公开(公告)号：CN103943568A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310752006.X

申请日：2013-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勋 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹英相 ,  韩政男

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本公开提供了一种利用对隔离层的氮化来制造半导体器件的方法，该方法包括提供针对包括有源区和隔离区的暴露出的顶表面进行的等离子体氮化。可以使所述包括有源区和隔离区的暴露出的顶表面受到刻蚀，从而在所述有源区内形成一个比形成在所述隔离区内的更深的凹槽；并且可以在所述更深的凹槽内生长不合并的外延应力膜。

公开(公告)号：CN102543876A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110375613.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔锡宪 ,  尹普彦 ,  白在职 ,  赵炳权

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种具有金属栅电极的半导体器件的制造方法。所述方法包括制备具有第一区域和第二区域的半导体衬底的工序，以及在半导体衬底上形成绝缘层的工序。绝缘层形成为包含具有分别配置在第一和第二区域内的第一槽和第二槽的层间绝缘层、和至少覆盖第一和第二槽的底面的栅绝缘层。在具有绝缘层的衬底的整个表面上形成层叠金属层，在层叠金属层上形成具有非感光性的平坦化层。平坦化层形成为填充第一和第二槽。使用干法刻蚀工艺来选择性地去除第一区域内的平坦化层，以暴露第一区域内的层叠金属层并形成覆盖第二区域内的层叠金属层的平坦化层图案。

公开(公告)号：CN102117698A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN102082138A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010529467.7

申请日：2010-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种导电结构和集成电路器件。该导电结构包括延伸穿过衬底上的绝缘层的接触插塞，以及在该绝缘层上彼此并排延伸的第一导电线和第二导电线。该第一导电线延伸在该接触插塞上。在该绝缘层上的连接线延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线。还公开了相关的集成电路器件和制造方法。

公开(公告)号：CN1288722C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03103408.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在东 ,  尹普彦 ,  韩镛弼

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了用于化学机械抛光(CMP)的浆料，包括高平面性浆料和高选择比浆料。高平面性浆料含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子和第一浓度的阴离子聚合物钝化剂。高选择比浆含有至少一种金属氧化物研磨剂粒子；第二浓度的钝化剂，钝化剂的第二浓度比高平面性浆中钝化剂的第一浓度低；季胺及其盐之一；和pH调节剂。高选择比浆的pH在约高于抛光目标层的等电点至约低于抛光停止层的等电点的范围内。另外，还提供了使用具有高平面性和高选择比CMP浆料的CMP方法。

公开(公告)号：CN1127123C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN98102092.5

申请日：1998-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹普彦 ,  丁寅权 ,  李元成

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 形成半导体器件接触塞的方法，包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括：在形成接触塞之后，通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层，平面化-腐蚀绝缘层上表面和接触塞，直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化-腐蚀导电层和绝缘层，以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。

公开(公告)号：CN1100343C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN98117491.4

申请日：1998-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹普彦 ,  丁寅权

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

Abstract: 采用多步选择性抛光技术在半导体器件中形成接触塞的方法，选择性去掉层间绝缘膜和导电层，从而使CMP层的平整度和均匀性提高。该方法包括在具有多个扩散层和导电层的半导体衬底上形成层间绝缘膜。在淀积时层间绝缘膜具有不平整的上表面，其轮廓与形成于半导体衬底上的底层产生轮廓仿形。穿过层间绝缘膜开出接触孔，以暴露导电层的上表面或除导电层外的半导体衬底、在所得结构上淀积第二导电层。对所得结构进行多次选择性抛光是本发明的关键步骤。

公开(公告)号：CN1235373A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN99107204.9

申请日：1999-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹普彦 ,  洪锡智

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种用于在集成电路中形成接触芯柱且同时平面化衬底表面的方法,首先,在其中具有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构。在包括导电结构的半导体衬底上形成第一绝缘层。用接触孔形成掩模腐蚀第一绝缘层以形成接触孔。在第一绝缘层上形成导电层,用导电层填满接触孔。腐蚀该导电层直到露出第一绝缘层的上表面为止。在第一绝缘层上形成第二绝缘层。可以形成没有空隙的接触芯柱,同时通过平面化腐蚀第二和第一绝缘层来平面化衬底表面。

公开(公告)号：CN1211066A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98117491.4

申请日：1998-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹普彦 ,  丁寅权

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

Abstract: 采用多步选择性抛光技术在半导体器件中形成接触塞的方法,选择性去掉层间绝缘膜和导电层,从而使CMP层的平整度和均匀性提高。该方法包括在具有多个扩散层和导电层的半导体衬底上形成层间绝缘膜。在淀积时层间绝缘膜具有不平整的上表面,其轮廓与形成于半导体衬底上的底层产生轮廓仿形。穿过层间绝缘膜开出接触孔,以暴露导电层的上表面或除导电层外的半导体衬底、在所得结构上淀积第二导电层。对所得结构进行多次选择性抛光是本发明的关键步骤。