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公开(公告)号：CN105163605B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380056459.7
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , F25D17/042 , F25D2317/0417
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。存储区域被扫描和监视所指定区中生物活性的存在。一旦识别出生物活性，紫外辐射就被指向，以杀菌和消毒存储区域中指定的区。
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公开(公告)号：CN107073146A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056212.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A41D13/002 , A61L2/24 , A61L9/00 , A61L9/20 , A61L2202/14 , A61L2209/111 , A61L2209/14 , G01J1/429 , G01N21/6456 , G01N21/6486 , G01N2201/0221 , G09B5/06 , G09B19/24
Abstract: 提供了一种能够使用紫外辐射对物体的表面检测和/或灭菌的系统。所述系统可以包括包含用于诱导污染物中的荧光和/或对物体的表面进行灭菌的紫外源的杀菌室和/或手持式紫外单元。所述物体可以包括防护服，所述防护服由使用者穿戴并且还可以包括用于在空气进入防护服之前对空气杀菌的紫外源。所述系统可以实施为多层次系统，其用于保护使用者和其它物体免受暴露于污染物，并且在暴露到包括污染物的环境之后对防护服进行灭菌。
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公开(公告)号：CN105659383A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057571.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L29/151 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L33/0075 , H01L33/12
Abstract: 提供了一种用于电子或光电器件中的异质结构。异质结构包括一个或多个复合半导体层。该复合半导体层可以包括形貌变化的子层，其中至少一个子层可以由一组柱状结构(例如，纳米线)形成。复合半导体层中的另一个子层可以是多孔的、连续的或部分连续的。
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公开(公告)号：CN105518878A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048504.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 提供了光电子器件的改进的异质结构。该异质结构包括有源区域、电子阻挡层和p型接触层。p型接触层和电子阻挡层可以用p型掺杂剂掺杂。电子阻挡层的掺杂剂浓度可以是p型接触层的掺杂剂浓度的最多百分之十。还对设计这种异质结构的方法进行了描述。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104838509A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380055363.9
申请日：2013-10-22
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/52 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L27/15 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/16245 , H01L2224/81191 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/81
Abstract: 提供了一种用于封装诸如发光二极管的双端子装置的解决方案。在一个实施例中，一种封装双端子装置的方法包括：图案化金属片以包括多个开口；接合至少一个双端子装置至金属片，其中第一开口对应于至少一个双端子装置的第一接触与第二接触之间的距离；以及在至少一个双端子装置每个周围切割金属片，其中金属片形成了至第一接触的第一电极以及至第二接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN103597618A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280013116.8
申请日：2012-02-11
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/04 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种用于减少发射装置的有源区中的位错的数目的解决方案。位错弯曲结构可包括于该发射装置中介于衬底与有源区之间。该位错弯曲结构可被配置以例如归因于足够量的应变的存在而在位错到达该有源区之前使位错弯曲和/或消灭。该位错弯曲结构可包括多个层，而相邻层由一材料构成，但相应材料中的元素的摩尔分数在两层之间存在差异。该位错弯曲结构可包括至少40对相邻层，在相邻层之间元素的摩尔分数相差至少百分之五。
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公开(公告)号：CN103038900A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037699.3
申请日：2011-06-17
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405
Abstract: 提供深紫外发光二极管，该发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
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公开(公告)号：CN205845936U
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201620160480.2
申请日：2016-03-03
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：包含半导体层的半导体结构；以及至半导体层的基本上线性的穿孔接触件，穿孔接触件包含：由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件，其中多个穿孔元件具有最小化半导体结构中的多个穿孔元件和二维气之间的电阻的横向间隔距离、横向宽度和横向长度；以及位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层。本实用新型用于半导体器件中。本实用新型的一个方面的目的是提供至半导体结构中的半导体层的穿孔欧姆接触件。本实用新型的一个方面的技术效果是相应半导体器件的操作、稳定性以及寿命可以通过采用改进的欧姆接触件而提升。
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公开(公告)号：CN206081140U
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201620686149.4
申请日：2016-06-30
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了紫外线系统以及紫外线设备。一种紫外线系统包括具有可密封开口的柔性外壳，所述外壳包括能够具有至少0.1米‑1的形变曲率，并界定所述外壳的内部体积的柔性基板，其中所述柔性基板由多个层形成用于在所述外壳之内散布并容纳紫外线辐射，所述多个层包括紫外线反射层；以及位于所述紫外线反射层的外侧上的紫外线吸收层；所述外壳还包括安装在所述柔性基板上的至少一个紫外线辐射源。所述紫外线系统以及紫外线设备用于消毒领域。本实用新型的一个方面的技术效果是提供一种改进的紫外线系统的技术。
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