公开(公告)号：TWI615984B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW103128165

申请日：2014-08-15

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  柴田雅敏 ,  SHIBATA, MASATOSHI ,  川嶋繪美 ,  KAWASHIMA, EMI ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI ,  早坂紘美 ,  HAYASAKA, HIROMI

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/861

公开(公告)号：TWI535872B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW100118513

申请日：2011-05-26

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 江端一晃 ,  EBATA, KAZUAKI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI ,  井上一吉 ,  INOUE, KAZUYOSHI

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C04B35/00 ,  C04B35/64 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/89

公开(公告)号：TWI511300B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW098131210

申请日：2009-09-16

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 井上一吉 ,  INOUE, KAZUYOSHI ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  宇都野太 ,  UTSUNO, FUTOSHI ,  笠見雅司 ,  KASAMI, MASASHI ,  後藤健治 ,  GOTO, KENJI ,  川嶋浩和 ,  KAWASHIMA, HIROKAZU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI453915B

公开(公告)日：2014-09-21

申请号：TW097134545

申请日：2008-09-09

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 矢野公規 ,  YANO, KOKI ,  井上一吉 ,  INOUE, KAZUYOSHI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  笠見雅司 ,  KASAMI, MASASHI

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI430451B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW102129389

申请日：2011-12-28

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： 江端一晃 ,  EBATA, KAZUAKI ,  笘井重和 ,  TOMAI, SHIGEKAZU ,  霍間勇輝 ,  TSURUMA, YUKI ,  松崎滋夫 ,  MATSUZAKI, SHIGEO ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

公开(公告)号：TW201245094A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101110425

申请日：2012-03-26

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 笘井重和 ,  松崎滋夫 ,  矢野公規 ,  安藤誠人 ,  江端一晃 ,  糸瀨將之

IPC: C04B ,  C23C

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本發明之燒結體係至少含有氧化銦及氧化鎵者，且體積14000 μm 3 以上之空隙之空隙率為0.03體積%以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之烧结体系至少含有氧化铟及氧化镓者，且体积14000 μm 3 以上之空隙之空隙率为0.03体积%以下。

公开(公告)号：TW201232787A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW100149319

申请日：2011-12-28

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍間勇輝 ,  松崎滋夫 ,  矢野公規

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 本發明之積層結構之特徵在於:其係包含氧化物層及絕緣層者,且上述氧化物層之載體濃度為1018/cm3以下,平均結晶粒徑為1 ���m以上,上述氧化物層之結晶以柱狀配置於上述絕緣層之表面上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之积层结构之特征在于:其系包含氧化物层及绝缘层者,且上述氧化物层之载体浓度为1018/cm3以下,平均结晶粒径为1 ���m以上,上述氧化物层之结晶以柱状配置于上述绝缘层之表面上。

公开(公告)号：TW201027753A

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：TW098135771

申请日：2009-10-22

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 井上一吉 ,  矢野公規 ,  笘井重和 ,  笠見雅司 ,  川嶋浩和 ,  宇都野太

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742

Abstract: 本發明提供一種薄膜電晶體,其係具有閘電極、閘極絕緣膜、鄰接於閘極絕緣膜的氧化物半導體膜,以及連接至氧化物半導體膜,且由通道部隔開的源‧汲電極之薄膜電晶體,特徵在於,氧化物半導體膜由含有氫元素的結晶質氧化銦形成,氧化物半導體膜中所含有之氫元素的含量,相對於形成氧化物半導體膜的全部元素為0.1at%-5at%。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种薄膜晶体管,其系具有闸电极、闸极绝缘膜、邻接于闸极绝缘膜的氧化物半导体膜,以及连接至氧化物半导体膜,且由信道部隔开的源‧汲电极之薄膜晶体管,特征在于,氧化物半导体膜由含有氢元素的结晶质氧化铟形成,氧化物半导体膜中所含有之氢元素的含量,相对于形成氧化物半导体膜的全部元素为0.1at%-5at%。

公开(公告)号：TW201022176A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：TW098118184

申请日：2009-06-02

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 井上一吉 ,  宇都野太 ,  川嶋浩和 ,  矢野公規 ,  笘井重和 ,  笠見雅司 ,  寺井恒太

IPC: C04B ,  C23C ,  H01L

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明係一種燒結體，係於氧化銦結晶固溶選自於由鋁及鈧所構成之群之一種以上的金屬之氧化物，且銦與選自於由鋁及鈧所構成之群之一種以上的金屬之原子比((1種以上之金屬的合計)/(1種以上之金屬與In的合計)×100)為0.001％以上、小於45％。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种烧结体，系于氧化铟结晶固溶选自于由铝及钪所构成之群之一种以上的金属之氧化物，且铟与选自于由铝及钪所构成之群之一种以上的金属之原子比((1种以上之金属的合计)/(1种以上之金属与In的合计)×100)为0.001％以上、小于45％。

公开(公告)号：TW302556B

公开(公告)日：1997-04-11

申请号：TW085108502

申请日：1996-07-13

Applicant: 出光興產股份有限公司

Inventor： 服部哲治 ,  海上曉 ,  笘井重和

IPC: H01L ,  G06F

CPC classification number: G06F3/045 ,  H01H13/785 ,  H01H2201/028 ,  H01H2219/011

Abstract: 關於觸摸板雖宜提高輸入精度，惟利用現有的透明電極膜，難以提高輸入精度。本發明係由銦(In)、鋅(Zn)、鈦(Ti)和氧(0)為構成元素特定組成的氧化物膜製成之透明導電膜，或由銦(In)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、鎵(Ga)和氧(0)為構成元素特定組成的氧化物膜製成之透明導電膜，在透明基材上製膜，即可得提高輸入精度之觸摸板。

Abstract in simplified Chinese: 关于触摸板虽宜提高输入精度，惟利用现有的透明电极膜，难以提高输入精度。本发明系由铟(In)、锌(Zn)、钛(Ti)和氧(0)为构成元素特定组成的氧化物膜制成之透明导电膜，或由铟(In)、锌(Zn)、钛(Ti)、镓(Ga)和氧(0)为构成元素特定组成的氧化物膜制成之透明导电膜，在透明基材上制膜，即可得提高输入精度之触摸板。