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公开(公告)号：CN117296449A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034336.2
申请日：2022-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/02
Abstract: 本发明的一个方式提供一种方便性或可靠性优异的新颖显示装置。组合多个像素区域(也称为显示区域)来实现设置在汽车内的构件用显示装置。具体而言，将显示面弯曲的显示器设置为汽车等车辆的内部装饰。在具有曲面的支撑体中设置布线层，该布线层与像素区域的信号线的一部分电连接。另外，通过使邻接的多个像素区域以其间的间隙较小的方式重叠，可以使像素区域与其他像素区域的接缝不显著，优选使该接缝看不到。
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公开(公告)号：CN110625540B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910837433.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B25B11/00 , B29C53/18 , H01L21/687
Abstract: 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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公开(公告)号：CN110993829A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911097742.X
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者，本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置，该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外，装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。
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公开(公告)号：CN110625540A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910837433.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B25B11/00 , B29C53/18 , H01L21/687
Abstract: 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452876A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710206457.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L2221/6835 , H01L2221/68386 , H01L51/003 , H01L21/7806 , H01L51/0097 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的树脂层，在树脂层上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，使用线状激光装置对树脂层照射光，将晶体管与形成用衬底分离。可以在树脂层中形成第一区域及其厚度比第一区域薄的第二区域或开口。当以与树脂层的第二区域或开口重叠的方式形成被用作外部连接端子等的导电层时，通过分离使该导电层露出。
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公开(公告)号：CN118829321A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410727130.9
申请日：2017-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/80 , H10K59/121 , H10K77/10
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的树脂层，在树脂层上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，使用线状激光装置对树脂层照射光，将晶体管与形成用衬底分离。可以在树脂层中形成第一区域及其厚度比第一区域薄的第二区域或开口。当以与树脂层的第二区域或开口重叠的方式形成被用作外部连接端子等的导电层时，通过分离使该导电层露出。
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公开(公告)号：CN113396483A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080013106.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , C23C16/02 , C23C16/42 , G02F1/1368 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：形成包含金属氧化物的半导体层的工序；在半导体层上形成在半导体层上彼此分开的第一导电层及第二导电层的工序；对露出半导体层的区域使用包含氧化性气体及还原性气体的混合气体进行等离子体处理的工序；在半导体层上、第一导电层上及第二导电层上形成第一绝缘层的工序；以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层的工序。利用使用混合气体的等离子体增强化学气相沉积法形成第一绝缘层，该混合气体包含含硅的气体、氧化性气体及氨气体。此外，在等离子体处理后以不暴露于大气的方式连续形成第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN110520962A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880017781.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括剥离工序的成品率高的半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种剥离方法，包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层的叠层的工序；以及使第一材料层与第二材料层分离的工序。第二材料层隔着第一材料层形成在衬底上。第一材料层包括与第二材料层接触的第一化合物层以及位于比第一化合物层更靠近衬底一侧的位置的第二化合物层。第一化合物层是在第一材料层所包括的层中氧含量最多的层。第二化合物层是在第一材料层所包括的层中氮含量最多的层。第二材料层包含树脂。在分离工序中，通过向第一材料层与第二材料层的界面或界面附近照射光，使第一材料层与第二材料层分离。
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公开(公告)号：CN110010625A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811571921.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/56 , H01L51/52 , H01L41/314
Abstract: 在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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