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公开(公告)号:CN110313122B
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN201880010788.0
申请日:2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(4)包括:具有初级绕组和多个次级绕组的变压器(TR4);与初级绕组连接的初级侧电路(10);以及分别与多个次级绕组连接的多个次级侧电路(20、25)。次级侧电路(20)进行向初级侧电路(10)或次级侧电路(25)传输电能的电能再生动作。次级侧电路(20)包含对从变压器(TR4)的初级侧传输的电能进行整流的MOSFET(Q5、Q6)和蓄积整流后的电能的电容器(C1),并进行使电容器(C1)放电而使电流流入变压器(TR4)的次级绕组的放电动作。由此能够提供稳定地输出多个电压并具有高电能转换效率的电源装置。
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公开(公告)号:CN110301088A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201880011506.9
申请日:2018-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 电源装置(1)具有与变压器(TR1)的初级绕组连接的初级侧电路(10)以及与变压器(TR1)的次级绕组连接的次级侧电路(20)。初级侧电路(10)包含MOSFET:(Q1~Q4),次级侧电路(20)包含整流从变压器(TR1)的初级侧传输的电能的MOSFET:(Q5、Q6)和蓄积被整流的电能的电容器(C1)。在将MOSFET:(Q1~Q4)从截止状态切换为导通状态之前,以MOSFET:(Q1~Q4)的源-漏极间电压降低的方式,次级侧电路(20)进行使电容器(C1)放电并使电流流过变压器(TR1)的次级绕组的放电的动作。由此,提供一种即使在低输出时也具有高的功率转换效率的电源装置。
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公开(公告)号:CN106664082A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580035608.0
申请日:2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接,并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子,并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压,使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此,提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
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公开(公告)号:CN102971873B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201180034607.6
申请日:2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是,在基板准备工序中,准备由第一电极(111)和第二电极(112)对置的部位规定有配置微小物体(120)的位置的基板(110),在流体导入工序中,将流体(121)导入到基板(110)上。流体(121)包含多个微小物体(120)。微小物体(120)是拥有由电介质制造的表侧层(130)和由半导体制造的背侧层(131)作为取向构造的二极管元件。而且,在微小物体配置工序,通过在第一电极(111)与第二电极(112)之间施加交流电压,从而利用感应电泳将微小物体(120)配置成在由第一电极(111)与第二电极(112)对置的部位(A)预先确定的位置而且将表侧层(130)配置成朝上。
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公开(公告)号:CN103326621B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201310087700.4
申请日:2013-03-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/02008 , G05F1/67 , Y02E10/58
Abstract: 本发明涉及光发电装置、该光发电装置中的最大功率点跟踪控制方法、以及具备该光发电装置的移动体。光发电装置,具备:光发电模块,串联连接有多个光发电元件的串联部被并联连接多个,多个所述串联部中的连接于同一串联行的所述光发电元件相互并联连接;以及跟踪控制装置,对所述光发电模块的输出进行最大功率点跟踪控制。所述光发电模块具备:温度传感器,对作为所述光发电模块工作时的面板温度的实际面板温度进行检测。
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公开(公告)号:CN103095142B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201210428192.7
申请日:2012-10-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M3/3353 , B60L8/003 , B60L58/20 , B60L2210/12 , B60L2210/14 , B60L2240/526 , B60L2240/527 , H02J7/0054 , H02J7/022 , H02J2007/0059 , H02M7/30 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7225 , Y02T10/7233
Abstract: 本发明涉及DC-DC转换器、太阳能充电系统及可移动体。该DC/DC转换器包括第一DC/DC转换器以及用于实施从第一DC/DC转换器提供的电压的DC/DC转换的第二DC/DC转换器。第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器之一是固定因数DC/DC转换器,以及第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器中的另一个是可变因数DC/DC转换器。
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公开(公告)号:CN102782892B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201180013628.X
申请日:2011-02-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , G02F1/13357 , H01L33/20
CPC classification number: G02F1/133603 , F21K9/00 , G02F1/133605 , G02F2001/133612 , G02F2001/133614 , G02F2001/133628 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 在绝缘性基板(720)的直线区域(S)形成金属布线(731),并且与金属布线(731)空开规定的间隔大致平行地形成金属布线(732)。在棒状结构发光元件(710A~710D)的n型半导体核心(701)连接金属布线(731),在p型的半导体层(702)连接金属布线(732)。通过将绝缘性基板(720)分割成多个分割基板,从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件(710)的发光装置。在多个发光元件中,将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件(710)配置在绝缘性基板(720)的切断区域中,即使由于切断而破损的棒状结构发光元件(710)不发光,也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件(710)进行发光。
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公开(公告)号:CN102792467B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201180012593.8
申请日:2011-01-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在同一绝缘性基板(200)的安装面上配置了100个以上的平均每个的发光面积为2500πμm2以下的多个棒状构造发光元件(210)。由此,通过一边抑制发光时的温度上升一边使发光分散,从而提供亮度的偏差少且长寿命、高效率的发光装置。
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公开(公告)号:CN102227006B
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201010576708.3
申请日:2010-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/3065 , F21S8/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件,提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法,因为不仅在n型的半导体核心(7)的前端面(7A),也在侧面(7B)形成p型的半导体层(10),所以能够增大pn结的面积,能够增大发光面积,能够提高发光效率。此外,因为使用触媒金属(6)形成n型的半导体核心(7),所以能够加快n型的半导体核心(7)的生长速度。因此,能够增长半导体核心(7),能够进一步增大与n型的半导体核心(7)的长度成比例关系的发光面积。
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公开(公告)号:CN103022185A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201210353873.1
申请日:2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/02021 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及光伏发电模块和光伏发电模块阵列,本发明的光伏发电模块具备:多个光伏发电元件经由连接点串联连接的群发电部;连接于所述群发电部构成的串联电路的两端的一对输出端子;以及与从所述连接点中特别指定的特别指定连接点连接的特别指定端子。
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