公开(公告)号：TW201436231A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102148877

申请日：2013-12-27

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  松崎滋夫 ,  MATSUZAKI, SHIGEO ,  川島繪美 ,  KAWASHIMA, EMI ,  但馬望 ,  TAJIMA, NOZOMI ,  海上曉 ,  KAIJO, AKIRA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78633 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明之薄膜場效型電晶體之特徵在於：於基板上至少包含閘極電極、閘極絕緣膜、活性層、電阻層、源極電極及汲極電極，上述源極電極及上述汲極電極經由設置於上述電阻層之接觸孔而與上述活性層電性連接，並且上述活性層與上述電阻層之折射率之差為0.3以下，且上述電阻層之膜厚為5 nm以上且300 nm以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之薄膜场效型晶体管之特征在于：于基板上至少包含闸极电极、闸极绝缘膜、活性层、电阻层、源极电极及汲极电极，上述源极电极及上述汲极电极经由设置于上述电阻层之接触孔而与上述活性层电性连接，并且上述活性层与上述电阻层之折射率之差为0.3以下，且上述电阻层之膜厚为5 nm以上且300 nm以下。

公开(公告)号：TWI429089B

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW100149319

申请日：2011-12-28

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 江端一晃 ,  EBATA, KAZUAKI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  霍間勇輝 ,  TSURUMA, YUKI ,  松崎滋夫 ,  MATSUZAKI, SHIGEO ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

公开(公告)号：TWI419337B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：TW100136734

申请日：2005-03-07

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 井上一吉 ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  松原雅人

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53247 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI412155B

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：TW097142666

申请日：2008-11-05

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 井上一吉 ,  INOUE, KAZUYOSHI ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI ,  宇都野太 ,  UTSUNO, FUTOSHI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI405004B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW094106469

申请日：2005-03-03

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 井上一吉 ,  INOUE, KAZUYOSHI ,  松原雅人 ,  MATSUBARA, MASATO ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

公开(公告)号：TW201308611A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101129092

申请日：2012-08-10

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 霍間勇輝 ,  TSURUMA, YUKI ,  江端一晃 ,  EBATA, KAZUAKI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  松崎滋夫 ,  MATSUZAKI, SHIGEO

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明之薄膜電晶體1係包含源極電極50、汲極電極60及閘極電極20、閘極絕緣膜30、以及含有氧化物半導體之通道層40，且上述通道層40之平均載子濃度為1×1016/cm3~5×1019/cm3之範圍，且於上述通道層40之上述閘極絕緣膜30側存在高於上述平均載子濃度之載子濃度區域42，且上述通道層40具有實質上相同之組成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之薄膜晶体管1系包含源极电极50、汲极电极60及闸极电极20、闸极绝缘膜30、以及含有氧化物半导体之信道层40，且上述信道层40之平均载子浓度为1×1016/cm3~5×1019/cm3之范围，且于上述信道层40之上述闸极绝缘膜30侧存在高于上述平均载子浓度之载子浓度区域42，且上述信道层40具有实质上相同之组成。

公开(公告)号：TW201144458A

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：TW100119461

申请日：2011-06-02

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 笘井重和 ,  江端一晃 ,  松崎滋夫 ,  矢野公規

IPC: C23C

CPC classification number: H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明係一種氧化物燒結體，其特徵在於：含有銦(In)、鎵(Ga)及正三價及/或正四價金屬X之氧化物，金屬X之調配量相對於In與Ga之總計為100~10,000ppm(重量)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种氧化物烧结体，其特征在于：含有铟(In)、镓(Ga)及正三价及/或正四价金属X之氧化物，金属X之调配量相对于In与Ga之总计为100~10,000ppm(重量)。

公开(公告)号：TW201142054A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW100114149

申请日：2011-04-22

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 西村麻美 ,  笘井重和 ,  矢野公規 ,  笠見雅司 ,  糸瀨將之 ,  松崎滋夫 ,  江端一晃

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明係一種成膜方法，其係於含有稀有氣體原子及水分子，且上述水分子之含量相對於上述稀有氣體原子以分壓比計為0.1~10%的氣體環境中，濺鍍包含金屬氧化物之靶材而於基板上形成薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种成膜方法，其系于含有稀有气体原子及水分子，且上述水分子之含量相对于上述稀有气体原子以分压比计为0.1~10%的气体环境中，溅镀包含金属氧化物之靶材而于基板上形成薄膜。

公开(公告)号：TW201025613A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW098131210

申请日：2009-09-16

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 井上一吉 ,  矢野公規 ,  笘井重和 ,  宇都野太 ,  笠見雅司 ,  後藤健治 ,  川嶋浩和

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明係有關於一種具有結晶質氧化銦半導體膜之薄膜電晶體,該半導體膜係以氧化銦作為主成分並含有正3價金屬氧化物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种具有结晶质氧化铟半导体膜之薄膜晶体管,该半导体膜系以氧化铟作为主成分并含有正3价金属氧化物。

公开(公告)号：TW201023357A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：TW098135613

申请日：2009-10-21

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 井上一吉 ,  笠見雅司 ,  矢野公規 ,  笘井重和 ,  川嶋浩和

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45

Abstract: 本發明係關於一種薄膜電晶體,其具有結晶質氧化銦半導體膜,且相對於前述半導體膜中所含有之全部金屬元素,正4價以上的金屬元素之含有率為10原子ppm以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种薄膜晶体管,其具有结晶质氧化铟半导体膜,且相对于前述半导体膜中所含有之全部金属元素,正4价以上的金属元素之含有率为10原子ppm以下。