-
公开(公告)号：CN111341691A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910776613.7
申请日：2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , B23K26/362
Abstract: 一种基板处理装置包括：旋转卡盘，其上安装有基板，所述旋转卡盘旋转所述基板；化学液体喷嘴和去离子水喷嘴中的至少一个，化学液体喷嘴配置为向基板的表面提供化学液体，去离子水喷嘴配置为向基板的表面提供去离子水；以及激光设备，配置为发射周期为10-9秒或更短的脉冲波激光束以蚀刻基板的边缘。
-
公开(公告)号：CN108257893B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201711470648.5
申请日：2017-12-29
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。
-
公开(公告)号：CN100454549C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410057456.8
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/00 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852 , Y10S438/978
Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。
-
公开(公告)号：CN101236931A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810008637.X
申请日：2008-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。
-
公开(公告)号：CN111354658A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910821987.6
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1855446A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077306.2
申请日：2006-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: 提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。
-
公开(公告)号：CN1696349A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510072659.9
申请日：2005-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L28/40
Abstract: 提供了一种用于去除氧化物膜的含阴离子表面活性剂的刻蚀液，及其制备方法以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。该刻蚀液包括氢氟酸(HF)、去离子水和阴离子表面活性剂。阴离子表面活性剂是其中添加了芳香树脂(anime)盐作为平衡离子的化合物，由R1－OSO3－HA+、R1－CO2－HA+、R1－PO42－(HA+)2、(R1)2－PO4－HA+以及R1－SO3－HA+表示，其中R1是C4至C22的直烃基或支烃基，以及A是氨或胺。刻蚀液提供氧化物膜与氮化物膜或与多晶硅膜的高刻蚀选择率。因此，在半导体器件制造工艺如STI器件隔离工艺或电容器形成工艺中，当氧化物膜与氮化物膜或多晶硅膜一起露出时，在仅仅选择地除去氧化物膜中可以有效地使用该刻蚀液。
-
公开(公告)号：CN1581493A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410057456.8
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/00 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852 , Y10S438/978
Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。
-
公开(公告)号：CN108257893A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711470648.5
申请日：2017-12-29
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02101 , B08B3/08 , B08B7/0021 , B08B2203/007 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/67207
Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。
-
公开(公告)号：CN102117698B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.032 seconds)
