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公开(公告)号：CN117044393A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023454.3
申请日：2022-03-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
Abstract: 提供一种可以连续处理有机化合物膜的加工至密封的工序的制造装置。一种可以连续进行发光器件的图案化工序以及使有机层的表面及侧面密封以不暴露于大气的工序的制造装置，可以形成高亮度、高可靠性的微型发光器件。此外，该制造装置可以组装于按发光器件的工序顺序配置有装置的直列式制造装置，可以以高处理量进行制造。
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公开(公告)号：CN116158204A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180052288.5
申请日：2021-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种特性不均匀小的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括泄漏电流得到减少的电容器，该半导体装置的制造方法包括如下步骤：形成第一导电体；在第一导电体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；在第三绝缘体上形成第二导电体；以及在第二导电体及第三绝缘体上沉积第四绝缘体，其中，包含在第三绝缘体中的氢通过进行加热处理扩散并吸收到第二绝缘体，第一导电体为电容器的一个电极，第二导电体为电容器的另一个电极，并且，第二绝缘体及第三绝缘体为电容器的电介质。
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公开(公告)号：CN116075923A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180057428.8
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/31
Abstract: 提供一种膜厚度均匀性良好的金属氧化物。本发明的一个方式是一种在SIMS分析中氢浓度得到降低的金属氧化物的制造方法，包括：导入前驱物及载体吹扫气体的第一工序；停止导入前驱物并排出前驱物的第二工序；导入氧化性气体的第三工序；停止导入氧化性气体并排出氧化性气体的第四工序。第一工序至第四工序都在210℃以上且300℃以下的温度范围内进行。
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公开(公告)号：CN115152006A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016355.8
申请日：2021-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/365 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖的金属氧化物的沉积方法。本发明的一个方式包括如下步骤：将第一前驱物提供至腔室的第一工序；将第二前驱物提供至腔室的第二工序；将第三前驱物提供至腔室的第三工序；以及在第一工序后、第二工序后及第三工序后都将氧化剂引入腔室内的第四工序。第一至第三前驱物分别是不同种类的前驱物，在第一至第四工序中，将配置在腔室中的衬底加热至300度以上且第一至第三前驱物的分解温度以下的温度。
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公开(公告)号：CN114830324A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080085779.5
申请日：2020-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/316 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。该存储装置通过如下步骤形成：在衬底上形成第一绝缘体；在第一绝缘体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；形成贯穿第一绝缘体、第二绝缘体以及第三绝缘体的开口；在开口中在第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面以及第三绝缘体的侧面的内侧形成第四绝缘体；在第四绝缘体的内侧形成氧化物半导体；去除第二绝缘体；以及在第一绝缘体与第三绝缘体之间形成导电体，并且第四绝缘体通过多次的如下循环形成，该循环包括：对配置有衬底的处理室供应包含硅的气体及氧化性气体的第一步骤；停止对处理室供应包含硅的气体的第二步骤；以及在处理室内生成包含氧化性气体的等离子体的第三步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540130A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110822972.9
申请日：2015-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
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公开(公告)号：CN108369787B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680071918.2
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/302 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式提供一种分辨率极高的显示装置。另外，提供一种显示品质高的显示装置。另外，提供一种视角特性高的显示装置。另外，提供一种可弯曲的显示装置。将相同颜色的子像素在特定方向上排成之字形。换言之，当着眼于一个子像素时，呈现与其相同颜色的两个子像素配置在它的斜右上及斜右下或者斜左上及斜左下。另外，各像素由排成L字形状的三个子像素构成。并且，组合两个像素，将包括3×2的子像素的像素单元配置为矩阵状。
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公开(公告)号：CN108780617B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201780014086.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN110993829A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911097742.X
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者，本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置，该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外，装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。
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公开(公告)号：CN107026244A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710028451.X
申请日：2017-01-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/322 , H01L27/323 , H01L51/0097 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L2227/323 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , H01L27/3244
Abstract: 提供一种高可靠性显示装置。提供一种能够反复弯折的柔性显示器。一种包括第一衬底、第二衬底、显示元件、遮光层、第一阻挡层以及粘合层的显示装置。第一衬底与第二衬底设置为彼此相对。显示元件、遮光层、第一阻挡层以及粘合层位于第一衬底与第二衬底之间。显示元件位于第一衬底与粘合层之间。遮光层位于第二衬底与粘合层之间。第一阻挡层包括位于遮光层与粘合层之间的区域。另外，第一阻挡层包含杨氏模量高于遮光层或粘合层的材料。
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