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公开(公告)号：CN101317225A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044701.9
申请日：2006-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/462 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/495 , C04B35/505 , C04B35/553 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , G11B7/00454 , G11B7/0062 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种不含S元素的电介质材料，并提供一种即使在反射层和电介质层之间不设置界面层、仍能得到高信号品质且记录灵敏度及重写特性优良的信息记录介质。为此，在本申请中，信息记录介质至少具备记录层，所述记录层因照射激光束或者施加电流而发生相变，其具备包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物－氟化物电介质层，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN100440348C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610100582.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN100346412C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410002006.9
申请日：2004-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO2)N(Cr2O3)100-N(摩尔%)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr-Cr-O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN100341060C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1314028C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片(1)的表面形成记录层(4)及电介质层(2)和(6)，记录层(4)通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层(2)和(6)是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物-氟化系材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1306508C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN1670830A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052931.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1205608C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100-M(摩尔%)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr-Cr-O基材料层。
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公开(公告)号：CN1538424A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031796.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种多层信息记录介质，即使长期作档案记录后也具有良好的复制性能和良好的记录和重写性能及良好的重复重写性能。信息记录介质(22)至少有在结晶相和非晶相之间能够产生可逆相变的第一记录层(104)和第二记录层(204)，第一记录层(104)含有Ge、Te和Bi，而第二记录层(204)含有Sb和一种或多种选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
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公开(公告)号：CN1445770A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片1的表面形成记录层4及电介质层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层2和6是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物－氟化系材料层。
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