EP2013/069528

    申请日：2013-09-19

    Applicant: SOITEC ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

    Inventor： KONONCHUK, Oleg ,  DUTARTRE, Didier

    IPC: G01B11/06 ,  G01B11/30

    CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/0633 ,  G01B11/30 ,  G02B21/361 ,  H01L22/12

    Abstract: L'invention concerne un procédé de mesure des variations d'épaisseur d'une couche d'une structure semi-conductrice multicouche, caractérisé en ce qu'il comprend : - l'acquisition, par un système d'acquisition d'image, d'au moins une image de la surface de ladite structure, ladite image étant obtenue par réflexion d'un flux lumineux quasi-monochromatique sur la surface de ladite structure, - le traitement de ladite au moins une image acquise de sorte à déterminer, à partir des variations d'intensité de la lumière réfléchie par ladite surface, les variations de l'épaisseur de ladite couche à mesurer, et en ce que la longueur d'onde dudit flux lumineux quasi-monochromatique est choisie de sorte à correspondre à un minimum de la sensibilité de la réflectivité par rapport à une couche de la structure autre que la couche dont les variations d'épaisseur doivent être mesurées, ladite sensibilité de la réflectivité par rapport à une couche étant égale au rapport entre : - la différence entre les réflectivités de deux structures multicouches pour lesquelles la couche considérée présente une différence d'épaisseur donnée et - ladite différence d'épaisseur donnée, les épaisseurs des autres couches étant quant à elles identiques dans les deux structures multicouches. L'invention concerne également un système de mesure pour la mise en œuvre dudit procédé.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量多层半导体结构的层中的厚度变化的方法，其特征在于，其包括：经由图像采集系统获取所述结构的表面的至少一个图像，所述图像通过反射 来自所述结构表面的几乎单色的光通量; 并且处理所述至少一个获取的图像，以便根据从所述表面反射的光的强度的变化来确定所述测量层的厚度的变化，并且选择所述几乎单色光束的波长 对应于除了必须测量其厚度变化的层之外的结构层的反射率的最小值，所述层的反射率的灵敏度等于以下的比率：反射率之间的差异 的两层多层结构，其中所述层具有给定的厚度差; 对于所述给定的厚度差，其他层的厚度在两个多层结构中是相同的。 本发明还涉及实现所述方法的测量系统。

    SYSTEME DE CONVERSION D'ENERGIE THERMIQUE EN ENERGIE ELECTRIQUE
    69.
    发明申请
    SYSTEME DE CONVERSION D'ENERGIE THERMIQUE EN ENERGIE ELECTRIQUE 审中-公开
    将热能转化为电能的系统

    公开(公告)号：WO2013007693A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：PCT/EP2012/063413

    申请日：2012-07-09

    Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  SAVELLI, Guillaume ,  CORONEL, Philippe ,  MONFRAY, Stéphane ,  SKOTNICKI, Thomas

    Inventor： SAVELLI, Guillaume ,  CORONEL, Philippe ,  MONFRAY, Stéphane ,  SKOTNICKI, Thomas

    IPC: H02N2/18 ,  H01L41/113

    CPC classification number: F03G7/06 ,  F03G7/065 ,  H01L41/1136 ,  H02N2/18 ,  H02N2/188

    Abstract: Ensemble de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant au moins un bilame (8) sensible à la température et disposé dans un espace (6) délimité par une source chaude (TH) et une source froide (TC) situées en face l'une de l'autre, ledit bilame (8) s'étendant le long d'un axe longitudinal (X), au moins un élément suspendu (10) solidaire en mouvement du bilame (8) et s'étendant latéralement à partir du bilame (8) et comportant une extrémité libre (10.2), et au moins un élément piézoélectrique (12) suspendu à une pièce fixe par rapport au bilame (8) et est mis en vibration par l'élément suspendu (10) de sorte qu'il soit mis en vibration lorsque le bilame (8) change de configuration et l'élément suspendu vienne en contact avec l'élément piézoélectrique, ledit élément piézoélectrique (12) étant situé en dehors de l'espace défini entre le bilame (8) et la source chaude (TH) et en dehors de l'espace entre le bilame (8) et la source froide (TC).

    Abstract translation: 用于将热能转换成电能的装置，包括设置在由热源（TH）和冷源（TC）限定的空间（6）中的至少一个温度敏感双稳态（8），所述两个位置彼此相对定位，所述双稳态 8），沿着纵向轴线（X）延伸，至少一个悬挂元件（10），其与所述双头（8）一体运动并且从所述双头（8）横向延伸并且包括自由端（10.2），以及至少一个 压电元件（12）从相对于双头（8）静止的片悬挂并被悬挂元件（10）振动，使得当双稳态（8）改变构型并且悬挂元件接触时，其被设定为振动 与所述压电元件相对，所述压电元件（12）位于所述双头（8）和所述热源（TH）之间的空间的外部，并且位于所述双头（8）和所述冷源（TC）之间的空间的外部。

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