电源装置及电源单元
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110313122B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201880010788.0

    申请日:2018-01-29

    Abstract: 电源装置(4)包括:具有初级绕组和多个次级绕组的变压器(TR4);与初级绕组连接的初级侧电路(10);以及分别与多个次级绕组连接的多个次级侧电路(20、25)。次级侧电路(20)进行向初级侧电路(10)或次级侧电路(25)传输电能的电能再生动作。次级侧电路(20)包含对从变压器(TR4)的初级侧传输的电能进行整流的MOSFET(Q5、Q6)和蓄积整流后的电能的电容器(C1),并进行使电容器(C1)放电而使电流流入变压器(TR4)的次级绕组的放电动作。由此能够提供稳定地输出多个电压并具有高电能转换效率的电源装置。

    电源装置及电源单元
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110301088A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201880011506.9

    申请日:2018-01-29

    Abstract: 电源装置(1)具有与变压器(TR1)的初级绕组连接的初级侧电路(10)以及与变压器(TR1)的次级绕组连接的次级侧电路(20)。初级侧电路(10)包含MOSFET:(Q1~Q4),次级侧电路(20)包含整流从变压器(TR1)的初级侧传输的电能的MOSFET:(Q5、Q6)和蓄积被整流的电能的电容器(C1)。在将MOSFET:(Q1~Q4)从截止状态切换为导通状态之前,以MOSFET:(Q1~Q4)的源-漏极间电压降低的方式,次级侧电路(20)进行使电容器(C1)放电并使电流流过变压器(TR1)的次级绕组的放电的动作。由此,提供一种即使在低输出时也具有高的功率转换效率的电源装置。

    开关电路和具备该开关电路的电源电路

    公开(公告)号:CN106664082A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201580035608.0

    申请日:2015-02-24

    Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接,并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子,并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压,使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此,提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。

    半导体元件的制造方法及半导体元件

    公开(公告)号:CN102227006B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201010576708.3

    申请日:2010-12-07

    Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件,提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法,因为不仅在n型的半导体核心(7)的前端面(7A),也在侧面(7B)形成p型的半导体层(10),所以能够增大pn结的面积,能够增大发光面积,能够提高发光效率。此外,因为使用触媒金属(6)形成n型的半导体核心(7),所以能够加快n型的半导体核心(7)的生长速度。因此,能够增长半导体核心(7),能够进一步增大与n型的半导体核心(7)的长度成比例关系的发光面积。

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