公开(公告)号：CN100429767C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200510062815.3

申请日：2005-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  児岛则章 ,  渡辺裕之

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H05K2201/068 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种搭载元件的元件搭载基板，其中，构成光致抗焊剂层(328)的材料使用作为母料的卡尔多型聚合物和规定的添加剂，可以抑制空穴和凹凸等发生的状态形成薄膜。因此，构成光致抗焊剂层(328)的材料可使用25μm程度厚度的薄膜，作为光致抗焊剂层(328)的材料与通常使用的树脂材料的厚度35μm程度比较，约为2/3的厚度。因此，可实现元件搭载基板(400)的小型化。

公开(公告)号：CN100411156C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510059137.5

申请日：2005-03-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  山口健 ,  臼井良辅 ,  渡辺裕之 ,  成瀬俊道 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，半导体片(30)及片状部件(40)设置在绝缘基础部件(20)上，且被利用注入膜模制法成形的模制树脂密封。片状部件(40)包围半导体片(30)的四边配置。包围半导体片(30)的片状部件(40)的纵向朝向一定的方向。在进行树脂注入时，使片状部件(40)的纵向实质上垂直于注入树脂的流向地将绝缘基础部件(20)置于模型成型器内。

公开(公告)号：CN100403500C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510119326.7

申请日：2003-12-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  五十岚优助 ,  坂本则明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85913 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/284 ,  H05K3/381 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电路装置的制造方法，通过向在导电配线层上形成的外敷层树脂照射等离子体，提高外敷层树脂和密封树脂层的粘附。设置介由层间绝缘层(22)层积的第一导电膜(23A)及第二导电膜(23B)。通过选择地除去第一导电膜形成第一导电配线层(12A)，并由外敷层树脂(18)覆盖第一导电配线层。通过在外敷层树脂(18)上照射等离子体进行其表面的粗糙化。形成密封树脂(17)，以覆盖粗糙化的外敷层树脂(18)表面及电路元件(13)。

公开(公告)号：CN101154638A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710137183.1

申请日：2007-07-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长松正幸 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、便携式设备及半导体模块的制造方法，该半导体模块能抑制由于散热部引起可靠性的恶化，而且，提高散热性。该半导体模块具有：半导体基板(1)，其表面(S)上形成有电路元件(2)的电极(2a)；再配线图形(4)，其为了进一步拓宽电极(2a)的间距而与电极(2a)连接；电极(4a)，其与该再配线图形(4)形成为一体；绝缘层(7)，其形成在半导体基板(1)的背面(R)；散热部(8)，其形成在该绝缘层7上；突起部(8a)，其与该散热部(8)设置在一起，贯通绝缘层(7)与半导体基板(1)的背面(R)连接。

公开(公告)号：CN100358102C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200510055803.8

申请日：2005-03-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/67265 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S438/975 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体元件的定位方法，包括：在基体材料上设置设有对准标记的半导体元件的工序；形成表面上设置了金属膜的绝缘膜，使其覆盖该半导体元件表面的工序；除去该绝缘膜及该金属膜的一部分，使对准标记露出的工序。通过检测露出的对准标记，把握基体材料上的半导体元件的电极的位置。

公开(公告)号：CN1942049A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610154318.0

申请日：2006-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小原泰浩 ,  臼井良辅 ,  児岛则章

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明涉及一种电路衬底及电路衬底的制造方法，电路衬底具有：多个配线层；具有纤维状充填材料和树脂并使多个配线层绝缘的绝缘层；在贯通绝缘层的通路孔的侧壁形成的导体部。从侧壁突出并被导体部内包的纤维状充填剂的长度大于导体部的膜厚。由此，能够提高绝缘层和导体部的密接性，且能够提供可靠性高的电路衬底。

公开(公告)号：CN1306604C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200310120768.4

申请日：2003-12-03

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  五十岚优助 ,  儿岛则章 ,  坂本则明

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/024 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4676 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/068 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供一种具有改进的产品可靠性和高频性能的低分布和重量轻的半导体装置。刚好在电路器件410a和410b的下面配置了多层互连线结构。组成一部分多层互连线结构的夹层绝缘薄膜405由具有范围在1.0到3.7之内的相对电介质常数，和范围在从0.0001到0.02之内的介质损耗正切的一种材料形成。

公开(公告)号：CN1913142A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610110026.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柴田清司 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种电路基板及使用该电路基板的电路装置，能够控制热膨胀带来的位置偏差和剥膜，并能抑制温度上升带来的可靠性降低。本发明的电路装置中，在电路基板内部设置具有贯通孔的金属基板作为芯部件，在该贯通孔的上面侧的端缘具有突起，在贯通孔的下面侧的端缘具有倒边。在该金属基板的两面侧经由绝缘层分别形成配线图案层，为将各配线图案层电连接，形成经由贯通孔贯通金属基板、将两面侧的配线图案层连接的配线层，得到与各配线图案层的导通。进而，在电路基板的表面侧经由焊锡球直接连接半导体芯片。

公开(公告)号：CN1707792A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076155.4

申请日：2005-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  西田笃弘

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体模块及其制造方法，将绝缘树脂膜热压接并埋入半导体元件及无源元件中，形成配线后，压接具有元件间绝缘膜的凹部或具有贯通部的层积膜，在凹部内部埋入元件构成部件的材料，由此形成高电阻部件和高介电系数部件，形成电阻器和电容器。进而，形成上层绝缘树脂膜之后，形成具有卡尔多型聚合物的光致抗焊剂层，进行配线形成、焊锡电极形成。

公开(公告)号：CN1681118A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200410095155.4

申请日：2004-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 今冈俊一 ,  臼井良辅 ,  中野敦史 ,  加藤敦史

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H05K3/46 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置(100)。其包含设置在绝缘树脂膜(106)的两个表面的第一导电膜(102)和第二导电膜(104)。在第二导电膜(104)上载置电路元件(120)，电路元件(120)与第二导电膜(104)电连接。第二导电膜(104)设置成覆盖贯通插塞(110)。另外，贯通插塞(110)形成直径沿从第一导电膜(102)向第二导电膜(104)的方向缩小的锥形。