公开(公告)号：CN109216328A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810705802.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  曹圭镐 ,  林汉镇

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/76221 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/152 ,  H01L29/518 ,  H01L28/56 ,  H01L23/642

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN106233453A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC: H01L21/768 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E60/13 ,  H01L2924/00

Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。