-
公开(公告)号：CN114207872A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056535.4
申请日：2020-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一个方式提供一种循环特性、可靠性或安全性高的固态二次电池。负极在负极集流体上包括n层(n为2以上的整数)负极活性物质层及n‑1层分离层，负极活性物质层与分离层交替层叠，负极活性物质的厚度为20nm以上且100nm以下，分离层包含钛。分离层优选包含钛(Ti)、氮化钛(TiN)或氧氮化钛(TiOxNy，0
-
公开(公告)号：CN111788492A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980016772.5
申请日：2019-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/367 , G01R31/392 , H01M10/42 , H01M10/48 , H02J7/00 , G01R31/3842
Abstract: 提供一种不容易产生错误工作且能够高精度地进行异常检测的二次电池的控制方法。本发明是一种二次电池的充电状态推测装置，包括：产生电磁噪声的器件；测量与器件电连接的二次电池的电压值的第一检测单元；测量与器件电连接的二次电池的电流值的第二检测单元；从使用第一检测单元或第二检测单元得到的多个包括电磁噪声的数据抽出电磁噪声与驱动模式之间的因果关系，根据该因果关系进行数据校正的校正单元；以及根据数据校正后的数据使用回归模型算出充电率的运算单元。
-
公开(公告)号：CN111164822A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880046884.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/44 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/786 , G01R31/387 , G01R31/389 , G01R31/396 , G01R31/367 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01M10/42 , H02J7/00
Abstract: 提供一种具有优良特性的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种劣化小的蓄电系统。提供一种具有优良特性的蓄电池。本发明的一个方式是一种蓄电系统的工作方法，该蓄电系统包括蓄电池、具有测量阻抗的功能的第一电路及神经网络，蓄电系统的工作方法包括：停止蓄电池的充电或放电的第一步骤；测量蓄电池的开路电压的第二步骤；测量蓄电池的阻抗的第三步骤；所测量的开路电压及阻抗被输入到输入层的第四步骤；从输出层输出第一信号的第五步骤；根据第一信号改变蓄电池的充电或放电的条件的第六步骤；以及开始蓄电池的充电或放电的第七步骤，第一信号对应于蓄电池的放电容量的推测值。
-
公开(公告)号：CN103367787B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201310097723.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01G9/28 , H01G9/025 , H01G9/15 , H01G11/06 , H01G11/08 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/56 , H01L28/40 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明涉及蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置。本发明的课题是提供一种在同一平面内设置正极及负极的蓄电元件以及一种在同一平面内配置有该蓄电元件的蓄电装置。本发明的一个方式是一种蓄电元件，包括形成在同一平面内的正极集电体层及负极集电体层、正极集电体层上的正极活性物质层、负极集电体层上的负极活性物质层以及至少接触于正极活性物质层及负极活性物质层的电解质层。此外，本发明的一个方式是一种蓄电装置，其中在同一平面内配置有多个该蓄电元件，通过布线将该多个蓄电元件电连接，并且蓄电元件被串联连接或并联连接的蓄电装置。
-
公开(公告)号：CN104993152B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510258298.0
申请日：2011-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/66 , H01M4/70 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0525 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明涉及用于制造电力存储设备的方法，目的在于通过设计活性材料层的形状来改进电力存储设备的特性。可通过提供包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电解质的电力存储设备来改进电力存储设备的特性。第二电极包括活性材料层。活性材料层包括包含活性材料的多个凸部以及包含活性材料的多个颗粒，这些颗粒排列在多个凸部上或者多个凸部之间的空隙中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106104862A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013593.8
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 当反复进行锂离子二次电池或锂离子电容器的充放电循环时，通过尽可能抑制电解液等的分解反应，可以得到锂离子二次电池或锂离子电容器的循环特性。电极包括集流体及集流体上的活性物质层。活性物质层包括粒状活性物质、导电助剂、粘结剂、以及以氧化硅为主要成分的膜。粒状活性物质中的一个的表面包括与其他粒状活性物质接触的区域、与导电助剂接触的区域和与粘结剂接触的区域中的至少一个。除了这些区域以外的粒状活性物质表面至少部分地接触于以氧化硅为主要成分的膜。
-
公开(公告)号：CN102823028B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201180016382.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M4/667 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种二次电池，该二次电池包括包含硅或硅化合物的电极，该电极例如包括由金属形成的集电体和设置在该集电体上的用作活性物质的硅膜。该电极的硅膜中的氢浓度为1.0×1018cm-3以上且1.0×1021cm-3以下。这种硅膜例如优选利用等离子体CVD法等在集电体上形成硅膜，并使硅膜中尽量不包含氢。为了使硅膜中尽量不包含氢，可在高温度环境下在集电体上形成硅膜。
-
公开(公告)号：CN104993152A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510258298.0
申请日：2011-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/66 , H01M4/70 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0525 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明涉及用于制造电力存储设备的方法，目的在于通过设计活性材料层的形状来改进电力存储设备的特性。可通过提供包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电解质的电力存储设备来改进电力存储设备的特性。第二电极包括活性材料层。活性材料层包括包含活性材料的多个凸部以及包含活性材料的多个颗粒，这些颗粒排列在多个凸部上或者多个凸部之间的空隙中。
-
公开(公告)号：CN102918683B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180026274.2
申请日：2011-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0525 , Y02T10/7011
Abstract: 目的在于通过设计活性材料层的形状来改进电力存储设备的特性。可通过提供包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电解质的电力存储设备来改进电力存储设备的特性。第二电极包括活性材料层。活性材料层包括包含活性材料的多个凸部以及包含活性材料的多个颗粒，这些颗粒排列在多个凸部上或者多个凸部之间的空隙中。
-
公开(公告)号：CN102906907A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180026957.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/24 , C23C16/24 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/48 , H01M4/52 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7022 , Y10T29/417 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种提高放电容量等能够提高性能（如更高放电容量）且不容易发生因活性物质层的剥落等导致的劣化的蓄电装置及其制造方法。蓄电装置包括：集电体；形成在集电体上的混合层；形成在混合层上且用作活性物质层的晶体硅层。晶体硅层包括晶体硅区域、具有突出在晶体硅区域上的多个突起物的须状的晶体硅区域。须状的晶体硅区域包括具有弯曲或分支的部分的突起物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
97
records
(took 0.053 seconds)
