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公开(公告)号：JP3548127B2
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：JP2001052695
申请日：2001-02-27
Inventor： アレッサンドロ・ヴェンカ , ヴァレリオ・ピサーティ , マルコ・カッツァニーガ
CPC classification number: G06G7/163 , H03D7/1408 , H03D7/1433 , H03D7/1491 , H03D2200/0086
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公开(公告)号：JP2004134763A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：JP2003307928
申请日：2003-08-29
Applicant: Nokia Corp , Stmicroelectronics Srl , エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エルSTMicroelectronics S.r.l. , ノキア コーポレイションNokia Corporation
Inventor： ZERBINI SARAH , MERASSI ANGELO , SPINOLA DURANTE GUIDO , DE MASI BIAGIO
IPC: G01P21/00 , B81B3/00 , G01P1/02 , G01P15/06 , G01P15/08 , G01P15/18 , H01H1/00 , H01H35/14 , H01L29/84
CPC classification number: H01H1/0036 , G01P1/023 , G01P15/06 , G01P15/0802 , G01P15/0891 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , H01H35/146
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an inertial sensor having a failure threshold.
SOLUTION: A process of manufacturing the inertial sensor, having a failure threshold includes the steps of: on the substrate 2 of a semiconductor wafer 1, forming at least one sample element 6 embedded in a sacrificial region 3 and 12; on the sacrificial region 3 and 12, forming a body 18 connected to the sample element 6; and etching the sacrificial region 3 and 12 to free the body 18 and the sample element 6.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO-
公开(公告)号：JP2004509551A
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：JP2002528912
申请日：2001-09-18
Inventor： ガッリーナ、ピエトロ , サバ、ジャンカルロ , ジンコ、ジャンカルロ , ディアッツィ、クラウディオ , バッタリーン、ルカ , ペデュート、ヴィットリオ
CPC classification number: H03K17/162 , H01L41/042 , H03K4/94 , H03K2217/0036
Abstract: 本発明は、電圧波形を印加される、容量性電気的負荷（１１）の少なくとも１つの端部（Ｘ）に接続されるドライバ部分（１２）を含む、容量性負荷のための高効率ドライバ回路に関連する。 その回路はさらに、負荷（１１）によって要求される全電流の一部を供給するために、容量性負荷（１１）の１つの端部（Ｘ）に接続される出力を有するスイッチング回路部分（１３）をさらに備えることが有利である。 簡単に述べると、本発明は、容量性負荷の両端間に生成される波形の品質を低下させることなく、線形／スイッチング構成を組み合わせることにより、容量性負荷が高い効率で駆動されるようにすることを目的とする回路構成である。
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公开(公告)号：JP2021174984A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2021044497
申请日：2021-03-18
Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. , STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： シモーネ ラスクーナ , マリオ ジウセッペ サッジーオ , ジオバッニ フランコ
IPC: H01L29/43 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/428 , H01L21/268 , H01L21/28
Abstract: 【課題】SiCを基礎とした電子装置及びSiCを基礎とした電子装置を製造する方法を提供する。 【解決手段】方法は、ウエハ100の基板53上の、N型の導電度を有するSiCからなるドリフト層52の上部表面上に、P型のドーパント種を注入させて該表面から開始して該ドリフト層内へ延在し、かつ、ドリフト層の上部表面と同一面状の上部表面を有している注入領域59’を形成するステップと、注入領域59’において第1カーボンリッチ電気的コンタクト領域59”を形成すべく1500℃乃至2600℃の間の温度へ注入領域59’の加熱を発生させるために、注入領域59’へ向けて指向されたレーザービーム82を発生させるステップ、を有している。第1カーボンリッチ電気的コンタクト領域59”はオーミックコンタクトを形成する。 【選択図】図7D
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公开(公告)号：JP2021141322A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2021030603
申请日：2021-02-26
Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. , STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： シモーネ ラスクーナ , パオロ バダラ , アンナ バッシ , マリオ ジウセッペ サッジーオ , ジオバッニ フランコ
IPC: H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/265 , H01L21/329
Abstract: 【課題】 SiCを基礎とする電子装置(50)を製造する改良した方法及びそれにより製造される電子装置を提供する。 【解決手段】 本方法は、SiCの基板(53)を用意し;該基板の前部上にSiCの構造層(52)を形成し;本電子装置(50)の使用期間中に電流の発生及び/又は導通における役割を有しているアクティブ領域を該構造層(52)内に形成し;第1電気端子(58)を該構造層(52)上に形成し;該基板の後部にチタンの中間層(72)を形成し;チタン化合物のオーミックコンタクトの形成のため局所的加熱を発生させるためにレーザービーム(82)によって該中間層(72)を加熱し;及び、本電子装置の第2電気端子(57)を該中間層上に形成する、上記各ステップを有している。 【選択図】 図6
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5740726B2
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：JP2010106511
申请日：2010-05-06
Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル , STMicroelectronics S.r.l.
Inventor： バガレリ フルビオ ギアコモ , マラノ ビンセンツォ , ポリ エンリコ
IPC: H02P8/00
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67.发明专利
公开(公告)号：JP5453065B2
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：JP2009268139
申请日：2009-11-25
Inventor： コロナト ルカ , カッツァニーガ ガブリエル , ゼルビーニ サラ
IPC: G01C19/5705 , G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5712 , Y10T29/49002
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公开(公告)号：JP5069682B2
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：JP2008522181
申请日：2005-07-22
Inventor： ロレンツォ ヴィターリ アンドレア , マストロマッテオ ウバルド , リコッティ ジュリオ , モレリ マルコ , デラ トーレ ルイジ
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0045 , G01L15/00
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公开(公告)号：JP2012147115A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：JP2011002313
申请日：2011-01-07
Applicant: Omron Corp , Stmicroelectronics Srl , エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l. , オムロン株式会社
Inventor： KASAI TAKASHI , SATO MASATAKE , UCHIDA YUKI , IGINO PADOVANI , FILIPPO DAVID , SEBASTIANO CONTI
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/0021 , H04R1/023 , H04R1/086 , H04R3/00 , H04R3/005 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2499/11
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an acoustic transducer which is capable of converting sound waves into a plurality of electrical signals and is capable of suppressing variations in acoustic characteristics.SOLUTION: In an acoustic sensor 11, a vibrating membrane 22 and a fixed membrane 23 are formed on an upper surface of a semiconductor substrate 21. In response to changes in electrostatic capacitance between the vibrating electrode 220 of the vibrating membrane 22 and a fixed electrode 230 of the fixed membrane 23, the acoustic sensor 11 converts sound waves into electrical signals to output them. In the acoustic sensor 11, at least one of the vibrating electrode 220 and the fixed electrode 230 is divided, and a plurality of electrical signals are outputted from the plurality of divided electrodes respectively.
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够将声波转换成多个电信号并且能够抑制声学特性的变化的声换能器。 解决方案：在声学传感器11中，在半导体衬底21的上表面上形成振动膜22和固定膜23.响应于振动膜22的振动电极220和 固定膜23的固定电极230，声传感器11将声波转换为电信号以输出它们。 在声传感器11中，将振动电极220和固定电极230中的至少一个分开，并从多个分割电极分别输出多个电信号。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT
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70.发明专利
公开(公告)号：JP4944090B2
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：JP2008503509
申请日：2006-03-28
Inventor： ラサランドラ アーネスト , ウンガレッティ トマソ , プランディ ルチアーノ
CPC classification number: H03H9/02409 , G01C19/5726 , G01P15/097 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H03H2009/02496
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